公开(公告)号：CN102190975B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110051582.2

申请日：2011-03-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  林美希 ,  井上刚一 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24959 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件的芯片接合薄膜，其可以防止所述焊线的变形或断裂，可以搭载另一个半导体元件，由此可以提高半导体装置的制造成品率，本发明还提供切割/芯片接合薄膜。本发明芯片接合薄膜，用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件，其中，至少由第一胶粘剂层和第二胶粘剂层层叠而形成，所述第一胶粘剂层在压接时可以将所述焊线的一部分埋没而使其通过所述第一胶粘剂层的内部，所述第二胶粘剂层用于防止所述另一个半导体元件与焊线接触。

公开(公告)号：CN102265388A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152612.X

申请日：2009-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  高本尚英 ,  大西谦司

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L23/3121 ,  C08L33/08 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/22 ,  C09J7/10 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/296 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/20752

Abstract: 本发明的目的在于提供兼具半导体装置的制造所需的储能模量和高胶粘力的热固型芯片接合薄膜以及具有该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固型芯片接合薄膜，在半导体装置的制造时使用，其中，至少含有环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸类共聚物及填料，80℃～140℃下的热固化前的储能模量在10kPa～10MPa的范围内，175℃下的热固化前的储能模量在0.1MPa～3MPa的范围内。

公开(公告)号：CN105047597A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510142857.1

申请日：2010-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/67132 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。

公开(公告)号：CN114763455A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111576736.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  水野浩二 ,  田中俊平 ,  林美希

IPC: C09J7/38 ,  C09J7/29 ,  C09J133/08 ,  C09J9/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种半导体元件保护用压敏粘合片，其适当地保护半导体晶片而不会减少收率。半导体元件保护用压敏粘合片包括：压敏粘合剂层；和基材。该压敏粘合剂层的表面电阻率为1.0×1011Ω/□以下。在半导体元件保护用压敏粘合片的压敏粘合剂层和硅晶片彼此贴合、在50℃下静置24小时、并且剥离半导体元件保护用压敏粘合片之后，相对于硅晶片的贴合至该压敏粘合剂层的表面的全部元素含量，卤素元素比例为0.3原子％以下。

公开(公告)号：CN105047597B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201510142857.1

申请日：2010-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/67132 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。

公开(公告)号：CN101924056A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010204850.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  高本尚英

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/67132 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。

公开(公告)号：CN113214756B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202110073871.6

申请日：2021-01-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  林美希

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种对被粘物表面的污染性低的紫外线固化型粘合片。本发明的紫外线固化型粘合片具有基材和粘合剂层。该紫外线固化型粘合片中，在紫外线照射试验后将该紫外线固化型粘合片剥离后的硅晶圆的贴合粘合剂层的面的粒径小于1.5μm的颗粒数少于100个。

公开(公告)号：CN113214756A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110073871.6

申请日：2021-01-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  林美希

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种对被粘物表面的污染性低的紫外线固化型粘合片。本发明的紫外线固化型粘合片具有基材和粘合剂层。该紫外线固化型粘合片中，在紫外线照射试验后将该紫外线固化型粘合片剥离后的硅晶圆的贴合粘合剂层的面的粒径小于1.5μm的颗粒数少于100个。

公开(公告)号：CN102010677B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201010275922.5

申请日：2010-09-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  田中俊平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  井上刚一

IPC: C09J7/02 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜适合通过拉伸张力而断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜，用于将半导体芯片固着到被粘物上，至少具有胶粘剂层，其中，在热固化前室温下单位面积的断裂能为1J/mm2以下，并且断裂伸长率为40％以上且500％以下。

公开(公告)号：CN103205209A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310007780.8

申请日：2013-01-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  土生刚志 ,  龟井胜利 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J123/14 ,  C09J123/20

Abstract: 本发明提供一种粘合带，其可以抑制晶圆磨削加工时产生裂纹、缺口。本发明的粘合带（100）具备在20℃的拉伸弹性模量为1.5N/mm2以上且100N/mm2以下的粘合剂层（10）。粘合剂层（10）优选由含有无定形丙烯-（1-丁烯）共聚物的树脂组合物形成。