公开(公告)号：CN1269198C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN01816599.0

申请日：2001-09-28

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 蔵渕和彦 ,  铃木直也 ,  安田雅昭 ,  河田达男 ,  酒井裕行 ,  川澄雅夫

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/28 ,  C08L63/02 ,  C08K3/00

CPC分类号： H01L23/3107 ,  C08G59/302 ,  C08L63/00 ,  H01L23/293 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，具备：具有芯片焊接底板和内引线的引线框架，通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片，和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时，固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3)：σe≤0.2×σb 式(1)；Ui≥2.0×10-6×σei 式(2)；Ud≥4.69×10-6×σed 式(3)；其中，σe＝(1/log(Kd1))×Ee1×(αm-αe1)×ΔT1式(4)；σei＝Ee2×(αe2-αm)×ΔT2式(5)；σed＝log(Kd2)×Ee2×(αe2-＝m)×ΔT2式(6)。Kd1：25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)在1MPa＜Edl≤300MPa时，相对于弹性系数1MPa的比，Kd2：焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)在1MPa＜Ed2≤70MPa时，相对于弹性系数1MPa的比，Ee1：25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)，Ee2：焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)，αe1：由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)，αe2：由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)，αm：引线框架的热膨胀系数(1/℃)，ΔT1：半导体装置的成形温度与抗温度周期性试验时的低温侧温度的差(℃)，ΔT2：半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。

公开(公告)号：CN1466774A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN01816599.0

申请日：2001-09-28

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 蔵渕和彦 ,  铃木直也 ,  安田雅昭 ,  河田达男 ,  酒井裕行 ,  川澄雅夫

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/28 ,  C08L63/02 ,  C08K3/00

CPC分类号： H01L23/3107 ,  C08G59/302 ,  C08L63/00 ,  H01L23/293 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，具备：具有芯片焊接底板和内引线的引线框架，通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片，和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时，固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3)：σe≤0.2×σb式(1)、Ui≥2.0×10－6×σei式(2)、Ud≥4.69×10－6×σed式(3)。其中，σe＝(1/log(Kd1))×Ee1×(αm－αe1)×ΔT1式(4)、σei＝Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(5)、σed＝log(Kd2)×Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(6)。Kd1：25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed1＞1MPa)；Kd2：焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed2＞1MPa)；Ee1：25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；Ee2：焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；αe1：由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αe2：由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αm：引线框架的热膨胀系数(1/℃)；ΔT1：半导体装置的成形温度与温度循环时的低温侧温度的差(℃)；ΔT2：半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。