发光二极管芯片、制法及封装方法

    公开(公告)号:CN102820411A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201210312384.1

    申请日:2009-02-19

    发明人: 高志强

    IPC分类号: H01L33/48 H01L33/62 H01L33/60

    摘要: 一种发光二极管芯片的封装方法,步骤包含:形成一保护层于一封装载板上;图案化该保护层,以形成一贯穿该保护层之穿孔;蚀刻该封装载板,形成一开口大于该穿孔之凹槽,使相邻该穿孔之部分该保护层凸伸于该凹槽中;形成一金属层于该保护层及该凹槽上,其中该凹槽与该保护层相邻处未被覆金属层;移除该保护层及位于该保护层上的金属层,形成一位于该凹槽中的反射杯;及固设一发光二极管芯片于该凹槽中的反射杯中。本发明将芯片设于凹槽状的金属反射杯中,并自芯片二电极单元以金属化制程在封装体表面形成裸露电极,而不需使用打线制程,除可减少因断线造成的不良率,提升封装可靠度,还可改善芯片的散热性能,并使下游应用端的组装程序更加简便。