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公开(公告)号:CN101727975B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN200810169253.6
申请日:2008-10-10
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
发明人: 龙翔澜 , 蓝中弘 , 马修·J·布雷杜斯克
IPC分类号: G11C16/02 , H01L27/115
摘要: 本发明公开了一种具有二极管结构的可编程电阻存储器,是有关于一种可编程电阻存储单元,其可由半导体二极管结构存取。亦揭露具有可编程电阻元件的此类二极管结构的制造方法及集成电路。
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公开(公告)号:CN102629662A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201210022861.0
申请日:2012-01-10
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
发明人: 马修·J·布雷杜斯克 , 陈介方 , 陈士弘 , 艾瑞克·A·约瑟 , 林仲汉 , 麦可·F·罗弗洛 , 龙翔澜 , 亚历桑德罗·G·史克鲁特 , 杨敏
IPC分类号: H01L45/00
CPC分类号: H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要: 本发明公开了一种形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法。其中,形成与相变材料对齐的位线的方法,包括于下电极的部分形成牺牲材料的基座以及形成相邻于牺牲材料的至少一介电材料,其中至少一介电材料具有一上表面,其实质地与牺牲材料基座的上表面共面。对至少一介电材料以及下电极具选择性地移除牺牲材料的基座以对下电极的露出表面提供开口。于下电极的露出表面上形成相变材料,并且将开口以导电填充材料填充。亦提供自对准回蚀程序。
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公开(公告)号:CN102244194B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201010504900.1
申请日:2010-10-09
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
发明人: 龙翔澜 , 马修·J·布雷杜斯克 , 林仲汉
CPC分类号: H01L45/1666 , H01L27/2409 , H01L27/2454 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1691
摘要: 本发明公开了一种自动对准的鳍型可编程存储单元,该存储单元具有一底电极与一存取装置电性耦接、一顶电极及一L形存储材料元件与底电极和顶电极电性耦接。一种存储阵列包括由上述存储单元构成的阵列,其与存取装置阵列电性耦接。本发明的再一目的为提供一种制造一具有上述存储单元的存储阵列的方法。
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公开(公告)号:CN102629661A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201210021915.1
申请日:2012-01-31
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号: H01L47/00 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/06 , H01L27/24 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要: 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法,以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体,或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层,使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物,溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间,在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
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公开(公告)号:CN101937970A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN201010214596.7
申请日:2010-06-25
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号: H01L45/1625 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1641
摘要: 本发明公开了一种具有一个或多个非定值掺杂浓度分布的相变化存储器,其包含一具有例如是硫属化物GST的相变化材料主体及一个或多个添加物的存储元件,其中添加物具有一沿着通过存储元件的电极间电流路径非定值添加浓度分布。此处的名词″非定值″添加物浓度分布的使用可以根据不同的结晶性、热性和电性以及相变化转变等条件而在不同区域中掺杂不同的材料或浓度。
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公开(公告)号:CN102629661B
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201210021915.1
申请日:2012-01-31
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号: H01L47/00 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/06 , H01L27/24 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要: 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法,以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体,或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层,使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物,溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间,在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
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公开(公告)号:CN101937970B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201010214596.7
申请日:2010-06-25
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号: H01L45/1625 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1641
摘要: 本发明公开了一种具有一个或多个非定值掺杂浓度分布的相变化存储器,其包含一具有例如是硫属化物GST的相变化材料主体及一个或多个添加物的存储元件,其中添加物具有一沿着通过存储元件的电极间电流路径非定值添加浓度分布。此处的名词″非定值″添加物浓度分布的使用可以根据不同的结晶性、热性和电性以及相变化转变等条件而在不同区域中掺杂不同的材料或浓度。
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公开(公告)号:CN101714609B
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN200910171386.1
申请日:2009-08-31
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要: 本发明公开了一种硫属材料型存储装置及其制造方法,将利用掺杂氧化硅的硫属材料予以说明。形成具有接触表面的第一电极;形成有一部分与第一电极的接触表面接触的多结晶状态的相变存储器材料主体;以及形成与相变存储器材料主体接触的第二电极。上述工艺包括熔解及冷却相变存储器材料主体的主动区内的相变存储器材料一次或多次,但不干扰主动区外部的多结晶状态。结果主动区的氧化硅网格具有至少一个硫属材料的区域。并且,主动区外部的多结晶状态的相变材料是小晶粒尺寸,因而获得更均匀的结构。
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公开(公告)号:CN101958147B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201010214001.8
申请日:2010-06-25
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
IPC分类号: G11C11/56
CPC分类号: G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/70 , G11C2213/79
摘要: 本发明是揭露一种相变化存储装置及其操作方法。此处所描述的相变化存储装置及其操作方法是根据以下发现而提出,施加一初始高电流操作于一相变化存储单元以建立高电阻复位状态之后,可以使用在不同的偏压电压下此存储单元的电流电压行为来检测此存储单元是否为一具有不良数据保存特性的瑕疵存储单元。
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公开(公告)号:CN102891252A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201210112127.3
申请日:2012-04-17
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
发明人: 郑怀瑜 , 龙翔澜 , 施彦豪 , 西蒙·拉梧 , 马修·J·布雷杜斯克
IPC分类号: H01L45/00
CPC分类号: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要: 本发明是关于一种相变材料,包括GexSbyTez,其中Ge(锗)的原子浓度x介于30%~65%的范围之间,Sb(锑)的原子浓度y介于13%~27%的范围之间,以及Te(碲)的原子浓度z介于20%~45%的范围之间。此材料的富含锗族也描述于此。一种包括此材料、适于整合电路的存储器装置也描述于此。该GST-212族的相变存储器材料具有比GST-225相变存储器材料较高的结晶温度。
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