公开(公告)号：CN102460639A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080035284.8

申请日：2010-05-30

申请人： 普瑞光电股份有限公司

发明人： 林朝坤

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种薄膜LED包括绝缘基板、所述绝缘基板上的电极、以及所述电极上的外延结构。

公开(公告)号：CN101552316A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910138745.3

申请日：2009-03-31

申请人： 普瑞光电股份有限公司

发明人： 林朝坤

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0079

摘要： 一种具有图案化电流阻挡金属接触的发光二极管，所述发光二极管包括：外延层构造；形成在所述外延层构造上的第一电极；以及形成在所述外延层构造上的第二电极。所述第一电极具有图案，而所述第二电极具有与所述第一电极的图案相对准的部分。所述第二电极的所述部分形成与所述外延层的构造的非欧姆接触。所述二极管具有良好的电能到光的转化效率。

公开(公告)号：CN102150272A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980110389.2

申请日：2009-03-27

申请人： 普瑞光电股份有限公司

发明人： 林朝坤 ,  刘恒

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种发光二极管包括外延层结构、第一电极、以及第二电极。第一电极和第二电极分开设置在外延层结构上，外延层结构在形成有第一电极的表面上的均方根粗糙度小于大约3。

公开(公告)号：CN101901857A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910167299.9

申请日：2009-09-02

申请人： 普瑞光电股份有限公司

发明人： 史蒂芬·D·列斯特 ,  林朝坤

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/06

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42

摘要： 本发明涉及具有改进电极构造的发光设备，所述设备包括：第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极图案层；以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。本发明实施例提供的具有改进电极构造的发光设备中的改进电极构造与相对较薄的透明导电氧化物层一起可以增大发光设备的发光效率。

公开(公告)号：CN101884088A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880111244.X

申请日：2008-09-17

申请人： 普瑞光电股份有限公司 ,  国立中兴大学

发明人： 洪瑞华 ,  武东星 ,  黄少华 ,  谢创宇 ,  林朝坤

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 本发明提供一种具有高的光抽取的发光二极管芯片，其包括基板、用于通过光电效应生成光的外延层结构、夹在基板和外延层结构之间的透明反射层、和用于向外延层结构提供电源的一对电极。对外延层结构的底面和顶面进行粗糙化以具有不小于100nm均方根(rms)的粗糙度。因此，有效地抽取出由外延层结构生成的光。不大于5μm rms的透明反射层形成为基板和外延层结构之间的界面。更有效地向上反射朝向基板的光。从而提高光抽取和亮度。本发明还提供了用于制造本发明的发光二极管芯片的方法。