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公开(公告)号：CN116970925A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310720841.9
申请日：2020-01-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔 , 帕特里克·范克利蒙布特 , 塞沙萨耶·瓦拉达拉简
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/56 , C23C16/30 , C23C16/06
摘要： 本文提供用于逻辑及存储器应用的低电阻金属化堆叠结构及相关制造方法。在一些实施方案中，在沉积薄金属氮氧化物或金属氮化物成核层，之后进行纯金属导体的沉积。成核层为非晶形的，其使得大型纯金属膜晶粒生长模板化并降低电阻率。此外，以下描述的方法的一些实施方案将大部分或全部的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低电阻率。
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公开(公告)号：CN110731003B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201880038116.0
申请日：2018-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN113366144B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202080011300.3
申请日：2020-01-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔 , 帕特里克·范克利蒙布特 , 塞沙萨耶·瓦拉达拉简
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/30
摘要： 本文提供用于逻辑及存储器应用的低电阻金属化堆叠结构及相关制造方法。在一些实施方案中，在沉积薄金属氮氧化物或金属氮化物成核层，之后进行纯金属导体的沉积。成核层为非晶形的，其使得大型纯金属膜晶粒生长模板化并降低电阻率。此外，以下描述的方法的一些实施方案将大部分或全部的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低电阻率。
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公开(公告)号：CN118366851A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410253150.7
申请日：2018-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN115769343A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202280005186.2
申请日：2022-02-18
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 劳伦斯·施洛斯 , 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔 , 李尚孝 , 帕特里克·范克利蒙布特 , 桑杰·戈皮纳特
IPC分类号： H01L21/285
摘要： 本文提供了用于3D‑NAND应用的低电阻金属化堆叠件结构和相关制造方法。在一些实施方案中，薄金属氮氧化物成核层沉积在电介质材料上，随后使用增加氮氧化物‑电介质界面处的非钼组分元素含量的工艺条件沉积纯金属导体。下面描述的方法的某些实施方案将少于所有的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低了电阻率。
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公开(公告)号：CN110731003A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880038116.0
申请日：2018-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/285 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN118366852A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410253185.0
申请日：2018-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN113366144A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011300.3
申请日：2020-01-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔 , 帕特里克·范克利蒙布特 , 塞沙萨耶·瓦拉达拉简
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/30
摘要： 本文提供用于逻辑及存储器应用的低电阻金属化堆叠结构及相关制造方法。在一些实施方案中，在沉积薄金属氮氧化物或金属氮化物成核层，之后进行纯金属导体的沉积。成核层为非晶形的，其使得大型纯金属膜晶粒生长模板化并降低电阻率。此外，以下描述的方法的一些实施方案将大部分或全部的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低电阻率。
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公开(公告)号：CN112218975A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980038073.0
申请日：2019-06-06
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 戈鲁恩·布泰尔 , 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔
摘要： 提供了处理衬底表面以减少可能在后续操作中产生或提供的物质扩散的方法。根据多种实施方案，衬底表面可以是例如氧化物表面或金属或金属化合物膜，并且可以是在形貌特征中的覆盖膜或衬里膜的表面。处理表面的示例可包括暴露于一种或多种化学物质和/或热退火。在一些实施方案中，该处理增大了膜表面的晶界的粗糙度。这可以减小可用于扩散的空间，并增大穿过膜的扩散路径的曲折度。在一些实施方案中，处理可涉及形成化合物分子，例如，氧化含有金属的薄膜而形成氧化物。经处理的表面不易于让物质(例如卤素物质)扩散。
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