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公开(公告)号:CN106033752B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201510120701.3
申请日:2015-03-19
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488
CPC分类号: H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 本发明涉及一种半导体封装结构,其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入,且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片,且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。
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公开(公告)号:CN106847762A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201611025660.0
申请日:2016-11-16
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/488
CPC分类号: H01L23/5223 , H01L21/4846 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1403 , H01L2224/14104 , H01L2224/14166 , H01L2224/16238 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/31 , H01L23/488
摘要: 公开了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括:基底;去耦电容器,设置在基底上;第一连接焊盘,与去耦电容器竖直地叠置;钝化层,暴露第一连接焊盘的一部分;以及第一焊料凸块,设置在第一连接焊盘上并覆盖钝化层的顶表面的一部分。
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公开(公告)号:CN103681563B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201310263301.9
申请日:2013-06-27
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488
CPC分类号: H01L24/05 , H01L21/56 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76871 , H01L21/76883 , H01L21/76897 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种器件,包括金属焊盘和钝化层,其中该钝化层包括与金属焊盘的边缘部分重叠的部分。后钝化互连件(PPI)包括位于钝化层上方的迹线部分以及连接至迹线部分的焊盘部分。聚合物层包括位于PPI上方的上部分,和延伸至PPI的焊盘部分中并且被PPI的焊盘部分环绕的插塞部分。本发明还公开了集成电路中具有开口的金属焊盘。
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公开(公告)号:CN102637608B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201210029757.4
申请日:2012-02-10
申请人: 新科金朋有限公司
IPC分类号: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3157 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/04 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/0613 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13021 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14104 , H01L2224/16111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/24137 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/82005 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2224/11 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/13015 , H01L2224/81
摘要: 本发明涉及半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法。一种半导体器件具有临时载体。半导体管芯以有源表面面向临时载体并被安装到临时载体。沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂,并且所述密封剂被沉积在半导体管芯的背面上。临时载体被除去。在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分被除去以在密封剂的第一表面中形成开口。互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并且延伸到密封剂层中的开口中。形成通路,并且该通路从密封剂的第二表面延伸到开口。第一凸块形成在通路中并且电连接到互连结构。
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公开(公告)号:CN103489844B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201210457335.7
申请日:2012-11-14
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/06 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06051 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/01023 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了封装半导体器件的方法和装置。公开了用于晶圆级封装(WLP)半导体器件的方法和装置。可以通过钝化后互连(PPI)线和PPI焊盘将电路的接触焊盘连接到焊料凸块。PPI焊盘可以包括中空部分和开口。PPI焊盘可以与PPI线作为一个整体一起形成。PPI焊盘的中空部分可以用于控制球安装工艺中所用的焊剂的量从而使得任何多余量的焊剂可以从PPI焊盘的实心部分的开口溢出。可以将焊料球直接安装到PPI焊盘而不使用如常规WLP封装件所需的任何凸块下金属(UBM)。
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公开(公告)号:CN103426856B
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201310184941.0
申请日:2013-05-17
申请人: 精材科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/5384 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L23/60 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/02331 , H01L2224/02371 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05617 , H01L2224/05624 , H01L2224/08147 , H01L2224/08148 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/10155 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L2221/68304 , H01L2224/0231 , H01L2224/11
摘要: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一第一基底;一第二基底,设置于该第一基底之上,其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层,且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫;一导电层,设置于该第二基底的该上半导体层之上,且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分;一开口,自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层;以及一保护层,设置于该上半导体层及该导电层之上,其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上,且不覆盖该开口中的该下半导体层。
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公开(公告)号:CN102986013B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201180032510.1
申请日:2011-04-28
申请人: 美敦力公司
CPC分类号: H01L24/81 , A61B5/00 , A61B5/0402 , A61N1/375 , H01L21/76898 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05111 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13007 , H01L2224/13016 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16111 , H01L2224/29111 , H01L2224/80896 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9205 , H01L2224/9212 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2224/80 , H01L2224/81 , H01L2924/01028 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/80001 , H01L2924/00012
摘要: 公开了一种可植入医疗设备(IMD)。该IMD包括第一衬底,第一衬底具有前侧和后侧。在前侧中形成第一通孔,该通孔从位于前侧的底部点延伸至位于前侧的表面处的第一高度。在第一通孔中形成第一导电垫,且第一导电垫具有低于第一高度的暴露的顶部表面。第二衬底耦合至第一衬底,第二衬底具有形成在前侧中的第二通孔,该通孔从前侧的底部点延伸至位于前侧表面的第二高度。在第二通孔中形成第二导电垫,且第二导电垫具有低于第二高度的暴露的顶部表面。被耦合的衬底被加热,直到一个或两个导电垫的一部分回流、反浸润、凝聚、并合并来形成互连、气密密封、或两者,这取决于设备的要求。
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公开(公告)号:CN103681563A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310263301.9
申请日:2013-06-27
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488
CPC分类号: H01L24/05 , H01L21/56 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76871 , H01L21/76883 , H01L21/76897 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种器件,包括金属焊盘和钝化层,其中该钝化层包括与金属焊盘的边缘部分重叠的部分。后钝化互连件(PPI)包括位于钝化层上方的迹线部分以及连接至迹线部分的焊盘部分。聚合物层包括位于PPI上方的上部分,和延伸至PPI的焊盘部分中并且被PPI的焊盘部分环绕的插塞部分。本发明还公开了集成电路中具有开口的金属焊盘。
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公开(公告)号:CN103489844A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201210457335.7
申请日:2012-11-14
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/06 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06051 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/01023 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了封装半导体器件的方法和装置。公开了用于晶圆级封装(WLP)半导体器件的方法和装置。可以通过钝化后互连(PPI)线和PPI焊盘将电路的接触焊盘连接到焊料凸块。PPI焊盘可以包括中空部分和开口。PPI焊盘可以与PPI线作为一个整体一起形成。PPI焊盘的中空部分可以用于控制球安装工艺中所用的焊剂的量从而使得任何多余量的焊剂可以从PPI焊盘的实心部分的开口溢出。可以将焊料球直接安装到PPI焊盘而不使用如常规WLP封装件所需的任何凸块下金属(UBM)。
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公开(公告)号:CN103201835A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201180042853.6
申请日:2011-07-07
申请人: 德塞拉股份有限公司
发明人: 贝勒卡西姆·哈巴
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/48 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/0612 , H01L2224/114 , H01L2224/11472 , H01L2224/116 , H01L2224/11901 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13021 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17515 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81893 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 封装的微电子元件(900),可包括具有正面(909)的微电子元件(902)和复数个从正面延伸的第一实心金属突柱(916)。基板(901)可具有主表面(906)和复数个在主表面暴露且与第一实心金属突柱(916)接合的导电元件(912)。在特定的示例中,导电元件(912)可为结合垫(992)或可为具有顶面(111)及以大角度从顶面向外延伸的边缘表面(113)的第二突柱(108)。每个第一实心金属突柱(916)可包括邻近微电子元件(902)的底部区域(36)及远离微电子元件的顶部区域(32),底部区域和顶部区域分别具有凹的外周面(46,44)。第一实心金属突柱(916)由多重蚀刻过程而形成,允许从单个金属层上形成单一的金属微触点或突柱,具有常规蚀刻过程中无法获得的间距、顶端直径和高度的组合。作为变例,从基板(921)顶面延伸的突柱(932)包括多重蚀刻的导电突柱,而从微电子元件(922)延伸的突柱(936)可为任意类型的导电突柱,或如另一变例,从基板(941)的顶面延伸的柱(952)及从微电子元件(942)的正面延伸的突柱(956)都包括多重蚀刻的导电突柱。
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