半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN105990473A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510854341.X

    申请日:2015-11-30

    Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了缺陷产生的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备:基板,具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面;绝缘层,设置在所述基板的所述第2面上;第1金属层,设置在所述绝缘层上;半导体发光部,设置在所述第1金属层上,且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层,且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层;以及第1电极层。所述第1电极层设置在所述基板的所述第1面,并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触,且电连接在所述第1金属层。

Patent Agency Ranking