-
公开(公告)号：CN100519480C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200480034414.0
申请日：2004-11-18
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/638 , C04B35/581 , C04B35/62675 , C04B35/6303 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , Y10T428/268
摘要： 本发明的高热导率氮化铝烧结体具有：220W/m·K或更大的热导率；和250MPa或更大的三点弯曲强度；其中Al2Y4O9(201平面)的X射线衍射强度与氮化铝(101平面)的X射线衍射强度(IAlN)之比是0.002-0.03。根据前述结构，可以提供一种具有高热导率和优异散热性的氮化铝烧结体。
-
公开(公告)号：CN103222047B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180055906.8
申请日：2011-11-17
发明人： 宫下公哉
CPC分类号： F28F21/04 , H01L23/3731 , H01L23/4006 , H01L23/433 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种用于压力接触结构的陶瓷热沉材料，该陶瓷热沉材料通过在陶瓷基板上提供树脂层而配置，其中，所述树脂层具有70或更小的计示（肖氏）硬度（A型），并且存在于所述陶瓷基板与所述树脂层之间的界面中的间隙的平均值是3μm或更小。此外，优选地，通过固化热固树脂来形成所述树脂层，所述热固树脂在60°C的温度流态化。由于以上结构，可以获得陶瓷热沉和使用热沉的半导体模块，其具有相对于挤压构件的良好的紧密接触特性。
-
公开(公告)号：CN104011852A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280063176.0
申请日：2012-12-20
CPC分类号： H05K1/09 , C04B37/026 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C04B2237/88 , H01L23/3735 , H01L29/1608 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/098 , H05K2201/09827 , Y10T428/24488 , H01L2924/00
摘要： 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。
-
公开(公告)号：CN104011852B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201280063176.0
申请日：2012-12-20
CPC分类号： H05K1/09 , C04B37/026 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C04B2237/88 , H01L23/3735 , H01L29/1608 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/098 , H05K2201/09827 , Y10T428/24488 , H01L2924/00
摘要： 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。
-
公开(公告)号：CN103222047A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055906.8
申请日：2011-11-17
发明人： 宫下公哉
CPC分类号： F28F21/04 , H01L23/3731 , H01L23/4006 , H01L23/433 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种用于压力接触结构的陶瓷热沉材料，该陶瓷热沉材料通过在陶瓷基板上提供树脂层而配置，其中，所述树脂层具有70或更小的计示（肖氏）硬度（A型），并且存在于所述陶瓷基板与所述树脂层之间的界面中的间隙的平均值是3μm或更小。此外，优选地，通过固化热固树脂来形成所述树脂层，所述热固树脂在60°C的温度流态化。由于以上结构，可以获得陶瓷热沉和使用热沉的半导体模块，其具有相对于挤压构件的良好的紧密接触特性。
-
公开(公告)号：CN1882517A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034414.0
申请日：2004-11-18
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/638 , C04B35/581 , C04B35/62675 , C04B35/6303 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , Y10T428/268
摘要： 本发明的高热导率氮化铝烧结体具有：220W/m·K或更大的热导率；和250MPa或更大的三点弯曲强度；其中Al2Y4O9(201平面)的X射线衍射强度()与氮化铝(101平面)的X射线衍射强度(IAlN)之比(/IAlN)是0.002－0.03。根据前述结构，可以提供一种具有高热导率和优异散热性的氮化铝烧结体。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.031 秒)
