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公开(公告)号：CN103107265B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210451064.4
申请日：2012-11-12
申请人： 株式会社小糸制作所 , 新光电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L2224/14 , H01L2933/0091
摘要： 本发明涉及一种能够实现发光效率的提高并抑制色相不均匀的发光装置，其包括：从出光面（2a）射出光的半导体发光元件（2）；和具有与半导体发光元件的出光面对置并使得从半导体发光元件射出的光射入的入射面（4）、将从入射面射入的光向外部射出的射出面（5）、和位于入射面与射出面之间的外周面（6）的波长转换层（3），波长转换层的外周部的至少一部分作为凸出的突状部（3a）设于外周面侧，突状部的外周面具有与入射面连续的第一倾斜部（6a）和与射出面连续的第二倾斜部（6b），波长转换层的外周面设有将从入射面射入的光反射的光反射层，光反射层上形成有与第一倾斜部相接的第一反射面（7a）和与第二倾斜部相接的第二反射面（7b）。
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公开(公告)号：CN102428582B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080021173.1
申请日：2010-03-11
申请人： 株式会社小糸制作所
IPC分类号： H01L33/50 , F21S8/10 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L33/504 , F21S41/147 , H01L33/505
摘要： 在发光模块(100)中，第一光波长转换部件(104)、第二光波长转换部件(106)及第三光波长转换部件(108)分别对半导体发光元件(88)发出的光的波长进行转换而射出波长范围各不相同的光。第一光波长转换部件(104)、第二光波长转换部件(106)及第三光波长转换部件(108)分别被形成为板状，并且被层叠以使得半导体发光元件(88)发出的光自波长转换后的光的平均波长较长的光波长转换部件起依次通过。
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公开(公告)号：CN102804420A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080028056.8
申请日：2010-05-24
申请人： 株式会社小糸制作所
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , Y02B20/181 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种发光模块(10)，其中，半导体发光元件(14)发出短波长可见光。半导体发光元件(14)在同一平面上并排设置多个。光波长转换部件(16)对半导体发光元件(14)所发出的光进行波长转换，以射出白色光。光波长转换部件(16)含有波长转换后所发光的波长范围与彼此的激发波长不同的第1荧光体和第2荧光体。第1荧光体激发短波长可见光而发出黄色光。第2荧光体激发短波长可见光而发出蓝色光。第1荧光体在激发波长范围内不包含蓝色光的波长范围。光波长转换部件(16)在被一体覆盖多个半导体发光元件(14)地浇注后被固化。
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公开(公告)号：CN103370394B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201280008901.4
申请日：2012-02-14
申请人： 株式会社小糸制作所
CPC分类号： C09K11/7734
摘要： 荧光体的制造方法，是由氧化物结晶构成的荧光体的制造方法，所述氧化物结晶以M1O3（M1为4价的金属元素）为主骨架，以卤素X（X是选自F、Cl、Br及I中的至少一种以上的元素）和2价的金属离子M2及Eu2+为必须，作为合成荧光体时的起始原料，使用由组成式NH4X表示的化合物。作为起始原料，至少使用由组成式NH4X表示的化合物即可。
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公开(公告)号：CN103370394A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008901.4
申请日：2012-02-14
申请人： 株式会社小糸制作所
CPC分类号： C09K11/7734
摘要： 荧光体的制造方法，是由氧化物结晶构成的荧光体的制造方法，所述氧化物结晶以M1O3（M1为4价的金属元素）为主骨架，以卤素X（X是选自F、Cl、Br及I中的至少一种以上的元素）和2价的金属离子M2及Eu2+为必须，作为合成荧光体时的起始原料，使用由组成式NH4X表示的化合物。作为起始原料，至少使用由组成式NH4X表示的化合物即可。
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公开(公告)号：CN102016396A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114226.1
申请日：2009-04-21
申请人： 株式会社小糸制作所
IPC分类号： F21S8/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V29/75 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/663 , F21S45/47 , F21V13/12 , F21V29/763 , F21Y2115/10
摘要： 光源模块(16)在车辆用灯具中使用。光源模块(16)具有以直线状排列配置的第1～第4半导体发光元件(20a～20d)。第1～第4半导体发光元件(20a～20d)电气地串联连接。位于两端内侧的第2半导体发光元件(20b)、第3半导体发光元件(20c)的发光面积形成为，与位于两端的第1半导体发光元件(20a)、第4半导体发光元件(20d)的发光面积相比较小。根据这种光源模块(16)，可以在形成适当的配光图案的同时降低电力消耗的损耗。
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公开(公告)号：CN104011884B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280064626.8
申请日：2012-12-17
申请人： 株式会社小糸制作所
IPC分类号： H01L33/00 , F21S8/10 , F21Y115/10
CPC分类号： F21S45/47 , F21S41/143
摘要： 用于车辆用灯具的发光模块(16)具有直线状配置的多个半导体发光元件。多个半导体发光元件包括：被配置在模块的两端侧，彼此串联连接的多个第1半导体发光元件(20a、20d)；以及被配置在模块的中央部、被构成得能比第1半导体发光元件提高发光时的亮度的1个以上的第2半导体发光元件(20c、20d)。第1半导体发光元件(20a、20d)和第2半导体发光元件(20b、20c)被并联连接。
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公开(公告)号：CN103107265A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210451064.4
申请日：2012-11-12
申请人： 株式会社小糸制作所 , 新光电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L2224/14 , H01L2933/0091
摘要： 本发明涉及一种能够实现发光效率的提高并抑制色相不均匀的发光装置，其包括：从出光面（2a）射出光的半导体发光元件（2）；和具有与半导体发光元件的出光面对置并使得从半导体发光元件射出的光射入的入射面（4）、将从入射面射入的光向外部射出的射出面（5）、和位于入射面与射出面之间的外周面（6）的波长转换层（3），波长转换层的外周部的至少一部分作为凸出的突状部（3a）设于外周面侧，突状部的外周面具有与入射面连续的第一倾斜部（6a）和与射出面连续的第二倾斜部（6b），波长转换层的外周面设有将从入射面射入的光反射的光反射层，光反射层上形成有与第一倾斜部相接的第一反射面（7a）和与第二倾斜部相接的第二反射面（7b）。
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公开(公告)号：CN102016396B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980114226.1
申请日：2009-04-21
申请人： 株式会社小糸制作所
IPC分类号： F21S8/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V29/75 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/663 , F21S45/47 , F21V13/12 , F21V29/763 , F21Y2115/10
摘要： 光源模块(16)在车辆用灯具中使用。光源模块(16)具有以直线状排列配置的第1～第4半导体发光元件(20a～20d)。第1～第4半导体发光元件(20a～20d)电气地串联连接。位于两端内侧的第2半导体发光元件(20b)、第3半导体发光元件(20c)的发光面积形成为，与位于两端的第1半导体发光元件(20a)、第4半导体发光元件(20d)的发光面积相比较小。根据这种光源模块(16)，可以在形成适当的配光图案的同时降低电力消耗的损耗。
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公开(公告)号：CN102666782B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201080058464.8
申请日：2010-11-19
申请人： 株式会社小糸制作所
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/7734 , C09K11/7739 , H01L33/502 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012
摘要： 荧光体由通式(M2x,M3y,M4z)mM1O3X(2/n)表示(这里，M1表示选自Si、Ge、Ti、Zr和Sn中的至少含有Si的1种以上的元素，M2表示选自Ca、Mg、Cd、Co和Zn中的至少含有Ca的1种以上的元素，M3表示选自Sr、Ra、Ba和Pb中的至少含有Sr的1种以上的元素，X表示至少1种卤素，M4表示选自稀土元素和Mn中的至少含有Eu2+的1种以上的元素。另外，m的范围是1≤m≤4/3、n的范围是5≤n≤7。此外，x、y、z的范围满足x＋y＋z＝1、0.45≤x≤0.8、0.05≤y≤0.45、0.03≤z≤0.35。)。
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