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公开(公告)号：CN100477105C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200480007523.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , H01F19/08 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。
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公开(公告)号：CN101985747A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010243656.8
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。
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公开(公告)号：CN100459028C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03109343.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气咀2，该气咀2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气咀孔4；将由气咀2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。
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公开(公告)号：CN1789488A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118667.2
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/448 , C23C16/513 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。
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公开(公告)号：CN101435074B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200810179581.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101435074A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810179581.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。
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公开(公告)号：CN100480421C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510118667.2
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/448 , C23C16/513 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。
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公开(公告)号：CN1789489A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118668.7
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：收容多层配置的基板的反应室；多个缓冲室；将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部；上述多个缓冲室分别具有沿上述基板的多层配置方向设置的多个供气口；将由上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体从上述多个供气口分别提供给上述反应室，在上述多个缓冲室中的一个缓冲室内设置有活性化上述用于处理基板的气体的电极，而其它缓冲室不设置活性化上述用于处理基板的气体的电极。
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公开(公告)号：CN1762044A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007523.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , H01F19/08 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。
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公开(公告)号：CN1455434A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03109343.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气嘴2，该气嘴2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气嘴孔4；将由气嘴2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。
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