公开(公告)号：CN102738261B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210104813.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  宫博信

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制的腔室相比易于加工的炉体。另外，本发明提供了与石英制的腔室相比易于加工的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围反应管的方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成。

公开(公告)号：CN101620993B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910136936.6

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 森谷敦 ,  井之口泰启 ,  国井泰夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置，其能够确保成膜速度且膜厚难以变得不均匀。该方法包括：将多个Si晶片(300)送入处理室(201)内并积层收容的第一工序；加热Si晶片(300)且将第一气体供给到处理室(201)，成膜所期望的厚度的第一非晶质硅膜的第二工序；加热基板(301)且将与第一气体不同的第二气体供给到处理室(201)内，成膜所期望的厚度的第二非晶质硅膜的第三工序，以使第一气体为比所述第二气体高级次的气体的方式对Si晶片(300)进行处理。

公开(公告)号：CN101620993A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910136936.6

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 森谷敦 ,  井之口泰启 ,  国井泰夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置，其能够确保成膜速度且膜厚难以变得不均匀。该方法包括：将多个Si晶片(300)送入处理室(201)内并积层收容的第一工序；加热Si晶片(300)且将第一气体供给到处理室(201)，成膜所期望的厚度的第一非晶质硅膜的第二工序；加热基板(301)且将与第一气体不同的第二气体供给到处理室(201)内，成膜所期望的厚度的第二非晶质硅膜的第三工序，以使第一气体为比所述第二气体高级次的气体的方式对Si晶片(300)进行处理。

公开(公告)号：CN101764049A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910260889.6

申请日：2009-12-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 石桥清久 ,  池田文秀 ,  上野正昭 ,  前田孝浩 ,  井之口泰启 ,  国井泰夫 ,  柳川秀宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。能够抑制向基板背面的成膜且能够在多张基板的表面上成批地形成所期望的膜。其具有：反应容器，在内部对基板进行处理；支承体，在使上表面露出的水平状态下将基板收纳在凹部中，并由导电性材料形成为板状；支承体保持体，将至少所述支承体水平保持成多层；感应加热装置，在所述反应容器内对至少保持在所述支承体保持体上的所述支承体进行感应加热。由此，能够抑制向基板背面的成膜且能够在多张基板的表面上成批地形成所期望的膜。

公开(公告)号：CN1789489A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118668.7

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：收容多层配置的基板的反应室；多个缓冲室；将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部；上述多个缓冲室分别具有沿上述基板的多层配置方向设置的多个供气口；将由上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体从上述多个供气口分别提供给上述反应室，在上述多个缓冲室中的一个缓冲室内设置有活性化上述用于处理基板的气体的电极，而其它缓冲室不设置活性化上述用于处理基板的气体的电极。

公开(公告)号：CN1455434A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03109343.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气嘴2，该气嘴2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气嘴孔4；将由气嘴2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。

公开(公告)号：CN101435074B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200810179581.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。

公开(公告)号：CN101435074A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810179581.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。

公开(公告)号：CN100480421C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510118667.2

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。

公开(公告)号：CN104160480A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280065144.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 吉田秀成 ,  国井泰夫 ,  西谷英辅 ,  平野光浩 ,  谷山智志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67754 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 提高衬底的加热效率而谋求衬底的升温时间的缩短。衬底处理装置包括：由筒状的反应管(100)和密封盖(110)气密地构成的处理室(30)；设于反应管(100)周围的作为加热器的炉体加热部(200)；配置在处理室(30)内，且收纳多个玻璃衬底(20)的晶片盒(410)；设于反应管(100)内部的被封闭的一侧部的电动风扇(500)；以及圆筒形的整流板(430)，其在处理室(30)内将在晶片盒(410)上竖立配置的多个玻璃衬底(20)中的配置在最外部位置的玻璃衬底(20)的表面覆盖，且控制成使得朝向电动风扇(500)的扇叶部(510)的气流(Q)沿着反应管(100)的内周面(100a)流动。