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公开(公告)号：CN112737528B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202011093613.6
申请日：2020-10-13
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 祐森义明
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 提供一种功率放大模块及功率放大方法，能够充分地发挥具有以两个动作模式动作的功能的功率放大模块的两个动作模式的各个动作模式中的特性。放大晶体管以特性不同的两个动作模式动作。包括第一偏置供给晶体管的第一偏置电路将第一偏置供给晶体管的输出电流作为偏置电流供给到放大晶体管。包括第二偏置供给晶体管的第二偏置电路将第二偏置供给晶体管的输出电流的一部分作为偏置电流供给到放大晶体管。通过向偏置控制端子输入的偏置控制信号，根据放大晶体管的动作模式，选择第一偏置电路及第二偏置电路中的至少一方使其动作。第二偏置电路包括将第二偏置供给晶体管的输出电流的一部分向第二偏置电路返回的电流路径。
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公开(公告)号：CN117378140A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037405.5
申请日：2022-05-31
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03F1/02
摘要： 高频模块(1)具备模块基板(60)、载波放大器(11)和峰值放大器(12)、变压器(20)以及相位调整电路(35)，载波放大器(11)和峰值放大器(12)包括在半导体IC(10)中，输入侧线圈(201)的一端与载波放大器(11)的输出端连接，输出侧线圈(202)与信号输出端子(200)连接，相位调整电路(35)具有传输线路(31和32)、以及电容器(33)，传输线路(31)的一端与峰值放大器(12)的输出端连接，传输线路(31)的另一端与传输线路(32)的一端连接，传输线路(32)的另一端与输入侧线圈(201)的另一端连接，电容器(33)的一端与传输线路(31)的另一端连接，电容器(33)的另一端与地连接，电容器(33)包括在半导体IC(10)中。
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公开(公告)号：CN111490738B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010063855.4
申请日：2020-01-20
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明提供一种功率放大器，该功率放大器能够获得高输出功率，并且能够抑制在获得低输出功率的情况下产生的效率的下降。功率放大器(1)具备：放大电路组(10)，其包括多个放大电路(101～106)；分配电路(11)，其将输入信号分配给所述多个放大电路中的各放大电路；以及合成电路(12)，其将所述多个放大电路的输出信号合成，其中，多个放大电路(101～106)中的各放大电路具有放大晶体管(20)和偏置电路(31～33)，该放大晶体管(20)包括尺寸互不相同的多个单元晶体管(21～23)，各个偏置电路(31～33)用于向各个单元晶体管(21～23)供给偏置电流。
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公开(公告)号：CN116964739A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280018262.3
申请日：2022-02-28
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 提供能够提高功率放大器的散热性的高频模块。高频模块(1)具备安装基板(30)、功率放大器(11)以及连接部件(172)。安装基板(30)具有相互对置的第一主面(30a)以及第二主面(30b)。功率放大器(11)配置于安装基板(30)的第二主面(30b)。连接部件(172)能够与外部基板(40)连接。功率放大器(11)具备基材(111)、晶体管(11a)以及贯通导通孔(113)。基材(111)具有相互对置的第三主面(111a)以及第四主面(111b)，第三主面(111a)配置在第二主面(30b)与第四主面(111b)之间。晶体管(11a)配置于基材(111)的第三主面(111a)。贯通导通孔(113)设置在第三主面(111a)与第四主面(111b)之间。贯通导通孔(113)与连接部件(172)连接。
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公开(公告)号：CN117413459A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280039154.4
申请日：2022-05-31
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03F1/02
摘要： 高频电路(1)具备：载波放大器(11)和峰值放大器(12)；变压器(20)；以及阻抗变换电路(30)，其中，输入侧线圈(201)的一端与载波放大器(11)的输出端子连接，输出侧线圈(202)的一端与信号输出端子(200)连接，阻抗变换电路(30)具有主线路(301)和副线路(302)，主线路(301)的一端(31a)与峰值放大器(12)的输出端子连接，主线路(301)的另一端(31b)与输入侧线圈(201)的另一端连接，副线路(302)的一端(32b)与主线路(301)的一端(31a)连接，副线路(302)的另一端(32a)与地连接，主线路(301)的从一端(31a)去向另一端(31b)的第一方向与副线路(302)的从另一端(32a)去向一端(32b)的第二方向相同。
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公开(公告)号：CN110868233B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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公开(公告)号：CN110830054A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910729614.6
申请日：2019-08-08
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供散热性提高的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)；凸块电极(13)，其与发送功率放大器(11)的主面连接，且在俯视该主面的情况下为长条形状；以及安装基板(90)，其安装发送功率放大器(11)，安装基板(90)具有在上述俯视时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)与导通孔导体(91)在上述俯视时，长边方向彼此一致，并且，在上述俯视时至少在该长边方向较长的、凸块电极(13)与导通孔导体(91)的重复区域连接。
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公开(公告)号：CN112491370B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010925740.1
申请日：2020-09-04
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明的课题在于，在确保功率放大电路的2个功率放大路径的隔离度的同时，减少功率损耗。功率放大电路包括：第1路径以及第2路径，设置在输入端子与输出端子之间；第1放大器，设置于第1路径，在第1模式的情况下成为工作状态；第2放大器，设置于第2路径，在第2模式的情况下成为工作状态；第1匹配电路，在第1路径中，设置在第1放大器与输出端子之间；第1电容器，一端与第1匹配电路的输出端子侧连接；第1电感器，一端与第1电容器的另一端连接，另一端接地；和短路开关，与第1电感器并联地设置，短路开关在第1模式的情况下将第1电感器的两端短路，在第2模式的情况下成为开路状态。
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公开(公告)号：CN115211030A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202080098048.4
申请日：2020-11-09
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 抑制流过末级放大器的晶体管的电流。功率放大电路(10)具备驱动级放大器(1)、末级放大器(3)、电源端子(T3)、第一电压控制电路(4)以及第二电压控制电路(5)。驱动级放大器(1)包括具有第一输入端子(11)、第一输出端子(12)以及第一接地端子(13)的第一晶体管(Q1)。末级放大器(3)包括具有第二输入端子(31)、第二输出端子(32)以及第二接地端子(33)的第二晶体管(Q3)。第一电压控制电路(4)连接于电源端子(T3)与第一输出端子(12)之间，控制对第一晶体管(Q1)施加的第一电源电压。第二电压控制电路(5)连接于电源端子(T3)与第二输出端子(32)之间，控制对第二晶体管(Q3)施加的第二电源电压。
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