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公开(公告)号：CN116601756A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079660.1
申请日：2021-11-15
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01L23/00
摘要： 集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
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公开(公告)号：CN110324007A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910244797.2
申请日：2019-03-28
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 提供一种功率放大电路。功率放大电路(1)具备：放大晶体管(20)；可变电压电源(21)，其向放大晶体管(20)的集电极提供可变电压(Vcc2)；偏置电路(22)，其具有向放大晶体管(20)的基极输出直流偏置电流的恒流放大晶体管(220)；以及电流限制电路(23)，其限制直流偏置电流，其中，电流限制电路(23)具有：电流限制晶体管(230)；电阻元件(232)，其与电流限制晶体管(230)的集电极及可变电压电源(11)连接；以及电阻元件(231)，其与电流限制晶体管(230)的基极及恒流放大晶体管(220)的基极连接。
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公开(公告)号：CN110868233B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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公开(公告)号：CN112039448A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010497097.7
申请日：2020-06-03
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 佐俣充则
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明提供一种在进行包络线跟踪控制来放大射频信号的情况下高效地对功率进行放大的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：晶体管(11)，在集电极被供给根据输入到基极的射频信号的振幅的包络线而变动的电源电压(Vcc)，从集电极输出射频信号被放大后的放大信号；第1终止电路(21)，设置在晶体管(11)的后级，使放大信号的高次谐波分量衰减；和第2终止电路(31)，设置在所述晶体管的后级，使放大信号的高次谐波分量衰减。第1终止电路(21)以及第2终止电路(31)具有如下特性，即，相对于具有二次谐波分量的频率与三次谐波分量的频率之间的频率的射频信号进行谐振。
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公开(公告)号：CN110830054A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910729614.6
申请日：2019-08-08
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供散热性提高的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)；凸块电极(13)，其与发送功率放大器(11)的主面连接，且在俯视该主面的情况下为长条形状；以及安装基板(90)，其安装发送功率放大器(11)，安装基板(90)具有在上述俯视时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)与导通孔导体(91)在上述俯视时，长边方向彼此一致，并且，在上述俯视时至少在该长边方向较长的、凸块电极(13)与导通孔导体(91)的重复区域连接。
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公开(公告)号：CN114696863B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111508545.X
申请日：2021-12-10
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。在模块基板安装有包含高频放大电路和频带选择开关的半导体装置。连接在高频放大电路与频带选择开关之间的输出匹配电路设置于模块基板。半导体装置包含：第一部件，形成有包含元素半导体系的半导体元件的频带选择开关；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。从第一部件以及第二部件突出多个导体突起。半导体装置经由多个导体突起安装于模块基板，在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，或者半导体装置和构成输出匹配电路的无源元件重叠。
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公开(公告)号：CN113054916B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202011532414.0
申请日：2020-12-22
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 佐俣充则
摘要： 提供一种能改善增益分散的特性的功率放大电路。具备：第1晶体管，具有被供给与可变电源电压相应的电压的第1端子和被供给RF信号的第2端子，放大RF信号；偏置电路，向第1晶体管的第2端子供给偏置电流或电压；调整电路，根据可变电源电压调整偏置电流或电压，偏置电路包含：第1二极管，在阳极被供给偏置控制电压或电流；第2二极管，阳极与第1二极管的阴极连接，阴极与接地连接；偏置晶体管，在第1端子被供给电源电压，第2端子与第1二极管的阳极连接，第3端子与第1晶体管的第2端子连接，调整电路包含：第1电阻器；调整晶体管，具有通过第1电阻器与电源端子连接的第1端子和与第1、第2二极管的阳极分别连接的第2、第3端子。
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公开(公告)号：CN115380470A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202180027303.0
申请日：2021-04-09
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03F1/44 , H01P5/02 , H03H7/075 , H03H7/38 , H03F1/02 , H03F1/56 , H03F3/191 , H03F3/24 , H03F3/60
摘要： 在功率放大装置中，实现高频功率放大电路的宽带动作。功率放大装置(100A)包括：功率放大电路(1)，放大高频输入信号；第一阻抗匹配电路(2)，对功率放大电路(1)的输出信号进行阻抗匹配；二次谐波终端电路(3)，设置在第一阻抗匹配电路(2)的输出侧，通过反射从第一阻抗匹配电路(2)输入的信号所包含的偶次谐波和奇次谐波的至少一部分，从而作为高频信号从输入端子输出，将包含基波、剩余的偶次谐波以及奇次谐波的高频信号从输出端子输出；以及滤波器(4)，设置在二次谐波终端电路(3)的后级，使偶次谐波和奇次谐波的至少一部分衰减，输出包含基波、剩余的偶次谐波以及奇次谐波的高频信号。
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公开(公告)号：CN114696863A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111508545.X
申请日：2021-12-10
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。在模块基板安装有包含高频放大电路和频带选择开关的半导体装置。连接在高频放大电路与频带选择开关之间的输出匹配电路设置于模块基板。半导体装置包含：第一部件，形成有包含元素半导体系的半导体元件的频带选择开关；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。从第一部件以及第二部件突出多个导体突起。半导体装置经由多个导体突起安装于模块基板，在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，或者半导体装置和构成输出匹配电路的无源元件重叠。
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