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公开(公告)号：CN102753502B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180008901.X
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供表现出高抗弯强度的多层陶瓷基板。作为构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷烧结体，使用下述陶瓷烧结体：包含石英、氧化铝、硅钛钡石、硅钡石和钡长石的各结晶相，用粉末X射线衍射分析法在衍射峰角度2θ＝10～40°的范围内测得的上述硅钛钡石的(201)面的衍射峰强度A与上述石英的(110)面的衍射峰强度B的关系为A/B≥2.5。较好是上述硅钛钡石结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。在用于获得这种陶瓷烧结体的烧成工序中，将最高温度设在980～1000℃的范围内。
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公开(公告)号：CN108029203A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053352.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 陶瓷多层基板(100)具备：陶瓷绝缘体层(CL)，包括第一层(1)、第二层(2)以及第三层(3)，且构成为第一层(1)夹在第二层(2)与第三层(3)之间；内部图案导体(4)；外部图案导体(5)；以及外部电极(6A、6B)。陶瓷绝缘体层(CL)夹在内部图案导体(4)与外部图案导体(5)之间。生片状态下的第二层(2)单体以及第三层(3)单体的烧结收缩开始温度为生片状态下的第一层(1)单体的烧结收缩结束温度以上。陶瓷绝缘体层(CL)的厚度为5.0μm以上且55.7μm以下。第二层(2)的厚度与第三层(3)的厚度的合计相对于第一层(1)的厚度的比为0.25以上且1.11以下。
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公开(公告)号：CN102753502A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008901.X
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供表现出高抗弯强度的多层陶瓷基板。作为构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷烧结体，使用下述陶瓷烧结体：包含石英、氧化铝、硅钛钡石、硅钡石和钡长石的各结晶相，用粉末X射线衍射分析法在衍射峰角度2θ＝10～40°的范围内测得的上述硅钛钡石的(201)面的衍射峰强度A与上述石英的(110)面的衍射峰强度B的关系为A/B≥2.5。较好是上述硅钛钡石结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。在用于获得这种陶瓷烧结体的烧成工序中，将最高温度设在980～1000℃的范围内。
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公开(公告)号：CN104519655A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410441246.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 胜部毅
CPC classification number: H05K3/4629 , H05K2201/0195 , H05K2201/068 , H05K2201/096 , H05K2201/09827 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K2201/09818 , H05K2203/1126
Abstract: 本发明涉及能抑制烧制时的收缩的陶瓷多层基板，使高密度地配置有端子的元器件的安装成为可能，且能确保与该元器件的连接强度，并且能防止来自外部的水分进入到其内部。在对多个绝缘层(2a～2d)进行层叠、烧制而成的陶瓷多层基板(1)中，最表层的绝缘层(2a)包括：陶瓷层(3b)；层叠在该陶瓷层(3b)上的收缩抑制层(3a)；以及表层通孔导体(4a)，该表层通孔导体(4a)贯通陶瓷层(3b)及收缩抑制层(3a)，且形成为随着接近下层侧其前端变细的锥状，从形成陶瓷多层基板(1)的表面的收缩抑制层(3a)露出的端面与安装在陶瓷多层基板(1)的表面上的元器件的端子直接相连接，将收缩抑制层(3a)中含有的氧化铝的重量比率设定得比陶瓷层(3b)要高。
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公开(公告)号：CN101784502B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880102216.1
申请日：2008-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , H05K1/024 , Y10T428/24926 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种不仅烧结后的组成的离差少、而且烧结体的弯曲强度高、在微波带的Q值高的陶瓷组合物。所述陶瓷组合物例如为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷组合物，其中，含有47.0～67.0重量％的SiO2、21.0～41.0重量％的BaO、及10.0～18.0重量％的Al2O3，同时含有相对于SiO2、BaO及Al2O3的合计100重量份为1.0～5.0重量份的作为第1添加物的CeO2、以及相对于SiO2、BaO、Al2O3及CeO2的合计100重量份为2.5～5.5重量份的作为第2添加物的MnO，且不含Cr。进而，还可以含有作为第3添加物的Zr、Ti、Zn、Nb、Mg及Fe成分中的至少一种和作为第4添加物的Co及/或V成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108029203B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201680053352.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 陶瓷多层基板(100)具备：陶瓷绝缘体层(CL)，包括第一层(1)、第二层(2)以及第三层(3)，且构成为第一层(1)夹在第二层(2)与第三层(3)之间；内部图案导体(4)；外部图案导体(5)；以及外部电极(6A、6B)。陶瓷绝缘体层(CL)夹在内部图案导体(4)与外部图案导体(5)之间。生片状态下的第二层(2)单体以及第三层(3)单体的烧结收缩开始温度为生片状态下的第一层(1)单体的烧结收缩结束温度以上。陶瓷绝缘体层(CL)的厚度为5.0μm以上且55.7μm以下。第二层(2)的厚度与第三层(3)的厚度的合计相对于第一层(1)的厚度的比为0.25以上且1.11以下。
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公开(公告)号：CN104519655B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201410441246.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 胜部毅
CPC classification number: H05K3/4629 , H05K2201/0195 , H05K2201/068 , H05K2201/096 , H05K2201/09827
Abstract: 本发明涉及能抑制烧制时的收缩的陶瓷多层基板,使高密度地配置有端子的元器件的安装成为可能,且能确保与该元器件的连接强度,并且能防止来自外部的水分进入到其内部。在对多个绝缘层(2a~2d)进行层叠、烧制而成的陶瓷多层基板(1)中,最表层的绝缘层(2a)包括:陶瓷层(3b);层叠在该陶瓷层(3b)上的收缩抑制层(3a);以及表层通孔导体(4a),该表层通孔导体(4a)贯通陶瓷层(3b)及收缩抑制层(3a),且形成为随着接近下层侧其前端变细的锥状,从形成陶瓷多层基板(1)的表面的收缩抑制层(3a)露出的端面与安装在陶瓷多层基板(1)的表面上的元器件的端子直接相连接,将收缩抑制层(3a)中含有的氧化铝的重量比率设定得比陶瓷层(3b)要高。
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公开(公告)号：CN102822112B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN102822112A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN101784502A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880102216.1
申请日：2008-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , H05K1/024 , Y10T428/24926 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种不仅烧结后的组成的离差少、而且烧结体的弯曲强度高、在微波带的Q值高的陶瓷组合物。所述陶瓷组合物例如为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷组合物，其中，含有47.0～67.0重量％的SiO2、21.0～41.0重量％的BaO、及10.0～18.0重量％的Al2O3，同时含有相对于SiO2、BaO及Al2O3的合计100重量份为1.0～5.0重量份的作为第1添加物的CeO2、以及相对于SiO2、BaO、Al2O3及CeO2的合计100重量份为2.5～5.5重量份的作为第2添加物的MnO，且不含Cr。进而，还可以含有作为第3添加物的Zr、Ti、Zn、Nb、Mg及Fe成分中的至少一种和作为第4添加物的Co及/或V成分。
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