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公开(公告)号：CN102046837B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200980119324.4
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/32633 , H01J37/3266 , H01J37/3408 , H01J37/3458 , H01L21/2855
Abstract: 本发明提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3)，在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4)，以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈(6)，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。
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公开(公告)号：CN102066604A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123899.3
申请日：2009-06-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873
Abstract: 本发明公开了一种阴极单元及具有该阴极单元的溅射装置，该阴极装置可在整个基板面上针对高纵横比的各个微孔被覆性良好地成膜，该阴极单元具有结构简单和制造成本低的特点。该阴极单元包括一托架(3)，托架的一侧表面上形成有至少一个凹部(4)；具有底部为筒状的靶部件(5)，该靶部件从其底部一侧装入与其分别对应的凹部中；以及，磁场发生装置(7)，其组装为在该靶部件的内部空间中产生磁场。
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公开(公告)号：CN117637426A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311084418.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 提供基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法，能抑制还原不足。基板处理装置使在表面包括金属层的基板(S)的表面还原，具备：腔主体(42)；加热板(22)，收纳于腔主体(42)，在加热板(22)载置基板(S)；等离子体生成部(43)，向腔主体(42)供给氢气的等离子体；以及控制部，执行脱气处理和还原处理，在脱气处理中，通过在等离子体生成部(43)驱动前驱动加热板(22)，从而从表面除去吸附物，在还原处理中，通过在加热板(22)驱动后驱动等离子体生成部(43)，从而向脱气处理后的表面供给等离子体。
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公开(公告)号：CN102046837A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119324.4
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/32633 , H01J37/3266 , H01J37/3408 , H01J37/3458 , H01L21/2855
Abstract: 本发明提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3)，在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4)，以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈(6)，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。
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