公开(公告)号：CN103620746A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280028713.8

申请日：2012-09-20

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 滨口纯一 ,  小平周司 ,  坂本勇太 ,  佐野昭文 ,  镰田恒吉 ,  门仓好之 ,  广石城司 ,  沼田幸展 ,  铃木康司

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76882 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。

公开(公告)号：CN102046837B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200980119324.4

申请日：2009-06-04

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 森本直树 ,  近藤智保 ,  长屿英人 ,  森大介 ,  佐野昭文

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/358 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3458 ,  H01L21/2855

摘要： 本发明提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3)，在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4)，以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈(6)，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。

公开(公告)号：CN102046837A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119324.4

申请日：2009-06-04

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 森本直树 ,  近藤智保 ,  长屿英人 ,  森大介 ,  佐野昭文

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/358 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3458 ,  H01L21/2855

摘要： 本发明提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3)，在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4)，以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈(6)，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。