公开(公告)号：CN105264033B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480031647.9

申请日：2014-12-29

申请人： 株式会社LG化学

发明人： S·R·金 ,  曹正镐 ,  金荣国 ,  金熹正 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  南承希

IPC分类号： C09J7/20 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C08L63/00 ,  C09D133/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/04 ,  C09J2203/326 ,  C09J2400/22 ,  C09J2433/006 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/27 ,  H01L2221/68304 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。

公开(公告)号：CN107076657A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003312.5

申请日：2016-01-29

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金荣国 ,  金丁鹤 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  曹正镐 ,  李光珠 ,  南承希 ,  韩智浩

IPC分类号： G01N15/08

摘要： 本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述方法包括以下步骤：向所述聚合物膜施加电压，同时使所述聚合物膜的至少一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液接触；以及在施加电压后，测量所述聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。

公开(公告)号：CN105324454A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480021827.9

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金荣国 ,  S·R·金 ,  金熹正 ,  曺正镐 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  南承希

IPC分类号： C09J11/00 ,  C09J133/04 ,  C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/301

CPC分类号： C09J11/08 ,  C09J5/00 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2201/128 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2475/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。

公开(公告)号：CN102192928A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110059769.7

申请日：2011-03-11

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 文元载 ,  吴亨泳 ,  李大渊 ,  宋在翊 ,  金荣国 ,  郑圭澈 ,  郑贤哲

IPC分类号： G01N27/24 ,  G01B21/04

CPC分类号： B24B49/10 ,  B24B7/24 ,  B24B13/015

摘要： 公开了用于监测玻璃板抛光状态的装置和方法。该装置可包括：位置测量单元，其用于测量玻璃板上的正利用抛光机抛光的位置；电流测量单元，其用于测量流入该抛光机的电流；存储器单元，其用于存储对于玻璃板的每个抛光位置流入该抛光机的电流的参照值；以及，控制单元，其用于通过将电流测量单元所测量的针对由所述位置测量单元所测量的每一抛光位置的电流值与存储在存储器单元中的每一抛光位置的电流参考值进行比较来确定抛光状态是否有故障。

公开(公告)号：CN106661412B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201680002140.X

申请日：2016-04-29

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金熹正 ,  金塞拉 ,  金丁鹤 ,  南承希 ,  曹正镐 ,  李光珠 ,  金荣国

IPC分类号： C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04 ,  C09J7/20 ,  C09J7/30

摘要： 本发明涉及用于半导体的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如由于半导体基板的配线或连接至半导体芯片的配线等引起的不平坦，并且还可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的可切割性，从而提高半导体封装工艺的可靠性和效率。

公开(公告)号：CN107534020B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201680023097.5

申请日：2016-09-23

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金丁鹤 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  李光珠 ,  金荣国 ,  南承希

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L23/482 ,  H01L23/532 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06

摘要： 本发明涉及在110℃下的触变指数为1.5至7.5的粘合膜，其用于固定第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件的面积与所述第二半导体器件的面积之比为0.65或更小；使用所述粘合膜来制备半导体器件的方法；以及半导体器件。

公开(公告)号：CN109478535A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044218.9

申请日：2017-11-15

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金熹正 ,  罗努里 ,  金荣国 ,  李光珠

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31

摘要： 提供了半导体用粘合膜和包括上述粘合膜的半导体器件，所述半导体用粘合膜包括：导电层，所述导电层包含选自铜、镍、钴、铁、不锈钢(SUS)和铝中的至少一种金属并且具有0.05μm或更大的厚度；以及粘合层，所述粘合层形成在所述导电层的至少一个表面上并且包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂。

公开(公告)号：CN107924879A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050678.8

申请日：2016-11-04

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金丁鹤 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  曹正镐 ,  李光珠 ,  南承希 ,  金荣国

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法，更具体地，涉及这样的半导体器件和制造半导体器件的方法：即使在管芯接合过程或导线接合过程期间向所述半导体器件施加一定程度过度的力，所述半导体器件也可以防止对顶部半导体芯片的损坏。

公开(公告)号：CN105324454B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480021827.9

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金荣国 ,  S·R·金 ,  金熹正 ,  曺正镐 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  南承希

IPC分类号： C09J11/00 ,  C09J133/04 ,  C09J7/30 ,  H01L21/301

CPC分类号： C09J11/08 ,  C09J5/00 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2201/128 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2475/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。

公开(公告)号：CN107076701A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003311.0

申请日：2016-01-29

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金丁鹤 ,  金荣国 ,  李光珠 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  曹正镐 ,  南承希 ,  韩智浩

IPC分类号： G01N27/447 ,  G01N27/404 ,  G01N27/04

CPC分类号： G01N27/125 ,  G01N27/041 ,  G01N27/14 ,  G01N27/404 ,  G01N27/447 ,  G01N27/04

摘要： 本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述装置用于所述方法中并且所述方法包括以下步骤：在5℃至250℃的温度下向聚合物膜施加电压同时使聚合物膜的一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液相接触；以及在施加电压后，测量聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。