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公开(公告)号：CN114606478B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN115064606A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN114823969A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114606478A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN114823969B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN115064606B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN218460338U
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202222356202.2
申请日：2022-09-05
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本实用新型公开了一种石墨舟清洗装置，包括反应腔和真空泵，真空泵与反应腔连通，反应腔上设有用于输入工艺气体的进气接头，反应腔的外周沿长度方向绕设有多匝射频感应线圈并将反应腔包裹。该石墨舟清洗装置，采用ICP电感耦合等离子体技术，通过射频感应线圈将反应腔包裹，从而可以激发整个腔体中的工艺气体放电，所有流经石墨舟的工艺气体都会分解为高密度且动能较高的活性等离子体，使石墨舟处于高能等离子体包围中，均匀性更好，能够对石墨舟表面进行有效的轰击，清洗无死角，提高了表面化学反应速率和清洗速度，不需要拆分石墨舟，不需要使用化学试剂，安全性更高，将本装置与传统PECVD设备结合可以实现石墨舟的在线式清洗。
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