公开(公告)号：CN115064606A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210680729.2

申请日：2022-06-16

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 沈永臻 ,  李明 ,  赵增超 ,  黄嘉斌 ,  刘湘祁 ,  陈俊 ,  周小荣 ,  申凯林

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN115064606B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202210680729.2

申请日：2022-06-16

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 沈永臻 ,  李明 ,  赵增超 ,  黄嘉斌 ,  刘湘祁 ,  陈俊 ,  周小荣 ,  申凯林

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN117117038A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311188579.4

申请日：2023-09-14

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈骏 ,  赵增超 ,  李兵 ,  沈永臻 ,  刘湘祁 ,  周小荣 ,  黄嘉斌 ,  谢湘洲 ,  邓新新

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法，包括以下步骤：对硅基体双面制绒；在正面依次沉积隧穿氧化硅层、硼掺杂非晶硅层、碱刻蚀阻挡层和硼掺杂非晶硅层；在正面栅线区域进行图形化掩膜、碱刻蚀；去除正面栅线区域的图形化掩膜；在背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂非晶硅层，退火处理；在沉积钝化层、减反层、印刷电极，烧结和注入。本发明，采用图形化掩膜+碱刻蚀阻挡层+碱刻蚀的方法在正面形成图案化的poly‑finger结构，有利于显著提升电池效率，也能够有效拓宽工艺窗口，具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，有利于降低制备成本和制备难度，可实现TOPCon电池的批量化生产以及广泛应用。