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公开(公告)号：CN114606478B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN115064606B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117117038A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311188579.4
申请日：2023-09-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法，包括以下步骤：对硅基体双面制绒；在正面依次沉积隧穿氧化硅层、硼掺杂非晶硅层、碱刻蚀阻挡层和硼掺杂非晶硅层；在正面栅线区域进行图形化掩膜、碱刻蚀；去除正面栅线区域的图形化掩膜；在背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂非晶硅层，退火处理；在沉积钝化层、减反层、印刷电极，烧结和注入。本发明，采用图形化掩膜+碱刻蚀阻挡层+碱刻蚀的方法在正面形成图案化的poly‑finger结构，有利于显著提升电池效率，也能够有效拓宽工艺窗口，具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，有利于降低制备成本和制备难度，可实现TOPCon电池的批量化生产以及广泛应用。
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公开(公告)号：CN117790631A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311831790.3
申请日：2023-12-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种基于TOPCon电池的二次硼扩常压退火工艺及系统，工艺包括：控制炉管内外压力一致，通入N2，将引入SE后的硅片送入炉管内；将温度升至800℃～850℃并保温；再将温度升至860℃～970℃并保温；停止通N2，通入O2进行氧化；将温度升至980℃～1050℃继续氧化；保持通O2进行干氧化，或先通O2进行干氧化，然后在保持通O2的同时通H2O进行湿氧化；保持通O2，将温度降至800℃～900℃；将温度降至800℃～840℃，停止通O2，重新通入N2，取出石英舟。该工艺所制硅片的性能优于负压退火工艺，氧化效率高、氧化层更厚，还克服了负压氧化炉管易变形损坏、隔膜泵易堵塞的缺陷。
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公开(公告)号：CN116994944A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310898075.5
申请日：2023-07-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/223 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种改善硼扩散方阻均匀性工艺，包括以下步骤：在硅片表面沉积硼层，升温至第一推进温度，对硅片进行无氧推进，载入氧气，升温至第二推进温度，对硅片进行有氧推进，完成对硅片的硼扩散处理，其中第二推进温度高于所述第一推进温度。本发明改善硼扩散方阻均匀性工艺，不仅可以克服硼扩散高温掺杂过程中掺杂不匀的问题，尤其是在低浓度低掺杂过程中的不均匀问题，而且能够显著改善掺杂均匀性和方阻均匀性，以及降低表面复合，进而有利于提高电池的开路电压和短路电流，获得电性能优异的太阳能电池，具有工艺简单、操作方便、成本较低等优点，利于实现规模化生产和广泛应用，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN115064606A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN114823969A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114606478A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN114823969B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN115528141A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211303546.5
申请日：2022-10-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。
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