-
公开(公告)号：CN114606478B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
-
公开(公告)号：CN117117038A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311188579.4
申请日：2023-09-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法，包括以下步骤：对硅基体双面制绒；在正面依次沉积隧穿氧化硅层、硼掺杂非晶硅层、碱刻蚀阻挡层和硼掺杂非晶硅层；在正面栅线区域进行图形化掩膜、碱刻蚀；去除正面栅线区域的图形化掩膜；在背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂非晶硅层，退火处理；在沉积钝化层、减反层、印刷电极，烧结和注入。本发明，采用图形化掩膜+碱刻蚀阻挡层+碱刻蚀的方法在正面形成图案化的poly‑finger结构，有利于显著提升电池效率，也能够有效拓宽工艺窗口，具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，有利于降低制备成本和制备难度，可实现TOPCon电池的批量化生产以及广泛应用。
-
公开(公告)号：CN108054221A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711362873.7
申请日：2017-12-18
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双面PERC电池的背面栅线结构、双面PERC电池及其制备方法，该背面栅线结构包括若干条铝栅线和若干条背电极主栅，铝栅线与背电极主栅垂直连接，铝栅线的下方设有若干段相互间隔的激光线；铝栅线由若干段宽铝栅线和若干段窄铝栅线交替连接而成，宽铝栅线的数量与激光线的数量相同，宽铝栅线用于覆盖激光线实现铝与硅的局部欧姆接触并导出硅片内部的电子，窄铝栅线用于收集硅片内部导出的电子并传输到背电极主栅上。本发明的背面栅线结构具有结构简单、设计成本低等优点。包含该背面栅线结构的电池具有背面光电转化效率高、输出功率高、翘曲度小、隐裂风险小等优点，其制备方法具有简单、成本低、可适用于大规模量产等优点。
-
公开(公告)号：CN114823969B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN115528141A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211303546.5
申请日：2022-10-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。
-
公开(公告)号：CN114823969A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN114606478A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
-
公开(公告)号：CN217600917U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202220736594.2
申请日：2022-03-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C30B31/00
摘要： 本实用新型公开了一种硼扩散炉的炉口双密封装置，包括：炉门、炉管和石英环；所述炉管为一端开口的管状结构，且炉管的开口端外周与石英环内侧密封连接，炉管与石英环形成一体结构；所述石英环的外轮廓呈阶梯形，所述炉门的内侧呈凹形，且炉门内侧设有双层密封结构，所述石英环与炉门嵌套连接，以实现硼扩散炉的炉口密封。本实用新型的炉口双密封装置具有结构紧凑、安装便捷、密封效果显著且密封圈使用寿命长等优点，提高了反应室内的密封可靠性，降低了设备运行和维护的成本。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.033 秒)
