干式蚀刻气体及干式蚀刻方法

    公开(公告)号:CN101015044A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200580025518.X

    申请日:2005-05-30

    Abstract: 本发明涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比(F/C)为1.9以下、碳原子数为4~6的含氟化合物(其中环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物及羰基为1个的含氟饱和化合物除外)构成的干式蚀刻气体;由选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6及C3F8的至少1种气体和上述干式蚀刻气体构成的混合干式蚀刻气体;将上述干式蚀刻气体等离子体化加工半导体材料的干式蚀刻方法等。根据本发明,提供能够安全地使用、对地球环境的影响小、能够对半导体材料高选择性且以高干式蚀刻速率实现图案形状良好的干式蚀刻的干式蚀刻气体、及使用该干式蚀刻气体的干式蚀刻方法等。

    碳酰氟的制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101272983B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200680035477.7

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: C01B32/80

    Abstract: 提供了不使用光气等毒性强的原料和难以得到的原料,可以更低廉、有效,且没有爆炸等危险、安全连续地制造COF2的方法。向反应容器内导入四氟乙烯气体和氧气,在不存在氮气的情况下,使其在气相加热反应制造碳酰氟。反应容器优选管状的反应管。四氟乙烯气体可以使用加热HCFC-22气体热分解而得的未精制或经精制的四氟乙烯气体。通过本发明可以低廉、有效且安全地制造用作CVD装置(化学气相蒸镀法)的清洗气。

    新的含氮全氟烷烃磺酸盐

    公开(公告)号:CN1712395A

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN200510064381.0

    申请日:2005-04-15

    Abstract: 本发明提供一种含氮全氟烷烃磺酸衍生物,其为比过去技术更有望实现高性能化难燃塑料之先进材料。具体而言,此含氮全氟烷烃磺酸盐如化学式(1)所示 (式中R1f及R2f分别为相同或不同的全氟烷基;R3f为全氟亚烷基;Y为以-OM所表示的金属烷氧基或以-NHM或=NM所表示的金属醯胺基或金属醯亚胺基,M代表钠、钾、碱土类金属或铵盐)。

    碳酰氟的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101272983A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200680035477.7

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: C01B32/80

    Abstract: 提供了不使用光气等毒性强的原料和难以得到的原料,可以更低廉、有效,且没有爆炸等危险、安全连续地制造COF2的方法。向反应容器内导入四氟乙烯气体和氧气,在不存在氮气的情况下,使其在气相加热反应制造碳酰氟。反应容器优选管状的反应管。四氟乙烯气体可以使用加热HCFC-22气体热分解而得的未精制或经精制的四氟乙烯气体。通过本发明可以低廉、有效且安全地制造用作CVD装置(化学气相蒸镀法)的清洗气。

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