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公开(公告)号：CN1781580A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510124991.5
申请日：2005-08-23
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , SFC株式会社
CPC classification number: B01J23/58 , B01D53/9418 , B01D2251/2062 , B01D2251/208 , B01D2255/1021 , B01D2255/1026 , B01D2255/20707 , B01D2255/20738 , B01D2255/20753 , B01D2255/20784 , B01D2255/9022 , B01D2255/91 , B01J23/002 , B01J35/002 , B01J35/06 , B01J37/0225 , B01J2523/00 , B01J2523/12 , B01J2523/23 , B01J2523/305 , B01J2523/41 , B01J2523/828 , B01J2523/821 , B01J2523/67 , B01J2523/842 , B01J2523/847
Abstract: 一种氮氧化物脱除材料，其含有固定在金属纤维表面上的配位化合物，该配位化合物包括至少一种选自元素周期表中VIII族元素，IX族元素和X族元素的元素和至少一种选自元素周期表中I族元素，II族元素，XIII族元素和XIV族元素的元素。一种氮氧化物脱除设备，包括该氮氧化物脱除材料和一种使氮氧化物脱除材料温度升高至100℃或更高的装置。
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公开(公告)号：CN104011491A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280059406.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: F27D11/02
CPC classification number: C23C16/482 , C30B13/24 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , Y10T117/108
Abstract: 本发明提供一种用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，是通过反射镜装置反射从光源放射的光而照射于被加热物，用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，其特征在于，反射镜装置由一次反射镜及二次反射镜构成，使从光源放射的光依次被一次反射镜及二次反射镜反射而照射于被加热物，由该二次反射镜反射而照射于被加热物表面的光并未相对于该被加热物表面垂直地进行照射。由此，在通过聚光的红外线进行加热的装置中，即便是使用旋转椭圆面的装置也能保持加热性能并进行小型化。
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公开(公告)号：CN105378194A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480035268.7
申请日：2014-09-12
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 企鹅系统有限公司 , NEC照明株式会社
IPC: E04G23/02
CPC classification number: B09B3/0066 , B09B3/0083
Abstract: 排列多个包括热辐射光源(101)和反射镜(102)的聚光加热单元(11)而构成的加热处理头(10)沿着被加热体的表面移动，同时加热处理被加热体。加热处理头(10)包括沿着所述加热处理头(10)的移动方向上排放有2个以上的聚光加热单元(11)的单元列。构成各单元列的聚光加热单元(11)中，加热处理头(10)的移动方向上前方的聚光加热单元(11)的热辐射光源(101)比后方的聚光加热单元(11)的热辐射光源(101)的供给功率低。
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公开(公告)号：CN103846781A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310641959.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017 , H01L21/02041
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括：多个同心的研磨区，各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布；以及用于排出研磨液的槽，该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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公开(公告)号：CN103854991B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201310634807.6
申请日：2013-12-02
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103854991A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310634807.6
申请日：2013-12-02
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304 , B28D5/00 , C30B33/00 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。
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公开(公告)号：CN105814667B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480065794.8
申请日：2014-12-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有：载物台(34)，其设置晶片(W)；旋转驱动部(34b)，其使载物台(34)周向旋转；喷液嘴(35)，其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置，向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L)；以及控制单元(4)，其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外，具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置，至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。
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公开(公告)号：CN103846781B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310641959.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括：多个同心的研磨区，各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布；以及用于排出研磨液的槽，该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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公开(公告)号：CN104011491B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280059406.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: F27D11/02
CPC classification number: C23C16/482 , C30B13/24 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , Y10T117/108
Abstract: 本发明提供一种用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，是通过反射镜装置反射从光源放射的光而照射于被加热物，用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，其特征在于，反射镜装置由一次反射镜及二次反射镜构成，使从光源放射的光依次被一次反射镜及二次反射镜反射而照射于被加热物，由该二次反射镜反射而照射于被加热物表面的光并未相对于该被加热物表面垂直地进行照射。由此，在通过聚光的红外线进行加热的装置中，即便是使用旋转椭圆面的装置也能保持加热性能并进行小型化。
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公开(公告)号：CN105814667A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480065794.8
申请日：2014-12-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有：载物台(34)，其设置晶片(W)；旋转驱动部(34b)，其使载物台(34)周向旋转；喷液嘴(35)，其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置，向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L)；以及控制单元(4)，其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外，具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置，至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。
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