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公开(公告)号：CN101044608A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036120.6
申请日：2005-10-19
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： 古川有纪子 , 文森特·C·韦内齐亚 , 拉杜·苏尔代亚努
摘要： 一种金属－氧化物－半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS叠层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在叠层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。
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公开(公告)号：CN103872037A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310696160.X
申请日：2013-12-18
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L27/06 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/38 , H01L21/385 , H01L21/8234 , H01L23/64 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L27/0676 , H01L27/0705 , H01L27/0711 , H01L2924/0002 , H03K17/6871 , H01L2924/00
摘要： 在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法。实施例涉及与至少一个其它器件，例如功率晶体管或其它半导体器件集成的自举电路。在实施例中，自举电路可以包括自举电容器和自举二极管，或者自举电路可以包括自举电容器和自举晶体管。在实施例中，自举电容器包括基于半导体的电容器，与电解、陶瓷或其它电容器相对。在实施例中，自举电路与另一电路或器件（例如在一个实施例中的功率晶体管器件）的集成处于硅级，而不是作为传统方法的类模块的封装中系统。换句话说，自举电路元件和功率晶体管或其它器件的组合在实施例中形成硅上系统，或集成电路，并且另外可以被布置在单一封装中。
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公开(公告)号：CN106935513A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710105242.0
申请日：2017-02-26
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/38 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/34 , H01L21/02425 , H01L21/02521 , H01L21/02584 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L22/14
摘要： 本发明公开了一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法。利用电沉积的方法将PbTe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入0.1mol/L的NaNO3溶液中，再利用电化学方法氧化电极，最后取出电极，电极上就氧化出Te/PbTe异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程非常高效简单，且所制得的Te/PbTe异质结纳米薄膜相比PbTe纳米薄膜具有更高的光电转换效率，成本低廉，易于大规模推广生产。
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公开(公告)号：CN104401934B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410765689.7
申请日：2014-12-11
申请人： 东南大学
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H05K3/002 , H01L21/38 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01P3/003 , H01P5/02 , H03H2001/0021 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K3/0029 , H05K3/0041 , H05K3/0055 , H05K3/0094 , H05K3/10 , H05K3/188 , H05K3/301 , H05K2203/1105
摘要： 本发明公开一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片，其内含埋入无源器件结构模具的凹槽阵列；将玻璃圆片与其在真空中阳极键合；加热键合圆片使玻璃熔融填充满凹槽阵列内空隙，退火，冷却，形成回流圆片；完全研磨和抛光回流圆片的上部全玻璃衬底；完全刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具；电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具被刻蚀后留下的中空结构；刻蚀全高掺杂硅衬底与凹槽阵列之间的未刻蚀硅，得到埋入无源元件的玻璃衬底若干个；沉积金属粘附层，电镀金属导电层，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板。本方法步骤简单，成本低廉，制备的无源元件性能优越。
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公开(公告)号：CN102870245A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021920.6
申请日：2011-05-06
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC分类号： H01L29/66969 , B05D5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H01L41/33
摘要： 本发明之一的功能设备的制造方法依次包括：功能固体材料前驱体层形成工序，通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层；干燥工序，将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度，以事先降低前驱体层的流动性；模压工序，在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下，对前驱体层施行模压加工，从而在前驱体层形成模压结构；功能固体材料层形成工序，将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理，由此从前驱体层形成功能固体材料层。
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公开(公告)号：CN101044608B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580036120.6
申请日：2005-10-19
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 古川有纪子 , 文森特·C·韦内齐亚 , 拉杜·苏尔代亚努
摘要： 一种金属-氧化物-半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS迭层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在迭层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。
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公开(公告)号：CN103201832B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180054201.4
申请日：2011-11-09
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L21/2253 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/38 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 一种用于形成晶体管器件的方法，包括在绝缘体上半导体衬底中注入扩散抑制种类物，该绝缘体上半导体衬底包括大块衬底、隐埋绝缘体层、以及绝缘体上半导体层，绝缘体上半导体层具有在其上形成的一个或多个栅极结构使得扩散抑制种类物被设置在绝缘体上半导体层的与沟道区相对应的部分中，并且被设置在隐埋绝缘体层的与源极和漏极区相对应的部分中。在源极和漏极区中引入晶体管掺杂剂种类物。执行退火以便在基本垂直的方向上扩散晶体管掺杂剂种类物而同时基本防止晶体管掺杂剂种类物横向扩散到沟道区中。
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公开(公告)号：CN102870245B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180021920.6
申请日：2011-05-06
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L41/318 , H01L41/33 , B41J2/16 , C23C18/12 , C23C18/06 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , B05D5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H01L41/33
摘要： 本发明之一的功能设备的制造方法依次包括：功能固体材料前驱体层形成工序，通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层；干燥工序，将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度，以事先降低前驱体层的流动性；模压工序，在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下，对前驱体层施行模压加工，从而在前驱体层形成模压结构；功能固体材料层形成工序，将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理，由此从前驱体层形成功能固体材料层。
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公开(公告)号：CN104401934A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410765689.7
申请日：2014-12-11
申请人： 东南大学
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H05K3/002 , H01L21/38 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01P3/003 , H01P5/02 , H03H2001/0021 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K3/0029 , H05K3/0041 , H05K3/0055 , H05K3/0094 , H05K3/10 , H05K3/188 , H05K3/301 , H05K2203/1105
摘要： 本发明公开一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片，其内含埋入无源器件结构模具的凹槽阵列；将玻璃圆片与其在真空中阳极键合；加热键合圆片使玻璃熔融填充满凹槽阵列内空隙，退火，冷却，形成回流圆片；完全研磨和抛光回流圆片的上部全玻璃衬底；完全刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具；电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具被刻蚀后留下的中空结构；刻蚀全高掺杂硅衬底与凹槽阵列之间的未刻蚀硅，得到埋入无源元件的玻璃衬底若干个；沉积金属粘附层，电镀金属导电层，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板。本方法步骤简单，成本低廉，制备的无源元件性能优越。
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公开(公告)号：CN103201832A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180054201.4
申请日：2011-11-09
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L21/2253 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/38 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 一种用于形成晶体管器件的方法，包括在绝缘体上半导体衬底中注入扩散抑制种类物，该绝缘体上半导体衬底包括大块衬底、隐埋绝缘体层、以及绝缘体上半导体层，绝缘体上半导体层具有在其上形成的一个或多个栅极结构使得扩散抑制种类物被设置在绝缘体上半导体层的与沟道区相对应的部分中，并且被设置在隐埋绝缘体层的与源极和漏极区相对应的部分中。在源极和漏极区中引入晶体管掺杂剂种类物。执行退火以便在基本垂直的方向上扩散晶体管掺杂剂种类物而同时基本防止晶体管掺杂剂种类物横向扩散到沟道区中。
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