制造半导体器件的方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108461395B

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN201810194182.9

    申请日:2014-01-24

    摘要: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法,包括:(a)在第一区域中经第一绝缘膜在半导体衬底上方形成第一伪栅电极,经第二绝缘膜在半导体衬底上方形成第二伪栅电极,在第二区域中经第三绝缘膜在半导体衬底上方形成第三伪栅电极,第二伪栅电极经第四绝缘膜与第一伪栅电极相邻,第二伪栅电极的高度大于第三伪栅电极的高度;(b)形成层间绝缘层以便与第一至第三伪栅电极的上表面重叠;(c)抛光层间绝缘层、第一至第三伪栅电极的各部分使其上表面从层间绝缘层暴露;(d)去除第一至第三伪栅电极;以及(e)在第一至第三开口部中填充含金属的膜,第一至第三开口部是在步骤(d)中已经去除第一至第三伪栅电极的区域。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN103035650B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201210369919.9

    申请日:2012-09-28

    IPC分类号: H01L27/11521

    摘要: 一种半导体装置以及半导体装置的制造方法,能够提高半导体装置的特性。半导体装置包括:绝缘膜(3),在控制栅电极(CG)与半导体基板之间形成;绝缘膜(5),在存储器栅电极(MG)与半导体基板之间以及控制栅电极(CG)与存储器栅电极(MG)之间形成且在其内部具有电荷储存部。绝缘膜(5)具有第1膜(5A)、成为在第1膜(5A)上配置的电荷储存部的第2膜(5N)、在第2膜(5N)上配置的第3膜(5B),第3膜(5B)具有位于控制栅电极(CG)与存储器栅电极(MG)之间的井壁膜(5s)、位于存储器栅电极(MG)与半导体基板之间的沉积膜(5d)。根据该结构,能够加大绝缘膜(5)的角部的距离(D1),能够缓冲电场集中。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN103035650A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210369919.9

    申请日:2012-09-28

    IPC分类号: H01L27/115 H01L21/8247

    摘要: 一种半导体装置以及半导体装置的制造方法,能够提高半导体装置的特性。半导体装置包括:绝缘膜(3),在控制栅电极(CG)与半导体基板之间形成;绝缘膜(5),在存储器栅电极(MG)与半导体基板之间以及控制栅电极(CG)与存储器栅电极(MG)之间形成且在其内部具有电荷储存部。绝缘膜(5)具有第1膜(5A)、成为在第1膜(5A)上配置的电荷储存部的第2膜(5N)、在第2膜(5N)上配置的第3膜(5B),第3膜(5B)具有位于控制栅电极(CG)与存储器栅电极(MG)之间的井壁膜(5s)、位于存储器栅电极(MG)与半导体基板之间的沉积膜(5d)。根据该结构,能够加大绝缘膜(5)的角部的距离(D1),能够缓冲电场集中。