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公开(公告)号：CN103080388B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180040439.1
申请日：2011-07-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中，此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号：CN103025926A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
摘要： 在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN87103690A
公开(公告)日：1988-01-13
申请号：CN87103690
申请日：1987-06-06
申请人： 西门子公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B33/00 , Y02E10/547 , Y10S117/90 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要： 从由水平拉带工艺制造的硅带(4)切割盘状硅片，其中用一条石墨纤维编织带(1)作要结晶的硅的载体，用位于熔体槽(3)上方和下面的，并上下对准的热源(7)使熔化的液体硅(2)结晶，用下属方法实现切割：以一定的预先给出的，与用于太阳能电池的硅片大小相应的间隔(2A)通过一起运行的(V2＝V1)屏蔽体(6)降低熔体表面(2)上方的辐射损失(5)，使得限定的区域内不发生固化，由此在硅带(4)中形成一条切割条(11)。该方法能够实现太阳能电池用硅片的连续生产。
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公开(公告)号：CN104246021B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201280072386.6
申请日：2012-12-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 布莱恩·H·梅克英特许 , 彼得·L·凯乐门 , 孙大为
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要： 一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。
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公开(公告)号：CN104246021A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280072386.6
申请日：2012-12-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 布莱恩·H·梅克英特许 , 彼得·L·凯乐门 , 孙大为
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要： 一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。
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公开(公告)号：CN102719880A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210176999.6
申请日：2007-09-26
申请人： AMG艾迪卡斯特太阳能公司
发明人： 罗杰·F·克拉克
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/007 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： 提供了用于生产进料材料的连续带状物的方法和设备。该设备包括：用于熔化进料材料的熔体腔室，其具有出口；安置为从熔体腔室的出口接纳熔化的进料材料的生长托盘；和位于熔体腔室的出口下游的除热装置，该除热装置与生长托盘中的熔化的进料材料隔开但是与该熔化的进料材料热连通，除热装置包括可调节装置，该可调节装置适于调节从生长托盘中的熔化的进料材料中辐射的热量。所述方法包括：在熔体腔室中熔化进料材料；使熔化的进料材料从熔体腔室流入生长托盘中并且允许其在生长托盘中形成水平的浅熔体池；通过从熔体池向上经过烟囱状物的热辐射而允许从熔体池的热损失；安置与熔体池接触的模板；以及从熔体池拉离模板由此生产带状物。
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公开(公告)号：CN101522960A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036545.6
申请日：2007-09-26
申请人： BP北美公司
发明人： 罗杰·F·克拉克
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/007 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： 一种用于从液体进料材料例如硅的熔体池连续地生产晶体带状物的设备和方法。使硅熔化并且流入生长托盘中以提供液体硅的熔体池。通过允许热从熔体池向上流经烟囱状物而被动地除热。在经过烟囱状物发生热损失时，同时对生长托盘加热以保持硅处于它的液相。当经过烟囱状物损失热时，模板被设置成与熔体池接触，从而硅开始“凝固”(即固化)并且附着到模板上。然后从熔体池提拉模板，由此生产晶体硅的连续带状物。
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公开(公告)号：CN103025926B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及使用气体喷嘴从熔化物表面移离板材。在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN103080388A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040439.1
申请日：2011-07-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中，此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号：CN101522960B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200780036545.6
申请日：2007-09-26
申请人： AMG艾迪卡斯特太阳能公司
发明人： 罗杰·F·克拉克
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/007 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： 一种用于从液体进料材料例如硅的熔体池连续地生产晶体带状物的设备和方法。使硅熔化并且流入生长托盘中以提供液体硅的熔体池。通过允许热从熔体池向上流经烟囱状物而被动地除热。在经过烟囱状物发生热损失时，同时对生长托盘加热以保持硅处于它的液相。当经过烟囱状物损失热时，模板被设置成与熔体池接触，从而硅开始“凝固”(即固化)并且附着到模板上。然后从熔体池提拉模板，由此生产晶体硅的连续带状物。
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