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公开(公告)号：CN116686101A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180088392.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/08
Abstract: 本发明涉及由基材和形成在所述基材上的由半导体膜构成的光接收层构成的光电转换元件材料。形成该光接收层的半导体膜由Ag2‑xBixSx+1(x为0或1的整数)构成、微晶直径为10nm以上40nm以下。光接收层可以通过以下方式制造：将使所述半导体纳米粒子分散在分散介质中而成的油墨涂布在基材上后在200℃以上350℃以下进行烧制。本发明涉及的光电转换元件材料对于近红外区域的波长的光具有吸收性、光应答性优异。
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公开(公告)号：CN115735416A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180045754.7
申请日：2021-06-28
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: H05K1/09
Abstract: 本发明涉及形成在具有挠性的基板上的由银粒子的烧结体构成的金属布线。构成该金属布线的烧结体的特征在于，体积电阻率为20μΩ·cm以下，并且硬度为0.38GPa以下且杨氏模量为7.0GPa以下。具备该金属布线的导电片可以通过将金属糊在基板上进行涂布和烧成来制造，所述金属糊包含具有规定的粒径和粒径分布的银粒子作为固体成分，还包含数均分子量为10000以上且90000以下的乙基纤维素作为调节剂。本发明的金属布线即使反复承受弯曲变形也能够抑制电特性的变化，耐弯曲性优良。
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公开(公告)号：CN112996869B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201980074247.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及具备基材和由银或铜中的至少任意一者构成的金属配线的导电基板。该导电基板在金属配线的一部分或全部表面上形成有防反射区域。该防反射区域由粗化粒子和埋设在粗化粒子之间的比粗化粒子更微细的黑化粒子构成，所述粗化粒子由银或铜中的至少任意一者构成。黑化粒子由银或银化合物、铜或铜化合物、或者碳或含碳率为25重量％以上的有机物构成。而且，防反射区域的表面的中心线平均粗糙度为15nm以上且70nm以下。本发明的导电基板通过在利用形成粗化粒子的金属油墨形成金属配线后涂布含有黑化粒子的黑化油墨来制造。本发明的导电基板的金属配线抑制了光反射，不易目视确认出其存在。
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公开(公告)号：CN113874129A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080039619.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及在设定于基材上的图案形成部形成金属图案的方法。在本发明中，使用在包含上述图案形成部的基材表面上具备含氟树脂层的基板。而且，本发明的金属图案的形成方法包括：在图案形成部形成官能团的工序；和在基材表面涂布以胺化合物和脂肪酸作为保护剂的金属油墨、将金属粒子固定于图案形成部的工序。在本发明中，作为含氟树脂层，应用通过欧文斯‑温特法测定的表面自由能为13mN/m以上且20mN/m以下的含氟树脂。此外，作为上述金属油墨，应用含有乙基纤维素作为添加剂的金属油墨。
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公开(公告)号：CN118613443A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019474.8
申请日：2023-01-30
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: C01G7/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01G5/00 , C09K11/08 , C09K11/58 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/89
Abstract: 本发明涉及由含有Ag、Au、S及金属M作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子。在本发明中，所述金属M为Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Hg、Cu中的至少任一者，所述化合物的Ag、Au、S及金属M的合计含量为95质量％以上。另外，AgAuS系多元化合物中的Ag的原子数相对于Ag的原子数x和Au的原子数y的合计之比(x/(x+y))优选为0.50以上0.88以下。本发明的半导体纳米粒子具有适当的发光/吸光特性，并且具有生物体亲和性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113874129B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202080039619.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及在设定于基材上的图案形成部形成金属图案的方法。在本发明中，使用在包含上述图案形成部的基材表面上具备含氟树脂层的基板。而且，本发明的金属图案的形成方法包括：在图案形成部形成官能团的工序；和在基材表面涂布以胺化合物和脂肪酸作为保护剂的金属油墨、将金属粒子固定于图案形成部的工序。在本发明中，作为含氟树脂层，应用通过欧文斯‑温特法测定的表面自由能为13mN/m以上且20mN/m以下的含氟树脂。此外，作为上述金属油墨，应用含有乙基纤维素作为添加剂的金属油墨。
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公开(公告)号：CN112996869A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980074247.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及具备基材和由银或铜中的至少任意一者构成的金属配线的导电基板。该导电基板在金属配线的一部分或全部表面上形成有防反射区域。该防反射区域由粗化粒子和埋设在粗化粒子之间的比粗化粒子更微细的黑化粒子构成，所述粗化粒子由银或铜中的至少任意一者构成。黑化粒子由银或银化合物、铜或铜化合物、或者碳或含碳率为25重量％以上的有机物构成。而且，防反射区域的表面的中心线平均粗糙度为15nm以上且70nm以下。本发明的导电基板通过在利用形成粗化粒子的金属油墨形成金属配线后与含有黑化粒子的黑化油墨涂布来制造。本发明的导电基板的金属配线抑制了光反射，不易目视确认出其存在。
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公开(公告)号：CN118382533A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280077817.1
申请日：2022-12-20
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有基材/ITO层/Ag层的层叠构成的导电性层叠体，其包含基材、ITO层和Ag层，所述ITO层形成于前述基材的单面上或两面上的至少一部分且包含氧化铟锡，所述Ag层形成于前述ITO层上的至少一部分且包含Ag。本发明中，在前述ITO层与前述Ag层之间具备包含聚合物的粘结剂层。该粘结剂层包含主链为直链、并且具有OH基和/或COOH基作为侧链的聚合物。本发明的导电性层叠体通过下述方式制造：在ITO层上涂布聚丙烯酸等聚合物而形成粘结剂层，涂布包含Ag粒子的Ag墨液并烧成，从而形成Ag层。
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公开(公告)号：CN116867739A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015993.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: C01G7/00
Abstract: 本发明是由含有Ag、Au、S作为必要构成元素的化合物的半导体晶体构成的半导体纳米粒子。在构成该半导体纳米粒子的AgAuS系化合物中，Ag、Au、S的合计含量为95质量％以上。另外，所述化合物优选是由通式Ag(nx)Au(ny)S(nz)表示的AgAuS三元系化合物。在所述通式中，n是任意的正整数。x、y、z表示所述化合物中的Ag、Au、S的各原子的原子数的比例，是0＜x,y,z≤1的实数。另外，x/y为1/7以上7以下。
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公开(公告)号：CN118076702A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280068180.X
申请日：2022-10-04
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C09D11/52 , B22F9/00 , C09D5/24 , C09D17/00 , C08L1/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , C08K3/08 , H05K1/09 , B22F1/052 , B22F1/102 , B22F1/107
Abstract: 本发明涉及将由银粒子构成的固体成分在溶剂中混炼而成的金属布线形成用的金属糊。金属糊的固体成分具有规定的粒径分布和平均粒径，由以胺化合物为保护剂的银粒子构成。溶剂是将溶剂A和溶剂B这两种有机溶剂混合而成的混合溶剂。溶剂A为二氢松油醇或松油醇，溶剂B是沸点为240℃以上的至少一种有机溶剂。而且，该混合溶剂的相对于二氢松油醇的汉森溶解度参数距离Ra为3.0MPa1/2以下。进而，金属糊中包含作为第一添加剂的高分子量乙基纤维素和作为第二添加剂的聚乙烯醇缩醛树脂。根据本发明的金属糊，能够形成印刷描绘性和连续印刷性良好、密合性也良好的金属布线。
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