-
公开(公告)号:CN1758960A
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN200480006373.4
申请日:2004-03-10
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B01J37/0211 , B01D53/9422 , B01D2255/102 , B01D2255/104 , B01D2255/106 , B01D2255/2042 , B01D2255/20715 , B01D2255/20738 , B01D2255/20746 , B01D2255/20753 , B01D2255/20769 , B01J23/63 , B01J35/0013
Abstract: 本发明的催化剂由1种或2种以上催化剂金属,碱土类金属、过渡金属、稀土类金属、铝、镓中的至少任一种金属形成的催化助剂金属以及载体构成,前述催化剂金属以及前述催化助剂金属通过使多元系金属胶体溶液附着于载体而负载,前述多元系金属胶体溶液由水或水和有机溶剂形成的溶剂、在前述溶剂中分散·悬浊的1种或2种以上的催化剂金属形成的金属簇粒子、保护前述金属簇粒子的保护剂以及与前述保护剂结合的碱土类金属离子、过渡金属离子、稀土类金属离子、铝离子、镓离子中的1种或2种以上的金属离子形成。
-
公开(公告)号:CN100435953C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200480006373.4
申请日:2004-03-10
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B01J37/0211 , B01D53/9422 , B01D2255/102 , B01D2255/104 , B01D2255/106 , B01D2255/2042 , B01D2255/20715 , B01D2255/20738 , B01D2255/20746 , B01D2255/20753 , B01D2255/20769 , B01J23/63 , B01J35/0013
Abstract: 本发明的催化剂由1种或2种以上催化剂金属,碱土类金属、过渡金属、稀土类金属、铝、镓中的至少任一种金属形成的催化助剂金属以及载体构成,前述催化剂金属以及前述催化助剂金属通过使多元系金属胶体溶液附着于载体而负载,前述多元系金属胶体溶液由水或水和有机溶剂形成的溶剂、在前述溶剂中分散·悬浊的1种或2种以上的催化剂金属形成的金属簇粒子、保护前述金属簇粒子的保护剂以及与前述保护剂结合的碱土类金属离子、过渡金属离子、稀土类金属离子、铝离子、镓离子中的1种或2种以上的金属离子形成。
-
公开(公告)号:CN105247098A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201380076725.2
申请日:2013-12-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种化学沉积用原料,其熔点低,具有在气化阶段中不会热分解的热稳定性,且在成膜阶段中在低温下易于分解,并且能够稳定地形成杂质少的镍薄膜。本发明涉及包含有机镍化合物的化学沉积用原料,该有机镍化合物中环戊二烯基或其衍生物、以及在环烷基的碳骨架中具有一个烯丙基的环烯基或其衍生物与镍配位。该原料熔点低且具有适度的热稳定性,并且可在低温下成膜。此外,因为蒸气压高,因此适用作具有三维结构的立体型电极用材料。
-
公开(公告)号:CN103492399A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280019154.4
申请日:2012-04-16
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086
Abstract: 本发明是一种有机铂化合物,该有机铂化合物用于通过化学蒸镀法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,其特征在于,是以下式表示的、由己二烯或己二烯衍生物以及烷基阴离子与2价的铂配位而成的有机铂化合物。下式中,作为取代基的R1、R2为烷基;R1、R2可以不同;此外,R3、R4为氢或烷基;R3、R4可以不同。本发明的铂化合物的稳定性良好,在成膜时不会产生有毒物质,因此处理性也良好,实用性优异。此外,其蒸气压高,能进行低温下的成膜,作为容易进行立体结构上的成膜的CVD原料有用。[化1]
-
公开(公告)号:CN101356181A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200780001370.5
申请日:2007-09-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/02 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F15/0046 , C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28556
Abstract: 本发明是用于通过化学气相沉积法制造钌薄膜或钌化合物薄膜的有机钌化合物,它是以下式表示的钌上配位了芳烃基和降冰片二烯的有机钌化合物;式中,芳烃基的作为取代基的R1~R6为氢或烷基,R1~R6的碳数的总和(R1+R2+R3+R4+R5+R6)在6以下。本发明是不需要作为反应性气体的氧气的共存且常温下为液体的处理性、再循环性良好的化学气相沉积用的有机钌化合物。
-
公开(公告)号:CN105247098B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201380076725.2
申请日:2013-12-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种化学沉积用原料,其熔点低,具有在气化阶段中不会热分解的热稳定性,且在成膜阶段中在低温下易于分解,并且能够稳定地形成杂质少的镍薄膜。本发明涉及包含有机镍化合物的化学沉积用原料,该有机镍化合物中环戊二烯基或其衍生物、以及在环烷基的碳骨架中具有一个烯丙基的环烯基或其衍生物与镍配位。该原料熔点低且具有适度的热稳定性,并且可在低温下成膜。此外,因为蒸气压高,因此适用作具有三维结构的立体型电极用材料。
-
公开(公告)号:CN104350061A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201380029958.7
申请日:2013-06-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , B01J23/44 , C07C7/12 , C07C7/163 , C07C13/263 , C07C13/42 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07C49/92
CPC classification number: C07F15/0046 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/462 , B01J25/02 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07F15/0053 , C07C49/92
Abstract: 本发明提供一种化学蒸镀用有机钌化合物的回收再利用方法,其从经过了薄膜形成工序的、已用过的原料中提取未反应的有机钌化合物,所述方法包括以下工序(a)~(c)。(a)改质工序,其中,在氢气氛中,使所述已用过的原料与加氢催化剂接触,从而对已用过的原料中氧化了的有机钌化合物进行加氢。(b)吸附工序,其中,通过使所述已用过的原料与吸附剂接触,从而除去已用过的原料中的杂质。(c)复原工序,其中,在相对于有机钌化合物的分解温度为-100℃以上且-10℃以下的温度下,对所述已用过的原料加热8小时以上,从而调整已用过的原料中的有机钌化合物的异构体比率。
-
公开(公告)号:CN103874705A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201280050214.9
申请日:2012-10-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , C07C13/263 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086 , C23C16/4485 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料,其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此,R1和R2特别优选丙基和甲基、丙基和乙基、或乙基和甲基的组合中的任一种。式中,R1、R2为烷基,R1和R2不同。另外,R1、R2的碳原子数合计为3~5。
-
公开(公告)号:CN104936903B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201480005368.5
申请日:2014-01-20
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C07F15/0046 , C01G55/008 , C23C16/16 , C23C16/45553
Abstract: 本发明为十二羰基三钌(DCR)的制造方法,在包括用一氧化碳将氯化钌羰基化的工序的十二羰基三钌的制造方法中,相对于所述氯化钌的氯元素,向反应体系中添加0.8摩尔当量以上的胺,在反应温度为50℃~100℃、反应压力为0.2MPa~0.9MPa下进行羰基化。根据本发明,可以在不使用高压反应条件下来制造杂质金属残留少的十二羰基三钌。
-
公开(公告)号:CN103492399B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201280019154.4
申请日:2012-04-16
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086
Abstract: 本发明是一种有机铂化合物,该有机铂化合物用于通过化学蒸镀法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,其特征在于,是以下式表示的、由己二烯或己二烯衍生物以及烷基阴离子与2价的铂配位而成的有机铂化合物。下式中,作为取代基的R1、R2为烷基;R1、R2可以不同;此外,R3、R4为氢或烷基;R3、R4可以不同。本发明的铂化合物的稳定性良好,在成膜时不会产生有毒物质,因此处理性也良好,实用性优异。此外,其蒸气压高,能进行低温下的成膜,作为容易进行立体结构上的成膜的CVD原料有用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-