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公开(公告)号：CN103579197B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210264661.6
申请日：2012-07-27
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L23/60 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/06515 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 一种具有防电磁波干扰的半导体组件，包括：基材，其具有贯穿的第一与第二导电穿孔；线路重布层，其形成于该基材上且具有电性连接垫；以及金属层，其形成于该线路重布层上且具有开口，以令该些电性连接垫位于该开口内而未电性连接该金属层，而令该第二导电穿孔与该金属层构成屏蔽结构，以避免电磁波由该线路重布层或该半导体组件的侧面进出而发生EMI现象。
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公开(公告)号：CN103579197A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210264661.6
申请日：2012-07-27
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L23/60 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/06515 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 一种具有防电磁波干扰的半导体组件，包括：基材，其具有贯穿的第一与第二导电穿孔；线路重布层，其形成于该基材上且具有电性连接垫；以及金属层，其形成于该线路重布层上且具有开口，以令该些电性连接垫位于该开口内而未电性连接该金属层，而令该第二导电穿孔与该金属层构成屏蔽结构，以避免电磁波由该线路重布层或该半导体组件的侧面进出而发生EMI现象。
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