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公开(公告)号：CN1405842A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02143181.7
申请日：2002-09-16
申请人： 瓦克硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/206 , C30B33/00 , Y10T428/12674
摘要： 本发明提供一种由加热一衍生自切克劳斯基法或施加磁场的切克劳斯基法所生长硅单晶体的硅半导体基板所制成的硅半导体基板，其特征为：可下列满足关系式，其中Oi DZ代表氧沉淀物晶体缺陷的无暇疵区及COP DZ代表无大小不低于0.11微米空洞型缺陷且氧沉淀物晶体缺陷不低于每立方厘米5×108；本发明还提供一种用以制造上述硅半导体基板的方法，其特征为：(1)由通过切克劳斯基法或施加磁场的切克劳斯基法、利用含氮不低于5×1017个原子/立方厘米及不超过1.5×1019个原子/立方厘米的熔融硅所生长硅单晶体制造一硅半导体基板及(2)于一非氧化环境中、在最高最终温度不低于1150℃的情况下，将该硅半导体基板加热不低于1小时。[数学1](Oi DZ)－(COP DZ)≤10微米
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公开(公告)号：CN102031557A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010510963.8
申请日：2010-10-08
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/206 , Y10T428/12528
摘要： 本发明的目的是在其中加入氢的情况下，抑制并防止由硅基底晶片的空隙产生的外延层缺陷。上述问题通过包括以下步骤的制备外延晶片的方法解决：通过切克劳斯基方法生长硅晶体的步骤，包括加入氢和氮到硅熔体中，并且从硅熔体生长氮浓度为3×1013cm-3-3×1014cm-3的硅晶体的步骤；机械加工所述硅晶体制备硅基底的步骤；以及在硅基底表面上形成外延层的步骤。
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公开(公告)号：CN1191608C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02143181.7
申请日：2002-09-16
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/206 , C30B33/00 , Y10T428/12674
摘要： 本发明提供一种由加热一由切克劳斯基法或施加磁场的切克劳斯基法所生长的硅单晶体所制成的硅半导体基板，其特征为：可下列满足关系式，其中Oi DZ代表氧沉淀物晶体缺陷的无暇疵区及COPDZ代表无大小不低于0.11微米的空洞型缺陷且氧沉淀物晶体缺陷不低于5×108/立方厘米个的区域；本发明还提供一种用以制造上述硅半导体基板的方法，其特征为：(1)由通过切克劳斯基法或施加磁场的切克劳斯基法、利用含氮不低于5×1017个原子/立方厘米及不超过1.5×1019个原子/立方厘米的熔融硅所生长硅单晶体制造一硅半导体基板及(2)于一非氧化环境中、在最高最终温度不低于1150℃的情况下，将该硅半导体基板加热不低于1小时。[数学1](Oi DZ)-(COP DZ)≤10微米
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公开(公告)号：CN102031557B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010510963.8
申请日：2010-10-08
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/206 , Y10T428/12528
摘要： 本发明的目的是在其中加入氢的情况下，抑制并防止由硅基底晶片的空隙产生的外延层缺陷。上述问题通过包括以下步骤的制备外延晶片的方法解决：通过切克劳斯基方法生长硅晶体的步骤，包括加入氢和氮到硅熔体中，并且从硅熔体生长氮浓度为3×1013cm-3-3×1014cm-3的硅晶体的步骤；机械加工所述硅晶体制备硅基底的步骤；以及在硅基底表面上形成外延层的步骤。
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公开(公告)号：CN101768776A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910221758.7
申请日：2009-11-16
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 问题：提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案：具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2×104/cm3且低于1×105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5×102-2×104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5×108/cm3。
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公开(公告)号：CN1638133B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410061592.4
申请日：2004-12-27
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/02126 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02299 , H01L21/02323 , H01L21/02351 , H01L21/26533 , H01L21/31658 , H01L21/76243
摘要： 本发明涉及一种具有硅绝缘膜结构的异质半导体结构，所述硅绝缘膜结构含有硅-锗混合晶体，以及以低成本高生产率制造所述半导体结构的方法。为此本发明提供了一种半导体基片，其中包括由添加锗的硅所形成的第一层、由氧化物形成并邻接第一层的第二层以及由硅-锗混合晶体形成并邻接第二层的第三层；及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101768776B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910221758.7
申请日：2009-11-16
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 问题提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2x104/cm3且低于1x105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5x102-2x104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5x108/cm3。
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公开(公告)号：CN1237586C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02128530.6
申请日：2002-08-09
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/3225
摘要： 为提高一用切克劳斯基晶体提拉法或施加磁场的切克劳斯基晶体提拉法制造的硅单晶体切割而成的半导体晶片的无缺陷区深度或空穴型缺陷的深度及氮分离所产生的局部密化部分至超过12微米的深度，在非氧化环境中施以热处理后的半导体晶片具有下列特性：无缺陷区的深度可能大于12微米或空穴型缺陷的无缺陷深度大于12微米，该晶片具有一氮分离所产生的局部密化部分及用二次离子质谱分析法测量氮浓度时显示一信号强度两倍或更多倍于其表面下12微米或更深处的平均信号强度，氧沉淀物结晶缺陷的密度为5×108/立方厘米或更高，且该晶片是于非氧化环境中、在温度1200℃或更高的情况下实施热处理至少1小时而制得。
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