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公开(公告)号：CN104684968A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049625.0
申请日：2013-07-15
Applicant: 第一毛织株式会社
Inventor： 宋炫知 , 朴银秀 , 林相学 , 郭泽秀 , 金古恩 , 金美英 , 金补宣 , 金奉焕 , 罗隆熙 , 裵镇希 , 徐珍雨 , 尹熙灿 , 李汉松 , 田钟大 , 韩权愚 , 洪承希 , 黄丙奎
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: 本发明揭示了一种藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备的改质氢化聚硅氧氮烷。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
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公开(公告)号：CN104109589A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310567460.8
申请日：2013-11-14
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , C11D7/266 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L27/1085 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。
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公开(公告)号：CN103910885A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310718120.0
申请日：2013-12-23
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L28/92 , C08G77/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326
Abstract: 本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。
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公开(公告)号：CN102687075A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104620326B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380044747.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法，并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物，包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN104109589B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201310567460.8
申请日：2013-11-14
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式1表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN104684968B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380049625.0
申请日：2013-07-15
Applicant: 第一毛织株式会社
Inventor： 宋炫知 , 朴银秀 , 林相学 , 郭泽秀 , 金古恩 , 金美英 , 金补宣 , 金奉焕 , 罗隆熙 , 裵镇希 , 徐珍雨 , 尹熙灿 , 李汉松 , 田钟大 , 韩权愚 , 洪承希 , 黄丙奎
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: 本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
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公开(公告)号：CN104620326A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380044747.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅类绝缘层的组成物，其包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于形成氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN102687075B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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