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公开(公告)号：CN101506941B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680055586.5
申请日：2006-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C09D183/04 , H01L21/0276
Abstract: 一种处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，包含溶剂和有机硅聚合物，其中有机硅聚合物由结构式6表示：在结构式6中，R是甲基或乙基，R′是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是含芳环官能团，x、y和z满足关系式x+y＝4，0.4≤x≤4，0≤y≤3.6，和4×10-4≤z≤1，而n为约3至约500。
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公开(公告)号：CN101198907B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200580050080.0
申请日：2005-11-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0387 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有第一聚合物和第二聚合物的聚合物混合物，该第一聚合物含有一种或多种如说明书中所述的单体单元，该第二聚合物含有芳基；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。
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公开(公告)号：CN101506941A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200680055586.5
申请日：2006-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C09D183/04 , H01L21/0276
Abstract: 本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]3Si－R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]3Si－Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN101490621A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780025924.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08G77/50 , C08L83/14 , G03F7/11 , G03F7/2022 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , H01L21/3122
Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3S－X (1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6－C30官能团，而R1是C1－C6烷基；[R2O]3S－R3(2)，其中R2是C1－C6烷基，而R3是C1－C12烷基；以及[R4O]3S－Y－S [OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1－C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1－C20亚烷基、含有芳环的C1－C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2－C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN101198907A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200580050080.0
申请日：2005-11-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0387 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有第一聚合物和第二聚合物的聚合物混合物，该第一聚合物含有一种或多种如说明书中所述的单体单元，该第二聚合物含有芳基；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。
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公开(公告)号：CN1991581A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610150443.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3－20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3－6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。
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