公开(公告)号：CN105990305B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510098467.9

申请日：2015-03-06

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 孙唯伦 ,  简玮铭 ,  李柏汉 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层的开口中的导电层上。本发明能提升半导体结构的良率，且能提高材料选用的便利性。

公开(公告)号：CN104347536B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201410355382.X

申请日：2014-07-24

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  刘沧宇 ,  张恕铭 ,  黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一晶片，具有上表面、下表面及侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构，位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线，具有第一端点及第二端点，其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。本发明可以降低晶片封装体中的封装层的覆盖厚度，增加感测区的敏感度，并且可以维持基底的结构强度。

公开(公告)号：CN104347560B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410355202.8

申请日：2014-07-24

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一基底，其具有一上表面及一下表面；一装置区或感测区定义于基底内；一导电垫位于基底的上表面上；至少两个凹陷，包括一上凹陷及一下凹陷，自基底的上表面朝基底的下表面延伸，其中上凹陷的底部及下凹陷的侧壁邻接相同材料而共同形成基底的一侧壁；一导电层与导电垫电性连接，且自基底的上表面延伸至基底的侧壁；以及一绝缘层位于导电层与基底之间。本发明所述的晶片封装体所需的导电接线可顺利地形成，且晶片封装过程中所需的图案化制程步骤可大幅减少，而且晶片封装体的整体高度亦可显著地降低。

公开(公告)号：CN104347560A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410355202.8

申请日：2014-07-24

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一基底，其具有一上表面及一下表面；一装置区或感测区定义于基底内；一导电垫位于基底的上表面上；至少两个凹陷，包括一上凹陷及一下凹陷，自基底的上表面朝基底的下表面延伸，其中上凹陷的底部及下凹陷的侧壁邻接相同材料而共同形成基底的一侧壁；一导电层与导电垫电性连接，且自基底的上表面延伸至基底的侧壁；以及一绝缘层位于导电层与基底之间。本发明所述的晶片封装体所需的导电接线可顺利地形成，且晶片封装过程中所需的图案化制程步骤可大幅减少，而且晶片封装体的整体高度亦可显著地降低。

公开(公告)号：CN104347576B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201410355765.7

申请日：2014-07-24

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  刘沧宇 ,  黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉 ,  姚皓然

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一晶片，晶片包括邻近于晶片的上表面的一感测区或元件区、以及位于感测区或元件区内且包括多个感测单元的一感测阵列；多个第一开口，位于晶片内，以对应地暴露出感测单元；多个导电延伸部，设置于第一开口内，且电性连接感测单元，并自第一开口延伸至晶片的上表面上方。本发明能够降低封装层的厚度，进而提升晶片封装体的感测灵敏度，且无需增加额外的制程步骤及制造成本。

公开(公告)号：CN105990305A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510098467.9

申请日：2015-03-06

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 孙唯伦 ,  简玮铭 ,  李柏汉 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层的开口中的导电层上。本发明能提升半导体结构的良率，且能提高材料选用的便利性。

公开(公告)号：CN104347538A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410355754.9

申请日：2014-07-24

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  刘沧宇 ,  张恕铭 ,  黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法，该晶片堆叠封装体包括：一装置基底，其具有一上表面、一下表面及一侧壁，装置基底包括邻近于上表面的一感测区或元件区及一信号接垫区、以及一浅凹槽结构沿着装置基底的侧壁自上表面朝下表面延伸；一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构内；一第一基底设置于装置基底的下表面下方且位于装置基底与一第二基底之间；一接线的第一端点设置于浅凹槽结构内且电性连接重布线层，而第二端点与第一基底及/或第二基底电性连接。本发明能够提升的晶片堆叠封装体的感测区或元件区的敏感度，并缩小晶片堆叠封装体的尺寸，还可提升晶片堆叠封装体的品质。

公开(公告)号：CN107221540B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201710165062.1

申请日：2017-03-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  林佳升 ,  李柏汉 ,  孙唯伦

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层，设置于基底的第一表面上，其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽，且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能，避免基底翘曲，且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。

公开(公告)号：CN105742300B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410758635.8

申请日：2014-12-11

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 孙唯伦 ,  林佳升 ,  何彦仕 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/14

摘要： 一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体包含封装基材、半导体元件与多个导电结构。半导体元件具有中央区与围绕中央区的边缘区。导电结构位于封装基材与半导体元件之间。导电结构具有不同的高度，且导电结构的高度从半导体元件的中央区往半导体元件的边缘区逐渐增大，使得半导体元件的边缘区与封装基材之间的距离大于半导体元件的中央区与封装基材之间的距离。由此，本发明的半导体元件的正面(即影像感测面)为凹面，可模拟成视网膜的形状，当半导体元件的影像感测面感测影像时，光线容易集中，可降低影像失真的可能性。

公开(公告)号：CN104347537B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410355749.8

申请日：2014-07-24

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  刘沧宇 ,  黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉 ,  廖季昌

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一晶片，具有上表面、下表面及侧壁，且包括一信号接垫区邻近于上表面；一第一凹口沿着侧壁自上表面朝下表面延伸；至少一个第二凹口自第一凹口的一第一底部朝下表面延伸；第一凹口及第二凹口还沿着上表面的一侧边横向延伸，且第一凹口沿着侧边延伸的长度大于第二凹口沿着侧边延伸的长度；一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至第二凹口内。本发明可降低导电结构/接线的最高部分，还使晶片具有足够的结构强度，进而提升晶片封装体的品质。再者，本发明还可增加晶片封装体的输出信号的布局弹性。