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公开(公告)号：CN112888654B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201980068372.9
申请日：2019-10-04
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种微机电结构(1)，具有布置在所述微机电结构(1)的腔(2)中的功能元件其特征在于，所述腔(2)通过罩层(5)封闭，其中，所述罩层(5)具有外延硅。此外，提出一种用于制造微机械结构(1)的方法。(3)，其中，所述功能元件(3)具有氮化铝层(4)，
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公开(公告)号：CN112437751A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980044251.0
申请日：2019-06-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/00
摘要： 本发明涉及一种在重布线(2)和导体区域(3)之间的电接触部(1)，其中，所述导体区域(3)布置在SOI晶片(5)或SOI芯片(5)上方的导体层(4)中，其中，在所述导体层(4)上方并且在所述重布线(2)下方布置有覆盖层(6)，其特征在于，所述覆盖层(6)具有接触部区域(7)，其中，所述接触部区域(7)借助于第一凹槽布置(8)相对于剩余的覆盖层(6)绝缘，其中，至少在所述接触部区域(7)中构造有开口(9)，其中，在所述开口(9)中布置有金属材料(10)，其中，所述金属材料(10)使所述重布线(2)和所述导体区域(3)连接。
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公开(公告)号：CN112888654A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980068372.9
申请日：2019-10-04
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种微机电结构(1)，具有布置在所述微机电结构(1)的腔(2)中的功能元件(3)，其中，所述功能元件(3)具有氮化铝层(4)，其特征在于，所述腔(2)通过罩层(5)封闭，其中，所述罩层(5)具有外延硅。此外，提出一种用于制造微机械结构(1)的方法。
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公开(公告)号：CN109553064A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811119874.3
申请日：2018-09-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00 , H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： B81C1/00293 , B81B7/0041 , B81C1/00333 , B81C2201/0132 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , G01D5/06 , B81C1/00095 , B81B7/0006 , B81B2207/07 , H01L21/76898 , H01L23/5283
摘要： 本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法，所述方法包括以下步骤：-制造具有用于微机械元件的功能层、至少部分包围功能层的牺牲层和在牺牲层上的封闭罩的微机械结构，-将覆盖层施加到微机械结构上，-在覆盖层中制造栅格结构，-在栅格结构下方制造空腔作为通向牺牲层的通道，-至少部分地移除牺牲层，-将封闭层至少施加到覆盖层的栅格结构上用于封闭通向空腔的通道。
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公开(公告)号：CN112437751B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980044251.0
申请日：2019-06-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/00
摘要： 本发明涉及一种在重布线(2)和导体区域(3)之间的电接触部(1)，其中，所述导体区域(3)布置在SOI晶片(5)或SOI芯片(5)上方的导体层(4)中，其中，在所述导体层(4)上方并且在所述重布线(2)下方布置有覆盖层(6)，其特征在于，所述覆盖层(6)具有接触部区域(7)，其中，所述接触部区域(7)借助于第一凹槽布置(8)相对于剩余的覆盖层(6)绝缘，其中，至少在所述接触部区域(7)中构造有开口(9)，其中，在所述开口(9)中布置有金属材料(10)，其中，所述金属材料(10)使所述重布线(2)和所述导体区域(3)连接。
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公开(公告)号：CN114826182A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210070231.4
申请日：2022-01-21
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 提出一种用于制造压电谐振器的方法，其中，可振动的结构由高掺杂的硅功能层形成，该方法具有以下步骤：沉积压电层并在横向区域中如此形成凹槽而使得在凹槽内暴露硅功能层，在硅功能层的在凹槽内暴露的表面上形成硅化物层。在硅化物层上形成扩散阻挡层，如此沉积和结构化第一和第二金属化层而使得形成馈电线和两个连接元件，通过结构化硅功能层形成可振动的结构，其中，可振动的结构的硅功能层通过第一连接元件可电接触，并形成谐振器的下部的电极，其中，可振动的结构的第一金属化层通过第二连接元件可电接触，并形成谐振器的上部的电极。
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公开(公告)号：CN111587301A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086090.7
申请日：2018-12-06
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： S·马约尼
IPC分类号： C23C28/00 , H01L41/083 , H01L41/331 , H01L41/332 , H01L41/35 , C23F1/12
摘要： 本发明涉及一种用于制造微机械层结构的方法，包括以下步骤：-提供第一保护层，其中，第一保护层结构化有至少一个进口，该进口填充以牺牲层材料，-将包括至少一个功能层的功能层-层结构施加到第一保护层上，-在功能层-层结构中通向第一保护层的至少一个进口地制造第一进口，使得在功能层-层结构中的第一进口的宽度在功能层-层结构的层的至少一个层中大于或等于第一保护层的至少一个进口的宽度，-将第二保护层施加到功能层-层结构上，使得第一进口填充以第二保护层的材料，-使第二保护层和填充的第一进口结构化有通向第一保护层的第二进口，其中，第二进口具有等于或小于第一进口的宽度，使得在第二进口的宽度较小的情况下第二进口的壁通过第二保护层的材料形成，-移除至少在第一保护层的进口中的牺牲层材料，并且-移除至少在第二进口中的保护层材料。
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公开(公告)号：CN111587301B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN201880086090.7
申请日：2018-12-06
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： S·马约尼
IPC分类号： H10N30/50 , H10N30/081 , H10N30/082 , H10N30/09 , C23C28/00
摘要： 本发明涉及一种用于制造微机械层结构的方法，包括以下步骤：‑提供第一保护层，其中，第一保护层结构化有至少一个进口，该进口填充以牺牲层材料，‑将包括至少一个功能层的功能层‑层结构施加到第一保护层上，‑在功能层‑层结构中通向第一保护层的至少一个进口地制造第一进口，使得在功能层‑层结构中的第一进口的宽度在功能层‑层结构的层的至少一个层中大于或等于第一保护层的至少一个进口的宽度，‑将第二保护层施加到功能层‑层结构上，使得第一进口填充以第二保护层的材料，‑使第二保护层和填充的第一进口结构化有通向第一保护层的第二进口，其中，第二进口具有等于或小于第一进口的宽度，使得在第二进口的宽度较小的情况下第二进口的壁通过第二保护层的材料形成，‑移除至少在第一保护层的进口中的牺牲层材料，并且‑移除至少在第二进口中的保护层材料。
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公开(公告)号：CN114268017A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111170860.6
申请日：2021-10-08
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01S5/02208 , H01S5/023 , H01S5/02315 , H01S5/0234 , H01S5/0235 , H01S5/0237
摘要： 本发明涉及一种激光器结构元件，所述激光器结构元件具有空腔衬底(10)、具有盖件衬底(20)并且具有激光器(50)，所述空腔衬底在第一侧上具有空腔(15)和至少一个印制导线(40)，所述盖件衬底在内侧上借助连接器件与所述空腔衬底在所述空腔衬底的第一侧上连接并且封闭所述空腔，所述激光器布置在所述空腔中，其中，所述激光器与所述印制导线导电地连接并且紧固在所述印制导线上。本发明还涉及一种用于制造激光器结构元件的方法。
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公开(公告)号：CN107408569A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680010936.X
申请日：2016-01-13
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： H01L43/04 , G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/22 , H01L43/065 , H01L43/14
摘要： 本发明公开了一种用于制造霍尔传感器的方法，其中，首先将隔离层(20)施加在具有ASIC的晶片(10)上或集成到晶片中，在该隔离层上布置有霍尔层(30)、例如由InSb或其他III-V-半导体材料制成的霍尔层，然后借助于激光(40)使该霍尔层至少区段式地再结晶。为了对ASIC进行热保护，隔离层可以是多孔的或具有空穴或反射层。
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