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公开(公告)号：CN104106136B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201380008975.2
申请日：2013-01-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0696 , G01H5/00 , G01N29/07 , G01N29/4463 , G01N29/46 , G01S7/53 , G01S15/10 , H01L27/0211 , H01L29/0619 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/1095 , H01L29/7393
摘要： 本发明涉及一种用于功率半导体中的电流传感器的半导体布置，所述半导体布置在衬底(1)上包括具有绝缘栅电极的晶体管单元(2)的多重布置，所述晶体管单元的发射极端子(10)在第一区域(12)中通过第一导电层(16)与至少一个输出端子(25)连接，并且其发射极端子(10)在第二区域(13)中通过第二导电层(17)与至少一个传感器端子(18)连接，所述至少一个传感器端子布置在第一单元区域边界(14)之外，所述第一单元区域边界包围所述第一区域(12)的晶体管单元(2)和所述第二区域(13)的晶体管单元(2)，其中，在所述第二区域(13)的晶体管单元(2)和所述传感器端子(18)之间构造有属于所述第一单元区域边界(14)的沟槽结构，在朝所述衬底(1)的外部边缘的方向上，与所述第一导电层(16)连接的掺杂层(15)连接所述沟槽结构。
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公开(公告)号：CN106464244A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580033347.9
申请日：2015-04-24
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/10
摘要： 述控制单元(8)检测第一电压电势(11)，所述第一种用于功率晶体管装置的电流检测的设 一电压电势代表所述第一电阻(5)上的电压降，备，所述设备具有功率晶体管(2)、第一串联电路 其中，所述控制单元(8)根据所述第一电压电势一串联电路具有第一晶体管(4)和第一电阻(5)， 电流小于预先确定的阈值(20)时，所述控制单元其中，所述第一电阻(5)布置在所述第一晶体管 (8)断开所述功率晶体管(2)和所述第一晶体管(4)的负载电流回路中，所述第二串联电路具有 (4)，并且接通所述第二晶体管(6)，使得所述电第二晶体管(6)和第二电阻(7)，其中，所述第二 流基本上流过所述第二晶体管(6)。电阻(7)布置在所述第二晶体管(6)的负载电流回路中，其中，所述第一串联电路(9)、所述第二串联电路(10)和所述功率晶体管(2)彼此并联连接地布置，其中，当所述第一晶体管(4)接通时，所述第一电阻(5)与所述第一晶体管(4)导电连接，其中，当所述第二晶体管(6)接通时，所述第二电阻(7)与所述第二晶体管(6)导电连接，其中，当所述功率晶体管(2)接通时，所述第一晶体管(4)的栅极连接端与所述功率晶体管(2)的栅极连接端导电连接，其中，所述控制单元控制所述功率晶体管(2)、所述第一晶体管(4)和所述第(9)、第二串联电路(10)和控制单元(8)，所述第 (11)和所述第一电阻(5)确定电流，并且当所述
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公开(公告)号：CN108770377A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201680072531.9
申请日：2016-10-19
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/7805
摘要： 根据本发明提出一种晶体管(1)，其包括：第一掺杂类型的衬底(2)；所述衬底(2)上方的、所述第一掺杂类型的外延层(3)；所述外延层(3)上方的、与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的通道层(4)；所述通道层(4)中的多个沟槽(8)，所述沟槽具有位于所述沟槽(8)内部的栅电极(9)并且由所述通道层(4)上方的、所述第一掺杂类型的源极连接端(6)包围；布置在所述栅电极(9)下方的、所述第二掺杂类型的多个屏蔽区域(7)。根据本发明，所述屏蔽区域(7)在所述沟槽(8)下方彼此形成所述屏蔽区域(7)的复合体，并且为了接通，将多个屏蔽区域(7)共同引至用于所述屏蔽区域的连接端(19)。
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公开(公告)号：CN105917470A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480073301.5
申请日：2014-11-21
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7397
摘要： 本发明描述了一种碳化硅沟槽晶体管(1)，其具有第一连接端(2)、竖直地在栅极沟槽(3)与第二连接端(5)之间布置的外延层(4)，其中，在该外延层(4)中设置有水平延伸的补偿层(6)，该补偿层(6)具有与该外延层(4)的掺杂类型相反的有效掺杂。还提出一种用于制造碳化硅沟槽晶体管(1)的方法，其中，将外延层(4)设置在所述碳化硅沟槽晶体管(1)的第二连接端(5)上；将水平延伸的补偿层(6)植入到所述外延层(4)中，该补偿层(6)具有与所述外延层(4)的掺杂类型相反的有效掺杂；将第一连接端(2)和栅极沟槽(3)设置在所述补偿层(6)上方。
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公开(公告)号：CN108886056A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021075.X
申请日：2017-01-30
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/772 , H01L29/808 , H01L29/06 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L29/0688 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/7722 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7813 , H01L29/8083
摘要： 提出一种垂直SiC‑MOSFET(20)，其具有源极连接端(2)、漏极连接端(4)和栅极区域(36)并且具有布置在所述源极连接端(2)与所述漏极连接端(4)之间的、具有第一类型的掺杂的外延层(22)，其中，水平延伸的中间层(24)嵌入到所述外延层(22)中，所述中间层具有以下区域(40)：所述区域具有与第一类型的掺杂不同的第二类型的掺杂。所述垂直SiC‑MOSFET(20)的特征在于，至少具有第二类型的掺杂的区域(40)与所述源极连接端(2)导电连接。栅极区域(36)可以布置在栅极沟道(39)中。
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公开(公告)号：CN102668053B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201080055650.6
申请日：2010-10-22
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/525
CPC分类号： H01L22/22 , G01R31/2621 , G01R31/2884 , H01L22/14 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种电路装置(1)，其具有：半导体组件(2)，其具有功率连接端子(2.1，2.2)和与功率连接端子(2.1，2.2)电绝缘的、用于施加控制电压(U2)的控制连接端子(2.0)；控制连接端子接触面(3)，其用于控制连接端子(2.0)的接通，用于半导体组件(2)的电特性的测量。在此，设有连接装置(6)，尤其是反熔丝或开关装置，控制连接端子(2.0)可通过其与前置装置(4)电连接；其中，连接装置(6)能够从不导通的状态转变到导通的状态中，在所述导通的状态中控制连接端子(2.0)与前置装置(4)连接。在此，反熔丝可以集成在半导体组件的构造中。
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公开(公告)号：CN108886056B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780021075.X
申请日：2017-01-30
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/772 , H01L29/808 , H01L29/06 , H01L29/16
摘要： 提出一种垂直SiC‑MOSFET(20)，其具有源极连接端(2)、漏极连接端(4)和栅极区域(36)并且具有布置在所述源极连接端(2)与所述漏极连接端(4)之间的、具有第一类型的掺杂的外延层(22)，其中，水平延伸的中间层(24)嵌入到所述外延层(22)中，所述中间层具有以下区域(40)：所述区域具有与第一类型的掺杂不同的第二类型的掺杂。所述垂直SiC‑MOSFET(20)的特征在于，至少具有第二类型的掺杂的区域(40)与所述源极连接端(2)导电连接。栅极区域(36)可以布置在栅极沟道(39)中。
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公开(公告)号：CN106464244B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201580033347.9
申请日：2015-04-24
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/10
摘要： 一种用于功率晶体管装置的电流检测的设备，其具有功率晶体管、第一串联电路、第二串联电路和控制单元，第一串联电路具有第一晶体管和第一电阻，第二串联电路具有第二晶体管和第二电阻，当第一晶体管接通时第一电阻与第一晶体管导电连接，当第二晶体管接通时第二电阻与第二晶体管导电连接，当功率晶体管接通时，第一晶体管的栅极连接端与功率晶体管的栅极连接端导电连接，控制单元控制功率晶体管、第一和第二晶体管，控制单元接通功率晶体管和第一晶体管，控制单元检测第一电压电势并根据第一电压电势和第一电阻确定电流，当电流小于预先确定的阈值时，控制单元断开功率晶体管和第一晶体管并接通第二晶体管，使得电流基本上流过第二晶体管。
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公开(公告)号：CN104106136A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380008975.2
申请日：2013-01-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0696 , G01H5/00 , G01N29/07 , G01N29/4463 , G01N29/46 , G01S7/53 , G01S15/10 , H01L27/0211 , H01L29/0619 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/1095 , H01L29/7393
摘要： 本发明涉及一种用于功率半导体中的电流传感器的半导体布置，所述半导体布置在衬底(1)上包括具有绝缘栅电极的晶体管单元(2)的多重布置，所述晶体管单元的发射极端子(10)在第一区域(12)中通过第一导电层(16)与至少一个输出端子(25)连接，并且其发射极端子(10)在第二区域(13)中通过第二导电层(17)与至少一个传感器端子(18)连接，所述至少一个传感器端子布置在第一单元区域边界(14)之外，所述第一单元区域边界包围所述第一区域(12)的晶体管单元(2)和所述第二区域(13)的晶体管单元(2)，其中，在所述第二区域(13)的晶体管单元(2)和所述传感器端子(18)之间构造有属于所述第一单元区域边界(14)的沟槽结构，在朝所述衬底(1)的外部边缘的方向上，与所述第一导电层(16)连接的掺杂层(15)连接所述沟槽结构。
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公开(公告)号：CN102668053A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055650.6
申请日：2010-10-22
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/525
CPC分类号： H01L22/22 , G01R31/2621 , G01R31/2884 , H01L22/14 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种电路装置(1)，其具有：半导体组件(2)，其具有功率连接端子(2.1，2.2)和与功率连接端子(2.1，2.2)电绝缘的、用于施加控制电压(U2)的控制连接端子(2.0)；控制连接端子接触面(3)，其用于控制连接端子(2.0)的接通，用于半导体组件(2)的电特性的测量。在此，设有连接装置(6)，尤其是反熔丝或开关装置，控制连接端子(2.0)可通过其与前置装置(4)电连接；其中，连接装置(6)能够从不导通的状态转变到导通的状态中，在所述导通的状态中控制连接端子(2.0)与前置装置(4)连接。在此，反熔丝可以集成在半导体组件的构造中。
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