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公开(公告)号：CN104918878B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201380056223.3
申请日：2013-10-25
申请人： 艾利迪公司 , 原子能与替代能源委员会
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , B82Y40/00 , H01L33/28
CPC分类号： H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L33/0054 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0083 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。
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公开(公告)号：CN104918878A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380056223.3
申请日：2013-10-25
申请人： 艾利迪公司 , 原子能与替代能源委员会
IPC分类号： B82Y40/00 , H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L31/036 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L33/0054 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0083 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。
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公开(公告)号：CN118633160A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202280085068.7
申请日：2022-12-14
申请人： 艾利迪公司
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 菲力浦·吉莱 , 蒂费纳·杜邦
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50 , H01L25/16
摘要： 本发明涉及一种显示屏(25)，包括：支撑件(26)，其包括相对的第一表面和第二表面(28、30)以及位于第一表面(30)上的孔(32)；光致发光块(34、36)，其位于孔的至少一部分中；胶层(40)，其覆盖第一表面；显示子像素(SPix)，其通过胶层接合到支撑件，每个显示子像素包括相对的第三表面和第四表面(59、54)以及包括暴露在第四表面上的导电焊盘(56)，第三表面(59)位于支撑件的一侧上；填充层(42)，其覆盖显示子像素之间的第一表面；以及导电轨道(44)，其在填充层上和显示子像素的第四表面上方延伸，并且与导电焊盘进行电接触和机械接触。
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公开(公告)号：CN113243047A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980083232.9
申请日：2019-10-08
申请人： 艾利迪公司
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 扎因·布哈姆里 , 菲力浦·吉莱
IPC分类号： H01L25/075 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L33/62
摘要： 本发明涉及一种用于制造电子设备(550)的工艺，包括以下步骤：a)形成电子芯片板(302)；b)将电子芯片板固定到由可拉伸材料制成的第一载体(400)上；c)移除和/或蚀刻所述板；以及d)拉伸第一载体，以便使芯片远离彼此移动。
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公开(公告)号：CN111108543A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880061195.7
申请日：2018-07-19
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种控制光电设备的方法，所述光电设备包括以行和列排列的显示像素，所述光电设备还包括第一电极，其每个连接到至少一行的显示像素；第二电极，其每个连接到至少一列的显示像素；以及用于控制第一电极和第二电极的电路。所述方法包括，在第一阶段，通过同时执行的以下步骤激活连接到第一电极之一和第二电极之一的显示像素：将所述第一电极之一置于第一电势处，将其他第一电极保持在小于第一电势的第二电势处；以及将所述第二电极之一置于小于所述第二电势的第三电势处，将其他所述第二电极保持在大于所述第三电势且小于所述第二电势的第四电势处。
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公开(公告)号：CN110265389A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910509392.7
申请日：2015-06-30
申请人： 艾利迪公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H05B33/08 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/62
摘要： 本发明涉及一种光电子装置(5)，包括第一集成电路(6)，其包括：-基板，具有第一和第二相对表面；以及-位于第一表面上的发光二极管的集合的群组(G1、G2、G3)。所述集成电路(6)还包括；-在所述基板中，用于围绕着每个集合将基板的各部分电绝缘的第一侧面元件(52)；以及-针对第二表面上的每个群组，被连接到群组的第一端子的至少一个导电接点(461、462、463)以及被连接到群组的第二端子的至少一个第二导电接点(481、482、483)。所述装置包括第二集成电路(7)，其包括：-第三和第四相对表面；以及-第三导电接点(70)，位于第三表面上并被电连接到第一和第二导电接点。第一集成电路被附着到第二集成电路的第三表面上。
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公开(公告)号：CN111108543B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880061195.7
申请日：2018-07-19
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种控制光电设备的方法，所述光电设备包括以行和列排列的显示像素，所述光电设备还包括第一电极，其每个连接到至少一行的显示像素；第二电极，其每个连接到至少一列的显示像素；以及用于控制第一电极和第二电极的电路。所述方法包括，在第一阶段，通过同时执行的以下步骤激活连接到第一电极之一和第二电极之一的显示像素：将所述第一电极之一置于第一电势处，将其他第一电极保持在小于第一电势的第二电势处；以及将所述第二电极之一置于小于所述第二电势的第三电势处，将其他所述第二电极保持在大于所述第三电势且小于所述第二电势的第四电势处。
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公开(公告)号：CN110301047B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780086496.0
申请日：2017-12-28
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种光电设备(5)，包括：发光二极管(LED)，每个发光二极管包括对应于纳米线、微米线、和/或纳米或微米范围的棱锥结构的半导体元件(22)，以及至少部分地覆盖所述半导体元件并且适于发射辐射的壳体(24)；以及针对每个发光二极管的光致发光涂层(28R，28G，28B)，其包括单量子阱、多量子阱或异质结构，覆盖所述壳体的至少一部分并与所述壳体或所述半导体元件接触，并且适于通过光学泵浦将所述壳体发射的辐射转换成另一辐射。
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公开(公告)号：CN110168753B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201780081858.7
申请日：2017-12-28
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种制造光电器件(10)的方法，包括以下连续步骤：提供至少部分地由半导体材料制成并具有相对的第一和第二面的衬底；在第一面上形成半导体层(22，23，24)的堆叠(19)，堆叠(19)包括相对的第三面和第四面(20，21)，第四面(21)在衬底侧上，所述堆叠包括发光二极管(16)；从第二面侧在衬底中形成穿过开口(34)，所述开口与至少一部分发光二极管相对并限定衬底中的壁(30)；在与堆叠接触的至少一些开口中的第四面上形成导电垫(36)；以及在至少一些开口中形成光致发光块(38)。
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公开(公告)号：CN110168753A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780081858.7
申请日：2017-12-28
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种制造光电器件(10)的方法，包括以下连续步骤：提供至少部分地由半导体材料制成并具有相对的第一和第二面的衬底；在第一面上形成半导体层(22，23，24)的堆叠(19)，堆叠(19)包括相对的第三面和第四面(20，21)，第四面(21)在衬底侧上，所述堆叠包括发光二极管(16)；从第二面侧在衬底中形成穿过开口(34)，所述开口与至少一部分发光二极管相对并限定衬底中的壁(30)；在与堆叠接触的至少一些开口中的第四面上形成导电垫(36)；以及在至少一些开口中形成光致发光块(38)。
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