公开(公告)号：CN103762187A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410018999.2

申请日：2014-01-16

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 李俊杰 ,  王之奇 ,  杨莹 ,  喻琼 ,  祁俊华 ,  张坚 ,  王蔚

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L2224/73204 ,  H01L2924/1461 ,  H01L24/73 ,  H01L24/09 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/00

摘要： 一种芯片封装方法及结构，所述芯片封装方法包括：提供第一芯片，所述第一芯片的表面具有多个第一焊盘；提供第二芯片，所述第二芯片的表面具有多个第二焊盘，所述多个第二焊盘与所述多个第一焊盘的位置相对应，且所述第二芯片的面积小于所述第一芯片的面积；将所述第二芯片表面的多个第二焊盘与所述第一芯片表面的多个第一焊盘对应结合在一起；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包覆所述第二芯片并与所述第一芯片结合。本发明的芯片封装方法提高了封装结构的可靠性。

公开(公告)号：CN105977225B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201610516699.6

申请日：2016-07-04

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  沈志杰 ,  耿志明 ,  张坚

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/522 ,  H01L21/56

摘要： 一种封装结构以及封装方法，封装结构包括：基板，所述基板上具有若干分立的电路布线层；位于所述电路布线层上的导电凸块；倒装在所述基板上方的半导体芯片，所述半导体芯片正面具有功能区域以及环绕所述功能区域的分立的焊盘，且所述焊盘与所述导电凸块电连接；位于所述基板上的密封层，所述密封层包围所述半导体芯片；位于所述基板上的阻挡结构，所述阻挡结构环绕所述功能区域，且适于阻挡所述密封层的材料溢入功能区域。本发明避免功能区域受到污染，从而提高封装结构的性能和良率。

公开(公告)号：CN102280433B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110240043.3

申请日：2011-08-19

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 张坚 ,  杨红颖 ,  王之奇 ,  俞国庆 ,  王宥军 ,  王蔚

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供晶圆级芯片尺寸封装结构及其制作方法，晶圆级芯片尺寸封装结构包括：减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；保护层，至少覆盖于所述减薄晶圆形成有芯片焊垫的一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面，所述保护层内与所述芯片焊垫对应的位置处形成有焊球开口；焊球，位于所述焊球开口内，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。所述方法包括：提供减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述减薄晶圆的形成有芯片焊垫一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面；所述保护层内形成焊球开口；在所述焊球开口内形成焊球，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。本发明获得的晶圆级芯片尺寸封装的厚度较小。

公开(公告)号：CN103762187B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201410018999.2

申请日：2014-01-16

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 李俊杰 ,  王之奇 ,  杨莹 ,  喻琼 ,  祁俊华 ,  张坚 ,  王蔚

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L2224/73204 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 一种芯片封装方法和结构，所述芯片封装方法包括：提供第一芯片，所述第一芯片的表面具有多个第一焊盘；提供第二芯片，所述第二芯片的表面具有多个第二焊盘，所述多个第二焊盘与所述多个第一焊盘的位置相对应，且所述第二芯片的面积小于所述第一芯片的面积；将所述第二芯片表面的多个第二焊盘与所述第一芯片表面的多个第一焊盘对应结合在一起；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包覆所述第二芯片并与所述第一芯片结合。本发明的芯片封装方法提高了封装结构的可靠性。

公开(公告)号：CN105977225A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610516699.6

申请日：2016-07-04

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  沈志杰 ,  耿志明 ,  张坚

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/522 ,  H01L21/56

摘要： 一种封装结构以及封装方法，封装结构包括：基板，所述基板上具有若干分立的电路布线层；位于所述电路布线层上的导电凸块；倒装在所述基板上方的半导体芯片，所述半导体芯片正面具有功能区域以及环绕所述功能区域的分立的焊盘，且所述焊盘与所述导电凸块电连接；位于所述基板上的密封层，所述密封层包围所述半导体芯片；位于所述基板上的阻挡结构，所述阻挡结构环绕所述功能区域，且适于阻挡所述密封层的材料溢入功能区域。本发明避免功能区域受到污染，从而提高封装结构的性能和良率。

公开(公告)号：CN102280433A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110240043.3

申请日：2011-08-19

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 张坚 ,  杨红颖 ,  王之奇 ,  俞国庆 ,  王宥军 ,  王蔚

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供晶圆级芯片尺寸封装结构及其制作方法，晶圆级芯片尺寸封装结构包括：减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；保护层，至少覆盖于所述减薄晶圆形成有芯片焊垫的一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面，所述保护层内与所述芯片焊垫对应的位置处形成有焊球开口；焊球，位于所述焊球开口内，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。所述方法包括：提供减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述减薄晶圆的形成有芯片焊垫一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面；所述保护层内形成焊球开口；在所述焊球开口内形成焊球，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。本发明获得的晶圆级芯片尺寸封装的厚度较小。

公开(公告)号：CN206098376U

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201620692372.X

申请日：2016-07-04

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  沈志杰 ,  耿志明 ,  张坚

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/522 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/16

摘要： 一种封装结构，包括：基板，所述基板上具有若干分立的电路布线层；位于所述电路布线层上的导电凸块；倒装在所述基板上方的半导体芯片，所述半导体芯片正面具有功能区域以及环绕所述功能区域的分立的焊盘，且所述焊盘与所述导电凸块电连接；位于所述基板上的密封层，所述密封层包围所述半导体芯片；位于所述基板上的阻挡结构，所述阻挡结构环绕所述功能区域，且适于阻挡所述密封层的材料溢入功能区域。本实用新型避免功能区域受到污染，从而提高封装结构的性能和良率。

公开(公告)号：CN203746826U

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201420027332.4

申请日：2014-01-16

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 李俊杰 ,  王之奇 ,  杨莹 ,  喻琼 ,  祁俊华 ,  张坚 ,  王蔚

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L2224/73204

摘要： 一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：第一芯片，所述第一芯片的表面具有多个第一焊盘；第二芯片，所述第二芯片的面积小于所述第一芯片的面积，所述第二芯片的表面具有多个第二焊盘，所述多个第二焊盘与所述多个第一焊盘的位置相对应，且所述第二芯片表面的多个第二焊盘与所述第一芯片表面的多个第一焊盘对应结合在一起；第一绝缘层，所述第一绝缘层将所述第二芯片包覆并与所述第一芯片结合。本实用新型的芯片封装结构的可靠性高。