公开(公告)号：CN103579026A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310314370.8

申请日：2013-07-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 阿尔方斯·德赫 ,  卡斯滕·阿伦斯 ,  安德烈·施门 ,  达米安·索伊卡

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L23/60 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0288 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02H9/046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了场发射器件及其制造方法。在本发明的一个实施方式中，一种电子装置包括设置在基板中的第一发射极/集电极区域和第二发射极/集电极区域。所述第一发射极/集电极区域具有第一边缘/尖端，并且所述第二发射极/集电极区域具有第二边缘/尖端。一间隙分离所述第一边缘/尖端和所述第二边缘/尖端。所述第一发射极/集电极区域、所述第二发射极/集电极区域以及所述间隙形成场发射器件。

公开(公告)号：CN103579026B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310314370.8

申请日：2013-07-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 阿尔方斯·德赫 ,  卡斯滕·阿伦斯 ,  安德烈·施门 ,  达米安·索伊卡

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L23/60 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0288 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02H9/046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了场发射器件及其制造方法。在本发明的一个实施方式中，一种电子装置包括设置在基板中的第一发射极/集电极区域和第二发射极/集电极区域。所述第一发射极/集电极区域具有第一边缘/尖端，并且所述第二发射极/集电极区域具有第二边缘/尖端。一间隙分离所述第一边缘/尖端和所述第二边缘/尖端。所述第一发射极/集电极区域、所述第二发射极/集电极区域以及所述间隙形成场发射器件。