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公开(公告)号:CN104183558B
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201410208488.7
申请日:2014-05-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/50 , H01L23/047 , H01L23/057 , H01L23/315 , H01L23/34 , H01L23/66 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4909 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H04B1/44 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/01204
Abstract: 半导体封装包括衬底、附接到衬底的第一侧的RF半导体裸片、附接到衬底的第一侧的电容器和在衬底的第一侧上的第一端子。半导体封装进一步包括将第一端子连接到RF半导体裸片的输出的铜或铝键合接线或带以及将电容器连接到RF半导体裸片的输出的金键合接线或带。金键合接线或带被设计用于与铜或铝键合接线或带相比在RF半导体裸片的操作期间适应更高的RF焦耳加热。也描述了对应的制造方法。
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公开(公告)号:CN104183558A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410208488.7
申请日:2014-05-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/50 , H01L23/047 , H01L23/057 , H01L23/315 , H01L23/34 , H01L23/66 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4909 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H04B1/44 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/01204
Abstract: 半导体封装包括衬底、附接到衬底的第一侧的RF半导体裸片、附接到衬底的第一侧的电容器和在衬底的第一侧上的第一端子。半导体封装进一步包括将第一端子连接到RF半导体裸片的输出的铜或铝键合接线或带以及将电容器连接到RF半导体裸片的输出的金键合接线或带。金键合接线或带被设计用于与铜或铝键合接线或带相比在RF半导体裸片的操作期间适应更高的RF焦耳加热。也描述了对应的制造方法。
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