公开(公告)号：CN107112319A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580071664.X

申请日：2015-12-10

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 山下志郎 ,  高木佑辅 ,  志村隆弘

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L24/17 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/17132 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明的功率模块具备底板、第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片，第一半导体芯片的第三边或第四边中的至少一方与底板的侧端相邻地配置，在从第一半导体芯片的第一边到第二半导体芯片的一条边的距离的1/2的距离、从第一半导体芯片的第二边到第三半导体芯片的一条边的距离的1/2的距离、和从与底板的侧端相邻地配置的第一半导体芯片的第三边或第四边到底板的侧端的距离中，在距离最短处的边形成的第一半导体芯片的焊脚的长度形成为最短。

公开(公告)号：CN107004648A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580061731.X

申请日：2015-11-20

申请人： 日本精工株式会社

发明人： 岛川茂 ,  须永崇 ,  关根孝明 ,  小暮光义 ,  铃木良一

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49568 ,  B62D5/0406 ,  G01R1/203 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/50 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L25/071 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/34 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H02K11/33 ,  H05K1/181 ,  H05K3/202 ,  H05K2201/09881 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种即使为使用了流动大电流的功率半导体等的电路也可以降低基于大电力动作的布线电阻并且提高散热性的电子部件搭载用散热基板。本发明的电子部件搭载用散热基板由被形成为布线图案形状并且由导体板制成的引线框架(110)和被设置在所述引线框架(110)之间的绝缘材料(130)构成，所述引线框架(110)的部件配置面的板面和所述绝缘材料(130)的部件配置面一侧的表面形成一个连续的表面，将所述电子部件搭载用散热基板的两个表面作为部件配置面，至少是由相同的两个系统的电路构成的冗余电路被形成在所述电子部件搭载用散热基板上，所述两个系统中的一个系统的电路被形成在所述部件配置面的一方的表面，所述两个系统中的另一个系统的电路被形成在所述部件配置面的另一方的表面，使由所述两个系统的电路构成的冗余电路中的共同使用电路布线的部分在所述部件配置面的一方和另一方的两个表面使用共通的所述引线框架。

公开(公告)号：CN103035602B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201210323243.X

申请日：2012-09-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中村弘幸 ,  佐藤幸弘 ,  藤城敦 ,  关达弘

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种提高了可靠性的半导体器件。开关功率MOSFET以及用于感测在功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET（感测MOSFET的面积小于功率MOSFET的）形成于一个半导体芯片内。半导体芯片经由导电性接合材料安装于芯片安装部之上，并且以树脂来密封。在半导体芯片的主表面之上，金属板与功率MOSFET的源极焊盘电极接合。在平面图中，金属板与感测MOSFET没有形成于其内的感测MOSFET区不重叠。金属板与源极焊盘电极接合，以便包围感测MOSFET区的三个边。

公开(公告)号：CN104521126B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201380041351.0

申请日：2013-07-22

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 德山健 ,  中津欣也 ,  三间彬 ,  服部幸男 ,  佐藤俊也

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  H02M7/5387 ,  H02M2001/0054 ,  Y02B70/1491 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明的课题在于实现功率半导体模块的配线电感的降低。包括：第一功率半导体元件；第二功率半导体元件；与上述第一功率半导体元件相对的第一导体部；隔着上述第一功率半导体元件与上述第一导体部相对的第二导体部；与上述第二功率半导体元件相对的第三导体部；隔着上述第二功率半导体元件与上述第三导体部相对的第四导体部；从上述第一导体部延伸的第一中间导体部；从上述第四导体部延伸的第二中间导体部；从上述第一中间导体部突出的正极侧第一端子和正极侧第二端子；和从上述第二中间导体部突出的负极侧第一端子和负极侧第二端子，上述负极侧第一端子配置在与该正极侧第一端子相邻的位置，上述负极侧第二端子配置在与该正极侧第二端子相邻的位置。

公开(公告)号：CN106067458A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610250460.9

申请日：2016-04-21

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J·霍格劳尔 ,  R·奥特伦巴 ,  A·舒博茨基

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/50

摘要： 一种装置，包括具有接触电极的逻辑半导体芯片。接触电极被构造成基于线夹结合技术电联接至接触线夹。

公开(公告)号：CN105702639A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510919458.1

申请日：2015-12-10

申请人： 英飞凌科技美国公司

发明人： 曹应山

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37184 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 本公开涉及具有堆叠的单独封装的功率器件的集成功率组件。公开了一种集成功率组件。所述集成功率组件包括具有部分刻蚀段的第一引线框架、配置用于附接到第一引线框架的部分刻蚀段的第一半导体裸片、具有耦合到第一半导体裸片的上表面的无腿导电夹的第二引线框架。集成功率组件还包括在第二引线框架之上并且具有部分刻蚀段的第三引线框架、配置用于附接到第三引线框架的部分刻蚀段而配置的第二半导体裸片，其中第二半导体裸片通过第三引线框架的部分刻蚀段被耦合到第一半导体裸片并且其中第三引线框架的部分刻蚀段位于第二引线框架的无腿导电夹上。

公开(公告)号：CN102420217B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110348417.3

申请日：2011-09-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 张翠嶶 ,  李德森

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85095 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

摘要： 多芯片半导体封装体及其组装。描述了半导体封装体以及其制造方法。在一个实施例中，该半导体封装体包括具有第一和第二管芯附着垫的基板。第一管芯设置在第一管芯附着垫之上。第二管芯设置在第二管芯附着垫之上。第三管芯设置在第一管芯和第二管芯之间。第三管芯具有第一、第二和第三部分，以使第一部分设置在第一管芯的一部分之上，第二部分设置在第二管芯的一部分之上，并且第三部分设置在第一管芯和第二管芯之间的区域之上。

公开(公告)号：CN105140205A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510387811.6

申请日：2015-06-30

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 石磊

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37599

摘要： 本发明提供了一种双面散热的半导体叠层封装结构。该结构包括：第一金属框架引脚，第一芯片，第一焊线、第一金属片和第二金属框架引脚，第二芯片，第二焊线、第二金属片。第一金属片的上方设置助焊剂，与第二芯片连接。第一芯片通过第一框架的第一引脚和第一金属片形成电路的连通，第二芯片通过第二框架的第一引脚、第二金属片和第一框架的其他引脚形成电路的连通。本发明构成了一种更为实用双面散热的半导体叠层封装结构。缩小了产品尺寸，节省了生产成本，简化了生产流程，提高产品的良率，保证产品的可靠性。在提高产品封装良率、降低生产成本、缩小产品尺寸的同时满足了大功率、高能耗、高散热产品的性能要求。

公开(公告)号：CN102576705B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080044718.0

申请日：2010-09-28

申请人： ABB技术有限公司

发明人： N·舒尔茨 ,  S·哈特曼

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/01 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明涉及其中安装功率功能器件(16)和导体元件(18)的电路装置(10)，该装置(10)包括衬底(12)、提供在衬底(12)上并电连接到功能器件(16)和导体元件(18)的布线层(14)以及中间电接触器件，其安装在布线层(14)上以在与布线层相对侧上提供用于接触导体元件(18)的接触区。根据本发明，导体元件(18)正在接触与如下区域相对的接触区中的中间电接触器件，该区域中电接触器件固定到布线层。本发明还涉及电路装置的对应制造方法。

公开(公告)号：CN104521126A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380041351.0

申请日：2013-07-22

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 德山健 ,  中津欣也 ,  三间彬 ,  服部幸男 ,  佐藤俊也

IPC分类号： H02M7/48 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  H02M7/5387 ,  H02M2001/0054 ,  Y02B70/1491 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明的课题在于实现功率半导体模块的配线电感的降低。包括：第一功率半导体元件；第二功率半导体元件；与上述第一功率半导体元件相对的第一导体部；隔着上述第一功率半导体元件与上述第一导体部相对的第二导体部；与上述第二功率半导体元件相对的第三导体部；隔着上述第二功率半导体元件与上述第三导体部相对的第四导体部；从上述第一导体部延伸的第一中间导体部；从上述第四导体部延伸的第二中间导体部；从上述第一中间导体部突出的正极侧第一端子和正极侧第二端子；和从上述第二中间导体部突出的负极侧第一端子和负极侧第二端子，上述负极侧第一端子配置在与该正极侧第一端子相邻的位置，上述负极侧第二端子配置在与该正极侧第二端子相邻的位置。