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    一种电流积分成像器件的制备方法
    1.
    发明公开
    一种电流积分成像器件的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118486763A

    公开(公告)日：2024-08-13

    申请号：CN202410684517.0

    申请日：2024-05-30

    申请人： 西北工业大学 ,  深圳翱翔锐影科技有限公司

    发明人： 谭婷婷 ,  田雪 ,  曹昆 ,  查钢强 ,  李颖锐 ,  姜然

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/08 ,  H01L21/67 ,  H01L27/146

    摘要： 本发明提供了一种电流积分成像器件的制备方法，解决目前方法存在无法在短时间内通过简单工艺内生长出兼顾质量和性能的CdZnTe薄膜，进而影响其在X射线成像领域发展的不足之处。该方法通过调整生长工艺以及各个步骤间的相互配合，能够制备漏电流小、光电流大、对X射线有较好光响应的CdZnTe外延单晶薄膜，并且在器件结构上，通过实现精密点胶技术，在薄膜晶体管上实现微小胶量的精密点胶，并将薄膜进行对位，贴装至薄膜晶体管上，使GaAs衬底与银胶电极紧密结合；此时，CdZnTe外延膜作为X射线入射窗口，能够避免GaAs衬底作为窗口入射时对X射线的吸收从而导致CdZnTe对X射线吸收不完全，降低图像清晰度。

    近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法
    2.
    发明公开
    近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116926665A

    公开(公告)日：2023-10-24

    申请号：CN202310548688.6

    申请日：2023-05-16

    申请人： 西北工业大学 ,  深圳翱翔锐影科技有限公司

    发明人： 曹昆 ,  刘宇 ,  查钢强 ,  李颖锐 ,  姜然 ,  刘佳虎

    IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/48

    摘要： 本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。未经过本发明处理的生长源通过近空间升华法长时间加热生长只会得到多晶膜，而采用本发明处理后的生长源由于预蒸发过程会去除生长源表面的损伤层会得到更大单晶面积的外延单晶膜。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。

    快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法
    3.
    发明公开
    快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116632107A

    公开(公告)日：2023-08-22

    申请号：CN202310549237.4

    申请日：2023-05-16

    申请人： 西北工业大学 ,  深圳翱翔锐影科技有限公司

    发明人： 曹昆 ,  姜然 ,  查钢强 ,  李颖锐 ,  刘佳虎 ,  刘宇

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/115

    摘要： 本发明提供了快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法。该快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法包括以下步骤：S1、CdZnTe生长源的预处理，选择合格的CdZnTe生长源，并对CdZnTe生长源进行预处理动作；S2、CdZnTe薄膜的生长，设置生长参数在衬底上进行生长动作；S3、CdZnTe薄膜的划片处理，将经过所述步骤S2生长后的CdZnTe薄膜经行划片处理；S4、CdZnTe薄膜退火，将经过划片处理的CdZnTe薄膜进行退火处理；S5、探测器制备，其中，本发明通过各个步骤的配合优化了金半接触特性，减少了生长时间，获得了光响应特性优异的CdZnTe成像探测器。

    新型结构的CdZnTe探测器的制备方法
    4.
    发明公开
    新型结构的CdZnTe探测器的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116487484A

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN202310561567.5

    申请日：2023-05-18

    申请人： 西北工业大学 ,  深圳翱翔锐影科技有限公司

    发明人： 曹昆 ,  刘佳虎 ,  查钢强 ,  李颖锐 ,  姜然 ,  刘宇

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/115

    摘要： 本发明提供了新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。该新型结构的CdZnTe探测器的制备方法包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd0.9‑0.8Zn0.1‑0.2Te，对CdZnTe膜进行生长处理；S5、CdZnTe阻挡层的生长程序的设置，对CdZnTe阻挡层生长温度和时间参数进行设置；S6、CdZnTe阻挡层生长，采用多晶源Cd0.8‑0.5Zn0.2‑0.5Te，对CdZnTe阻挡层进行生长处理；S7、CdZnTe探测器的制备，本发明的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法通过各个步骤的相互配合，外延膜表面增加阻挡层，减小离子注入，提高膜的电阻率，减小漏电流，降低噪声，提高探测器的能量分辨率，载流子迁移率寿命积。

    一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法
    6.
    发明公开
    一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN112201725A

    公开(公告)日：2021-01-08

    申请号：CN202011005558.0

    申请日：2020-09-22

    申请人： 西北工业大学深圳研究院 ,  西北工业大学

    发明人： 查钢强 ,  张文玉 ,  胡瑞琪 ,  李易伟 ,  曹昆 ,  李阳

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0445

    摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体；升华源准备步骤，对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源；衬底处理步骤，对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥；窗口层形成步骤，在FTO衬底上形成硫化镉窗口层；吸收层形成步骤，在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层；退火步骤，吸收层生长结束后，对样品进行退火；背电极制备步骤，在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点，可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易衰退等问题，有助于太阳能电池的商业化推广和应用。

    一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器
    9.
    发明授权
    一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器 有权

    公开(公告)号：CN112382430B

    公开(公告)日：2023-04-25

    申请号：CN202011205503.4

    申请日：2020-11-02

    申请人： 西北工业大学

    发明人： 查钢强 ,  武蕊 ,  李颖锐 ,  曹昆 ,  魏登科 ,  吴森 ,  康阳

    IPC分类号： G21K1/02 ,  G01T1/17 ,  G01T1/29

    摘要： 本发明涉及一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器，包括：与伽马射线探测器阳极像素电极数量和排布一致的正三角形孔或截角正三角形孔；可使伽马射线强度衰减入射强度95％以上的最小孔间距；在垂直于准直孔特征形状所在平面且互相平行排布的贯通准直孔；由准直器使能区侧壁及准直孔特征平面未开孔区域构成探测器的屏蔽层；在探测器底端起机架固定和支撑作用的圆形承托盘；由圆形承托盘内部开孔和准直器使能区内部的中下部分开槽两部分组合构成的探测器装配区；圆形承托盘上周期通孔构成的固定孔。本发明专利描述的准直器，在达到相同的准直效果时可使较多的伽马射线入射到探测器上，实现高效率的伽马射线成像要求。