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公开(公告)号:CN103208569B
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201310140372.X
申请日:2008-12-26
申请人: 财团法人工业技术研究院
CPC分类号: H01L33/38 , H01L24/32 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 一种发光装置包括发光结构、导热材料层、第一磁性层、第一电极层及第二电极层。导热材料层与所述发光结构耦合以耗散所述发光结构产生的热。第一磁性层与所述导热材料层耦合以在所述发光结构中产生磁场。所述第一磁性层设置在所述发光结构的一第一侧。所述导热材料层在设置在所述发光结构的所述第一侧且包围所述第一磁性层。第一电极层和第二电极层设置在所述导热材料层上以电连接所述发光结构。
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公开(公告)号:CN103178200B
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201210044874.8
申请日:2012-02-24
申请人: 财团法人工业技术研究院
摘要: 本发明公开一种发光芯片及其制造方法。发光芯片包括一外延半导体结构、一导热层、一第一电极以及一第二电极。外延半导体结构具有一第一表面、与第一表面相对的一第二表面以及一侧表面。导热层位于外延半导体结构的第一表面之侧,其中导热层的热传导系数大于200W/mk。第一电极位于导热层远离外延半导体结构的一侧。第二电极位于外延半导体结构的第二表面以与第一电极相对。
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公开(公告)号:CN103187491A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201210027255.8
申请日:2012-02-02
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L33/00 , H01L23/544
摘要: 本发明提供一种晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片。晶片级发光二极管结构的制造方法包含:提供一生长基板,其上依序成长有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层;对该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层进行一图形化制程,定义出多个第一凹陷区以及多个第二凹陷区,其中多个叠层结构是对应形成于该第二凹陷区内,以及一第一半导体层的延伸区是对应配置于与一预定切割线重叠的该第一凹陷区内;形成至少一第一电极于该第一凹陷区内的该第一半导体层延伸区;以及,形成一第二电极于该第二凹陷区内的叠层结构上。
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公开(公告)号:CN103180979A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180047417.8
申请日:2011-08-03
申请人: 财团法人工业技术研究院
CPC分类号: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/48 , H01L2224/06102 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/8592 , H01L2224/92244 , H01L2924/12032 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要: 一发光二极管芯片、一发光二极管封装结构与上述的形成方法系被提供。所述发光二极管芯片包含一结合层,其具有多个空隙、或发光二极管芯片的外围边界与所述结合层的最小水平距离系大于零。所述发光二极管芯片、所述发光二极管封装结构与所述其形成方法可改善产率及加强发光效率。
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公开(公告)号:CN101533884B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200910126536.7
申请日:2009-03-12
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L33/00
CPC分类号: H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法。该发光二极管封装结构包括承载器、凸起部、发光二极管芯片以及粘着层。凸起部设置于承载器上,并具有开口以暴露出承载器,且凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器上并位于开口中。粘着层设置于发光二极管芯片与承载器之间,以接合发光二极管芯片与承载器。
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公开(公告)号:CN101546338A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200910127643.1
申请日:2009-03-19
申请人: 财团法人工业技术研究院 , 张兆钦
IPC分类号: G06F17/30
CPC分类号: H04N1/00681 , G06F3/0481 , G06F17/30011 , G06F17/30719 , G06F2203/04803 , G06F2216/11 , G06K9/00442
摘要: 一种技术文献撷取及专利分析系统与方法。此系统可包含一撷取系统以及一阅读暨评论系统。撷取系统将一组技术文献资料中的关联图式选取出,并与撷取的重要信息提供在一画面上,提供给阅读者以图形化的画面来阅读技术文献的资料。阅读暨评论系统可进一步提供给阅读者进行技术分类、管理、汇出/汇入等处理,并且可将技术文献资料阅读后的评论记载于一信息分享平台,也可以附加或产生阅读者在分析阅读过程中所收集或产生的其它资料。
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公开(公告)号:CN108298636B
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN201711258525.5
申请日:2017-11-29
申请人: 财团法人工业技术研究院 , 彰化基督教医疗财团法人彰化基督教医院
摘要: 本发明公开一种可携式净化装置,包括容器、至少一盖体、感测组件及紫外光源。容器具有容纳空间,其中容纳空间适于容纳液体。盖体适于连接于容器以覆盖容纳空间。感测组件配置于盖体,其中感测组件适于感测盖体的使用状态。紫外光源配置于盖体内且适于发出紫外光照射至盖体外,其中紫外光源依据盖体的使用状态而开启或关闭。
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公开(公告)号:CN108686249A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810052751.6
申请日:2018-01-19
申请人: 财团法人工业技术研究院
CPC分类号: C02F1/325 , C02F1/441 , C02F2201/002 , C02F2201/006 , C02F2201/009 , C02F2201/3227 , C02F2201/3228 , C02F2201/326 , C02F2303/04 , C02F2307/06 , A61L9/20 , A61L2/08 , A61L2/10 , A61L2/24 , A61L9/18 , A61L11/00 , A61L2202/14 , A61L2209/11 , C02F1/001 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F2201/3222 , C02F2301/08
摘要: 本发明公开一种流体杀菌装置及应用其的净水设备。该流体杀菌装置包括反应腔管、光源、流体感知器及控制器。反应腔管具有一让流体通过的反应腔。光源用以发出光源至反应腔。流体感知器用以感知流体的通过而据以发出信号。控制器用以回应信号,控制光源发出光线。
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公开(公告)号:CN108298636A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201711258525.5
申请日:2017-11-29
申请人: 财团法人工业技术研究院 , 彰化基督教医疗财团法人彰化基督教医院
IPC分类号: C02F1/32
CPC分类号: C02F1/32 , C02F1/002 , C02F2201/326 , C02F2303/04 , C02F2307/02
摘要: 本发明公开一种可携式净化装置,包括容器、至少一盖体、感测组件及紫外光源。容器具有容纳空间,其中容纳空间适于容纳液体。盖体适于连接于容器以覆盖容纳空间。感测组件配置于盖体,其中感测组件适于感测盖体的使用状态。紫外光源配置于盖体内且适于发出紫外光照射至盖体外,其中紫外光源依据盖体的使用状态而开启或关闭。
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公开(公告)号:CN106848031A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201510884181.3
申请日:2015-12-04
申请人: 财团法人工业技术研究院
CPC分类号: H01L33/58 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56
摘要: 本发明公开一种紫外光发光二极管的封装结构,包括:基板、透光体、至少一紫外光发光二极管、连接元件以及紫外光遮蔽层。透光体设置于基板上,透光体的内部具有空间。紫外光发光二极管设置于基板上、且位于所述空间内。连接元件设置在基板与透光体之间。紫外光遮蔽层设置在透光体与连接元件之间。此紫外光发光二极管的封装结构,能够提升紫外光的光输出效率、且避免封装材料的劣化。
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