发光芯片及发光芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN103178200B

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201210044874.8

    申请日:2012-02-24

    IPC分类号: H01L33/64 H01L33/00

    摘要: 本发明公开一种发光芯片及其制造方法。发光芯片包括一外延半导体结构、一导热层、一第一电极以及一第二电极。外延半导体结构具有一第一表面、与第一表面相对的一第二表面以及一侧表面。导热层位于外延半导体结构的第一表面之侧,其中导热层的热传导系数大于200W/mk。第一电极位于导热层远离外延半导体结构的一侧。第二电极位于外延半导体结构的第二表面以与第一电极相对。

    晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片

    公开(公告)号:CN103187491A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201210027255.8

    申请日:2012-02-02

    IPC分类号: H01L33/00 H01L23/544

    摘要: 本发明提供一种晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片。晶片级发光二极管结构的制造方法包含:提供一生长基板,其上依序成长有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层;对该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层进行一图形化制程,定义出多个第一凹陷区以及多个第二凹陷区,其中多个叠层结构是对应形成于该第二凹陷区内,以及一第一半导体层的延伸区是对应配置于与一预定切割线重叠的该第一凹陷区内;形成至少一第一电极于该第一凹陷区内的该第一半导体层延伸区;以及,形成一第二电极于该第二凹陷区内的叠层结构上。