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公开(公告)号：CN116544208A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310295935.6
申请日：2015-10-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/49 , H01L23/482 , H01L25/07 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
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公开(公告)号：CN104051376B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201410094324.6
申请日：2014-03-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/4334 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181
Abstract: 一种半导体装置模块，包括：介电层；半导体装置，其具有联接到介电层上的第一表面；以及传导垫片，其具有联接到介电层的第一表面。该半导体装置还包括导电散热器，其具有联接到半导体装置的第二表面和传导垫片的第二表面的第一表面。金属化层联接到半导体装置的第一表面和传导垫片的第一表面。金属化层延伸穿过介电层并且通过传导垫片和散热器电连接到半导体装置的第二表面。
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公开(公告)号：CN104051377B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201410094386.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。
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公开(公告)号：CN104900606B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201510095674.9
申请日：2015-03-04
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及超薄嵌入半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构，包括第一电介质层、附接到第一电介质层的(多个)半导体装置，以及施加到第一电介质层以便将半导体装置嵌入在其中的嵌入材料，该嵌入材料包括一个或多个附加电介质层。通孔通过第一电介质层形成到至少一个半导体装置，其中，金属互联件形成在通孔中以形成对半导体装置的电互联。输入/输出(I/O)连接部在封装结构的一端位于其一个或多个面朝外的表面上，以提供对外部电路的第二级连接。封装结构与在外部电路上的连接器互相配合以垂直于外部电路安装封装，其中，I/O连接部电连接到连接器以形成对外部电路的第二级连接。
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公开(公告)号：CN105514077A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510668963.3
申请日：2015-10-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/528 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105514077B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201510668963.3
申请日：2015-10-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/528 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
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公开(公告)号：CN104051377A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410094386.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。
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公开(公告)号：CN104051376A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410094324.6
申请日：2014-03-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/4334 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181
Abstract: 一种半导体装置模块，包括：介电层；半导体装置，其具有联接到介电层上的第一表面；以及传导垫片，其具有联接到介电层的第一表面。该半导体装置还包括导电散热器，其具有联接到半导体装置的第二表面和传导垫片的第二表面的第一表面。金属化层联接到半导体装置的第一表面和传导垫片的第一表面。金属化层延伸穿过介电层并且通过传导垫片和散热器电连接到半导体装置的第二表面。
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公开(公告)号：CN111508856B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010112037.9
申请日：2015-10-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/525 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
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公开(公告)号：CN111508912A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010052240.1
申请日：2014-03-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/433 , H01L23/495 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。
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