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公开(公告)号：CN117535647A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311572193.3
申请日：2023-11-23
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 河南省功能金刚石研究院有限公司
IPC分类号： C23C16/27 , C30B29/04 , C30B28/14 , C23C16/01 , C23C16/511 , C23C16/56 , C30B33/00 , C30B33/02 , C23C16/02 , C23C16/52
摘要： 本发明公开一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法，通过将制备的CVD多晶金刚石自支撑膜退火、双面平坦化抛光、清洗，然后在金刚石膜表面再次生长金刚石膜的方式制备了厚度可达毫米级以上的光学金刚石厚膜，解决了现有工艺制备多晶金刚石厚膜时由于晶体取向失控和晶体缺陷引起的金刚石品级光学性能严重降低的问题。经本发明方法制备的金刚石厚膜晶粒平均尺寸＜80μm，黑色缺陷尺寸＜5μm，黑色缺陷密度＜3/cm2，红外波段光学透过率70.8%~71.2%，可应用于X射线窗口、红外制导窗口、高能微波馈入窗口等光学器件。
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公开(公告)号：CN117723529A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311751599.8
申请日：2023-12-19
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 河南省功能金刚石研究院有限公司
IPC分类号： G01N21/73
摘要： 本发明提出了一种实时检测CVD金刚石沉积的高精度光谱检测方法，包括以下步骤：S1：将光谱诊断装置的光纤探头固定在CVD设备的石英观察窗口上，调节光纤探头角度实现光纤探头在沉积台径向不同位置的高精度定位；S2：采集等离子体径向不同位置点处的背景信号和CVD设备中金刚石沉积过程中等离子体径向不同位置点处的光谱信号；S3：识别光谱信号中的特征峰，利用光谱特征峰强度对CVD金刚石沉积过程稳定性进行检测与判定；S4：利用不同离子基团的特征值，对该工艺下CVD金刚石的有效沉积范围和沉积品质进行检测评价。本发明所提出的检测方法方便快捷，能够在沉积反应过程中实现对CVD金刚石沉积稳定性和有效沉积面积的高精度检测方法。
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公开(公告)号：CN117535792A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311571043.0
申请日：2023-11-23
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 河南省功能金刚石研究院有限公司
IPC分类号： C30B29/04 , C30B28/14 , C23C16/01 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/02 , C23C16/52 , H01L23/373
摘要： 一种超高导热金刚石，该超高导热金刚石为沿 或 方向高定向结晶的多晶金刚石，具有直径≥100mm的线性尺寸和≥300μm的厚度，298K下≥1800W/(m·K)的热导率，和至少一个Ra≤10nm的表面，还具有包括如下特征中的一个或多个：氮杂质含量≤100ppb，介电常数≥5.4，介电损耗tanδ≤6×10‑5，体电阻率≥1×1011Ωm，击穿电压≥1000V。合成该超高导热金刚石的方法，包括：提供金刚石生长的基材和微波等离子体反应器，以及利用该反应器在基材表面进行超高导热金刚石的外延生长。
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公开(公告)号：CN115896933A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211557745.9
申请日：2022-12-06
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
摘要： 本发明公开了一种MPCVD装置，包括沉积台、基片台、升降台、微波石英窗、上盖板、底板、压力传感器、复合视窗、厚度测量装置、视觉装置、测温装置、等离子体诊断装置、真空密封圈及微波屏蔽密封圈；上盖板与底板围成反应腔，在上盖板的顶部设置有进气孔，在底板上设置有出气孔；微波石英窗为圆环形，设于沉积台与底板之间，通过微波石英窗将反应腔与外界空气隔离；升降台内设置有真空通道和冷却通道，基片台下表面与升降台上表面构成真空腔，所述真空腔与所述真空通道连通，在所述真空腔内设置有监测气压的压力传感器。采用本发明的MPCVD装置，可有效防止视窗处微波泄露，实时对工艺参数进行监测，以及使金刚石的生长面始终处于同一生长高度。
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公开(公告)号：CN115726034A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211647886.X
申请日：2022-12-21
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
摘要： 本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法，通过化学气相沉积在衬底表面沉积生长形成一次外延层，再用激光将多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩形槽；通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一次外延层表面的污染物后，通过化学气相沉积在一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层；采用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石拼接晶体。
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公开(公告)号：CN114411112A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111523327.3
申请日：2021-12-14
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法，包括单晶金刚石待测表面的研磨抛光和清洗，并通过化学腐蚀去除晶体表面机械损伤层，然后采用离子刻蚀的方法在单晶金刚石的待测表面形成位错蚀坑，对待测表面取样并对表面形貌进行检测，统计取样面积内位错蚀坑数量，最后计算得到单晶金刚石的位错密度，采用该方法可准确实现CVD单晶金刚石{100}或{111}晶面位错密度的检测。
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公开(公告)号：CN118287838A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410307086.6
申请日：2024-03-18
申请人： 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
摘要： 本发明提出了一种CVD单晶金刚石激光加工辅助补偿装置及方法，解决了因激光功率衰减导致的激光加工设备停机及因切割角度无法单独调校导致的金刚石切割面型偏差损耗大的技术问题。通过旋转功率补偿模块X的偏心部件带动防尘镜片转动避开灼伤点，避免因扩束镜附尘导致激光功率持续衰减，为激光单批次长时间切割提供稳定的功率，实现了CVD单晶金刚石持续切割的需求，提升了切割效率；角度补偿模块Y将横向支架的两端与竖向支架连接，横向支架通过锁紧部件A与竖向支架在第一方向可调连接，金刚石通过锁紧部件B与横向支架在第二方向可调连接，实现了不同面型的CVD单晶金刚石的批量切割需求，同时确保了切割的CVD单晶金刚石面型平整，改善了切割质量。
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