一种CVD单晶金刚石激光加工辅助补偿装置及方法

    公开(公告)号:CN118287838A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410307086.6

    申请日:2024-03-18

    摘要: 本发明提出了一种CVD单晶金刚石激光加工辅助补偿装置及方法,解决了因激光功率衰减导致的激光加工设备停机及因切割角度无法单独调校导致的金刚石切割面型偏差损耗大的技术问题。通过旋转功率补偿模块X的偏心部件带动防尘镜片转动避开灼伤点,避免因扩束镜附尘导致激光功率持续衰减,为激光单批次长时间切割提供稳定的功率,实现了CVD单晶金刚石持续切割的需求,提升了切割效率;角度补偿模块Y将横向支架的两端与竖向支架连接,横向支架通过锁紧部件A与竖向支架在第一方向可调连接,金刚石通过锁紧部件B与横向支架在第二方向可调连接,实现了不同面型的CVD单晶金刚石的批量切割需求,同时确保了切割的CVD单晶金刚石面型平整,改善了切割质量。

    一种大尺寸单晶金刚石外延片的拼接生长方法

    公开(公告)号:CN110079860B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201910247096.4

    申请日:2019-03-29

    IPC分类号: C30B25/22 C30B29/04

    摘要: 本发明针对现有技术中大尺寸单晶金刚石拼接制备存在的缺陷,提供一种大尺寸单晶金刚石外延片的拼接生长方法,首先通过离子注入与分离技术,化学气相沉积后得到多片晶体取向严格一致的单晶金刚石外延片,然后将外延片沿一致的晶体取向排列并键合在衬底上后,实施平整化加工与离子注入,最后通过化学气相沉积并分离后得到大尺寸的单晶金刚石外延片,本发明可获得1‑6英寸的单晶金刚石外延片,且拼接界面处外延生长的晶体质量无明显退化。

    一种有序化排列金属结合剂金刚石砂轮及其制备方法

    公开(公告)号:CN108724025B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201810472042.3

    申请日:2018-05-17

    IPC分类号: B24D3/06 B24D18/00

    摘要: 本发明公开了一种有序化排列金属结合剂金刚石砂轮的制备方法,其中包括1)混料:取金刚石、甘油的乙醇溶液、金属结合剂粉体、硬脂酸的乙醇溶液混合得到混合粉体;2)造粒:将混合粉体滚动造粒得到球形颗粒;3)筛分、选型处理:将球形颗粒烘干,再对球形颗粒进行筛分和选型;4)有序化处理:将筛分和选型后的球形颗粒施加水平和垂直方向的正弦振动,并冷压成型得到砂轮压坯;5)烧结:将砂轮压坯烧结后得到有序化排列的金刚石砂轮。本发明金刚石在金属结合剂中均匀有序排列,提高了砂轮的磨削效率和寿命,工艺可重复性更强、操作难度更低、生产效率更高。

    一种微波等离子体金刚石膜沉积设备

    公开(公告)号:CN109778138B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910217762.X

    申请日:2019-03-21

    IPC分类号: C23C16/27 C23C16/511

    摘要: 本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,具体公开了一种微波等离子体金刚石膜沉积设备,其微波石英窗的顶部和底部通过密封垫片组分别与沉积台和底板密封连接,所述密封垫片组包括外圈密封垫片和内圈密封垫片,外圈密封垫片和内圈密封垫片间设有泄气间隙,顶部和底部的泄气间隙通过第二通气孔连通,在底板上的第三通气孔用于将泄气间隙与第二出气管连通,第二出气管与抽真空装置连接。本发明能有效隔离外界空气,维持了反应腔内真空工作环境,有效降低了本类型MPCVD设备的真空漏率,最终实现反应腔与外部空气有效隔离,为制备高品质产品提供了有利保障,提高了微波等离子体化学气相沉积产品质量,满足科研和工业化生产需求。

    一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法

    公开(公告)号:CN111633559A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010515340.3

    申请日:2020-06-08

    摘要: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法,首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测,得到三维形貌检测图和测量数据,对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V,取所有测量区域的材料体积的平均值,作为需要去除的材料余量体积V1,根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测,还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估,应用范围广。

    一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置

    公开(公告)号:CN110306170A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910578365.5

    申请日:2019-06-28

    发明人: 闫宁 范波 吴啸 徐帅

    IPC分类号: C23C16/517 C23C16/27

    摘要: 本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置,波导组件包括引风管段,用于设置在微波发生器和模式转换器之间,引风管段侧壁上设置有引风通道,用于将引风管段内腔和外界进行连通,还包括风机,与引风通道对接,用于在引风通道处向引风管段内腔中送风,或者从引风管段内腔中吸风,以在波导内腔中形成气流,引风管段内固设有透波挡风板,用于阻挡气流流向微波发生器。工作时,通过风机的送风或吸风,使得外界冷空气能够进入装置内对装置内的核心部件进行冷却,确保装置能够稳定地工作。

    一种微波等离子体金刚石膜沉积设备

    公开(公告)号:CN109778138A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910217762.X

    申请日:2019-03-21

    IPC分类号: C23C16/27 C23C16/511

    摘要: 本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,具体公开了一种微波等离子体金刚石膜沉积设备,其微波石英窗的顶部和底部通过密封垫片组分别与沉积台和底板密封连接,所述密封垫片组包括外圈密封垫片和内圈密封垫片,外圈密封垫片和内圈密封垫片间设有泄气间隙,顶部和底部的泄气间隙通过第二通气孔连通,在底板上的第三通气孔用于将泄气间隙与第二出气管连通,第二出气管与抽真空装置连接。本发明能有效隔离外界空气,维持了反应腔内真空工作环境,有效降低了本类型MPCVD设备的真空漏率,最终实现反应腔与外部空气有效隔离,为制备高品质产品提供了有利保障,提高了微波等离子体化学气相沉积产品质量,满足科研和工业化生产需求。

    一种径向施压烧结成型模具

    公开(公告)号:CN106001578A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610593368.2

    申请日:2016-07-26

    IPC分类号: B22F3/14

    CPC分类号: B22F3/14 B22F2003/145

    摘要: 本发明公开了一种径向施压烧结成型模具,包括模具主体,模具主体上设有贯穿上下端面的两斜槽,两斜槽相互交叉,交叉处设有通孔,模具主体两端分别设有垂直于通孔的槽,槽内设有挡板,斜槽内设有压头,压头下端面为与通孔相配合的弧形面,模具主体上下端面设施力压板,压板压脚与压头表面接触。本发明公开的径向施压烧结成型模具可以在单向压制或双向压制压机上对细长圆柱形磨料层实施径向压制烧结成型,与传统的轴向压制相比,粉料生坯的压制厚度大大降低,使得细长圆柱形磨料层烧结成型后不会出现轴向烧结压制产生的密度阶梯性差异,其整体烧结坯密度分布均匀,从而大大提升成品磨具整体的质量可靠性和应用范围。

    一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法

    公开(公告)号:CN111633559B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202010515340.3

    申请日:2020-06-08

    摘要: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法,首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测,得到三维形貌检测图和测量数据,对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V,取所有测量区域的材料体积的平均值,作为需要去除的材料余量体积V1,根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测,还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估,应用范围广。