公开(公告)号：CN103779302A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310512783.7

申请日：2013-10-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 特伦特·S·尤林 ,  布雷特·P·威尔克森

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及具有大焊盘的封装集成电路及其形成方法。封装衬底（10）具有安装在第一侧面上的管芯（14）。一个或多个内部焊盘（20-23）处于第二侧面（18）的内部部分（19）上。所述内部部分的周界与所述管芯的周界对齐。所述一个或多个内部焊盘是所述内部部分上仅有的焊盘。所述一个或多个内部焊盘总计不超过五个。多个外部焊盘（16）处于所述第二侧面的外部部分上。所述一个或多个内部焊盘的平均面积至少是所述一个或多个内部焊盘的平均面积值的五倍。所述多个外部锡球盘被用于接纳锡球。所述外部部分与所述内部部分的所述周界间隔开。所述外部部分和所述内部部分共面。

公开(公告)号：CN101578696B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880001563.5

申请日：2008-01-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 蒂姆·V·范 ,  特伦特·S·尤林

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/09418 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/611 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底(501)，所述衬底(501)具有在其上设置的多个接合焊盘(503)。每个接合焊盘在与衬底平行的方向上具有长轴和短轴，并且长轴与短轴的比随着接合焊盘距衬底中心的距离而增加。

公开(公告)号：CN103779302B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201310512783.7

申请日：2013-10-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 特伦特·S·尤林 ,  布雷特·P·威尔克森

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及具有大焊盘的封装集成电路及其形成方法。封装衬底(10)具有安装在第一主要表面上的管芯(14)。一个或多个内部焊盘(20‑23)处于第二主要表面(18)的内部部分(19)上。所述内部部分的周界与所述管芯的周界对齐。所述一个或多个内部焊盘是所述内部部分上仅有的焊盘。所述一个或多个内部焊盘总计不超过五个。多个外部焊盘(16)处于所述第二主要表面的外部部分上。所述一个或多个内部焊盘的平均面积至少是所述一个或多个外部焊盘的平均面积值的五倍。所述多个外部锡球盘被用于接纳锡球。所述外部部分与所述内部部分的所述周界间隔开。所述外部部分和所述内部部分共面。

公开(公告)号：CN1777978B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200480002915.0

申请日：2004-01-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 斯科特·K·波兹德 ,  特伦特·S·尤林 ,  拉克希米·N·拉马纳坦

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种用于从半导体晶片(101)的划片区(103)去除金属的工艺。去除的金属可以包括在划片区的切削路径(111)中暴露的金属和划片区的止裂沟槽中的金属。在一个实施例中，通过湿法腐蚀晶片，从划片区去除铜。在一个实施例中，在去除了在晶片表面上暴露的阻挡粘接层(203)之后，实施湿法腐蚀。去除切削路径(111)中的金属可以减少在对晶片的管芯区(1007)进行单片分割期间在划片刀(903)上聚集的金属量。

公开(公告)号：CN101578696A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001563.5

申请日：2008-01-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 蒂姆·V·范 ,  特伦特·S·尤林

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/09418 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/611 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底(501)，所述衬底(501)具有在其上设置的多个接合焊盘(503)。每个接合焊盘在与衬底平行的方向上具有长轴和短轴，并且长轴与短轴的比随着接合焊盘距衬底中心的距离而增加。

公开(公告)号：CN1777978A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480002915.0

申请日：2004-01-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 斯科特·K·波兹德 ,  特伦特·S·尤林 ,  拉克希米·N·拉马纳坦

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种用于从半导体晶片(101)的划片区(103)去除金属的工艺。去除的金属可以包括在划片区的切削路径(111)中暴露的金属和划片区的止裂沟槽中的金属。在一个实施例中，通过湿法腐蚀晶片，从划片区去除铜。在一个实施例中，在去除了在晶片表面上暴露的阻挡粘接层(203)之后，实施湿法腐蚀。去除切削路径(111)中的金属可以减少在对晶片的管芯区(1007)进行单片分割期间在划片刀(903)上聚集的金属量。