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公开(公告)号：CN111480113A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080540.1
申请日：2018-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
发明人： 德克·S·G·布龙 , J·亚当斯 , A·本迪克塞 , R·雅克布 , A·贾奇 , V·V·N·N·P·科塔帕利 , J·H·里昂 , T·M·默德曼 , M·兰詹 , M·A·范德克尔克霍夫 , 熊绪刚
摘要： 一种用于确定与用于光刻设备(LA)中的表膜(19)相关的状态的设备，该设备包括传感器(26、32、52、60)，其中，该传感器(26、32、52、60)被配置为测量与该表膜(19)相关的属性，该属性指示表膜状态。
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公开(公告)号：CN117157586A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280026085.3
申请日：2022-03-21
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·亚当斯 , L·G·蒙特帝纳 , N·F·W·蒂森 , L·J·卡尔塞迈耶尔 , I·M·P·阿蒂斯 , 萨哈拉萨达特·达斯特瑞
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 提供用于校正被设置在衬底上的对准标记的检测位置且使用经校正的数据来对准所述衬底以确保对所述衬底上的一个或更多个图案的准确曝光的系统、设备和方法。一种示例方法可以包括接收指示从设置在衬底上的多个对准标记衍射或从所述衬底反射的光之间的干涉的测量数据。所述示例方法还可以包括基于所述测量数据来确定衬底变形数据。所述示例方法还可以包括基于所述测量数据来确定对准标记变形数据。所述对准标记变形数据可以包括对准标记变形光谱图案数据、对准标记变形幅值数据、和对准标记变形偏移数据。随后，所述示例方法可以包括基于所述衬底变形数据和所述对准标记变形数据来确定对所述测量数据的校正。
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公开(公告)号：CN118679430A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380020575.7
申请日：2023-01-04
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 一种系统，包括成像系统、空间滤波器和探测器。所述系统被配置成接收多个衍射阶。所述空间滤波器被配置成阻挡所述多个衍射阶中的一个或更多个不期望的衍射阶并且使所述多个衍射阶中的一个或更多个期望的衍射阶通过。所述空间滤波器包括具有在方位角上变化的依赖于角度的半径的一个或更多个遮蔽部。所述探测器被配置成接收和测量所述一个或更多个期望的衍射阶的强度。所述空间滤波器是机动化的。
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公开(公告)号：CN118647937A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202280090291.0
申请日：2022-12-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 描述了作为半导体制造工艺的一部分的、产生用于对准衬底层中的特征的对准信号。与用于产生对准信号的典型方法相比，本系统和方法更快速，并且产生更多信息，因为它们利用图案化半导体晶片中的现有结构而不是专用对准结构。连续扫描图案化半导体晶片的特征(而非专用对准标记)，其中扫描包括：用辐射连续地照射特征；以及连续地检测来自特征的反射辐射。扫描垂直于特征、沿着特征的一侧或沿特征的两侧执行的。
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公开(公告)号：CN117425859A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280040650.1
申请日：2022-05-24
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 提供了用于校正被设置在衬底上的对准标记的检测位置并且使用经校正的数据对准所述衬底以准确地曝光所述衬底上的图案的系统、设备和方法。示例方法可以包括接收测量信号，所述测量信号包括与从具有不同定向的第一对准目标和第二对准目标衍射的第一衍射光束和第二衍射光束相对应的组合强度信号。示例方法还可以包括使用模板拟合所述组合强度信号以确定权重值，和基于所述模板和权重值来确定与所述第一衍射光束和第二衍射光束相对应的第一强度子信号和第二强度子信号。所述方法还可以包括基于所述第一强度子信号和第二强度子信号来确定第一强度不平衡信号和第二强度不平衡信号，以及基于所述第一强度不平衡信号和第二强度不平衡信号来确定对所述测量信号的校正集。
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公开(公告)号：CN114450641B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080067961.8
申请日：2020-09-14
申请人： ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 一种用于确定衬底的对准的设备和方法，其中，对对准标记进行照射的辐射源的强度是根据系统中的用于将模拟信号转换成数字信号的元件处于对所述信号进行采样的模式还是处于对所述信号进行转换并且因此对所述信号中的改变不敏感的模式而变化的，因而降低了所述衬底或系统光学部件暴露于所述照射辐射的量。
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公开(公告)号：CN114514474B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080067332.5
申请日：2020-09-14
申请人： ASML控股股份有限公司
发明人： 林宇翔 , J·亚当斯 , T·M·T·A·M·埃拉扎里 , K·肖梅
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G01N21/956
摘要： 一种系统(500)，包括照射系统(502)、透镜元件(506)和检测器(504)。所述照射系统产生辐射束(510)，该辐射束在光瞳平面(528)处具有第一空间强度分布(800)以及在目标(514)的平面处具有第二空间强度分布(900)。所述第一空间强度分布包括环形强度轮廓(802)或与三个或更多个束对应的强度轮廓。所述透镜元件将所述束聚焦到所述目标上。所述第二空间强度分布与所述第一强度分布是共轭的，并且具有与中心束(902)以及与所述中心束基本上隔离的一个或更多个旁瓣(904)对应的强度轮廓。所述中心束在所述目标处具有约20微米或更小的束直径。所述检测器接收由所述目标散射的辐射并且基于所接收的辐射产生测量信号。
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公开(公告)号：CN111465902B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201880080677.7
申请日：2018-12-04
申请人： ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , G02B27/28
摘要： 根据一个实施例，提供了一种棱镜系统(900)。棱镜系统包括偏振分束器(PBS)表面。所述PBS表面被配置为从接收到的束(917)中产生具有对应的第一偏振信息和第二偏振信息的第一子束(919a)和第二子束(921a)，所述第二偏振信息不同于所述第一偏振信息。所述棱镜系统内的所述第一子束的第一光路具有的长度与所述棱镜系统内的所述第二子束的第二光路的长度基本相同。另外地或替代地，所述第一子束达到预定的偏振消光比。
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公开(公告)号：CN114514474A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080067332.5
申请日：2020-09-14
申请人： ASML控股股份有限公司
发明人： 林宇翔 , J·亚当斯 , T·M·T·A·M·埃拉扎里 , K·肖梅
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种系统(500)，包括照射系统(502)、透镜元件(506)和检测器(504)。所述照射系统产生辐射束(510)，该辐射束在光瞳平面(528)处具有第一空间强度分布(800)以及在目标(514)的平面处具有第二空间强度分布(900)。所述第一空间强度分布包括环形强度轮廓(802)或与三个或更多个束对应的强度轮廓。所述透镜元件将所述束聚焦到所述目标上。所述第二空间强度分布与所述第一强度分布是共轭的，并且具有与中心束(902)以及与所述中心束基本上隔离的一个或更多个旁瓣(904)对应的强度轮廓。所述中心束在所述目标处具有约20微米或更小的束直径。所述检测器接收由所述目标散射的辐射并且基于所接收的辐射产生测量信号。
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公开(公告)号：CN113439240A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202080015181.9
申请日：2020-02-11
申请人： ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00
摘要： 一种量测系统(400)包括：被配置为生成辐射(413)的辐射源(412)、被配置为将辐射(415)导向包括非恒定节距的光栅结构(418)的光学元件(414)，以及被配置为接收由光栅结构散射的辐射(429)并且基于所接收的辐射生成测量的检测器(428)。量测系统被配置为生成测量集，并且基于该组测量确定光刻工艺的参数或针对量测系统的校正，该组测量与光栅结构沿非恒定节距的方向上的位置集相对应。
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