公开(公告)号：CN108140697A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057032.2

申请日：2016-09-30

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李宗燮 ,  宋炫暾 ,  姜基晩 ,  金胜晥 ,  郑圣达

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/50

摘要： 本发明的一个实施例包括：氮化镓衬底；以及设置在所述衬底的另一个表面上的发光结构，其中所述衬底包括在其一个表面上形成的多个光提取结构，所述衬底的厚度为80μm以上，并且所述多个光提取结构为10μm以上。

公开(公告)号：CN108140697B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201680057032.2

申请日：2016-09-30

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李宗燮 ,  宋炫暾 ,  姜基晩 ,  金胜晥 ,  郑圣达

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/50

摘要： 本发明的一个实施例包括：氮化镓衬底；以及设置在所述衬底的另一个表面上的发光结构，其中所述衬底包括在其一个表面上形成的多个光提取结构，所述衬底的厚度为80μm以上，并且所述多个光提取结构为10μm以上。

公开(公告)号：CN108140700A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056981.9

申请日：2016-09-30

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 郑圣达 ,  宋炫暾 ,  姜基晩 ,  金胜晥 ,  李宗燮

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36

摘要： 在一个实施例中公开了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和穿透第二半导体层和有源层且设置为直到第一半导体层的部分区域的第一凹槽；反射电极层，其覆盖第二半导体层的下部和第一凹槽的侧壁；第一欧姆电极，其设置在所述第一凹槽内并且电连接到所述第一半导体层；以及第一绝缘层，用于使第一欧姆电极和反射电极层电绝缘。

公开(公告)号：CN105826303A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510963140.3

申请日：2015-12-21

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 郑圣达 ,  李宗燮 ,  宋炫暾

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L33/14 ,  H01L33/40 ,  H01L33/64 ,  F21V19/00 ,  F21Y115/10

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/60 ,  F21V19/002 ,  H01L33/14 ,  H01L33/405 ,  H01L33/647

摘要： 本发明涉及发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统。本发明提供一种发光器件。发光器件包括衬底；衬底上的包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，该肖特基导环围绕第一电极并且直接地连接第一导电半导体层。

公开(公告)号：CN105826303B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201510963140.3

申请日：2015-12-21

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 郑圣达 ,  李宗燮 ,  宋炫暾

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L33/14 ,  H01L33/40 ,  H01L33/64 ,  F21V19/00 ,  F21Y115/10

摘要： 本发明涉及发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统。本发明提供一种发光器件。发光器件包括衬底；衬底上的包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，该肖特基导环围绕第一电极并且直接地连接第一导电半导体层。

公开(公告)号：CN108140700B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201680056981.9

申请日：2016-09-30

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 郑圣达 ,  宋炫暾 ,  姜基晩 ,  金胜晥 ,  李宗燮

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20

摘要： 在一个实施例中公开了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和穿透第二半导体层和有源层且设置为直到第一半导体层的部分区域的第一凹槽；反射电极层，其覆盖第二半导体层的下部和第一凹槽的侧壁；第一欧姆电极，其设置在所述第一凹槽内并且电连接到所述第一半导体层；以及第一绝缘层，用于使第一欧姆电极和反射电极层电绝缘。