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公开(公告)号：CN104112757B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410260976.2
申请日：2011-02-18
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/48 , H01L27/15 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统。根据实施例的发光器件包括：导电支撑构件；在导电支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；以及在发光结构上的保护器件。
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公开(公告)号：CN103811619B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310530407.0
申请日：2013-10-31
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 丁焕熙
摘要： 本发明涉及发光器件。根据实施方案的发光器件包括：发光结构，其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；设置在第一导电半导体层上的多个第一电极；电连接至第二导电半导体层的第二电极；设置在第二电极下方的导电支承构件；分别将第一电极电连接至导电支承构件的多个第一连接部；以及电连接至第二电极的第二连接部，其中第一电极在第一导电半导体层的顶表面上的彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN102956664B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210016849.9
申请日：2012-01-18
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 丁焕熙
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
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公开(公告)号：CN103579430B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310340983.9
申请日：2013-08-07
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 丁焕熙
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供发光器件。根据本实施方案的发光器件包括：发光结构，给发光结构包括有第一导电半导体层在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电半导体层；电流阻挡层，该电流阻挡层设置在发光结构下方并且具有通过穿过有源层设置在第一导电半导体层中的顶表面；第一金属层，该第一金属层设置在电流阻挡层上并且接触第一导电半导体层；以及反射电极，该反射电极电连接到第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN102347414B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110220992.5
申请日：2011-07-28
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/48227 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种发光器件，并且还提供了一种发光器件封装。根据发光器件，在导电支撑构件上设置发光部和静电放电(ESD保护部。连接层将发光部的第一导电型半导体层电连接到ESD保护部的第二导电型半导体层。在连接层和ESD保护层上设置保护构件。
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公开(公告)号：CN102169945B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201110036026.8
申请日：2011-02-01
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一导电类型半导体层上的电极；第二导电类型半导体层下面的反射层；第二导电类型半导体层的下表面的外围部分处的保护层；以及保护层上的包括化合物半导体的光提取结构。
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公开(公告)号：CN102820399B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210274146.6
申请日：2010-08-05
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件可包括：导电支撑构件；在导电支撑构件上的反射层；在反射层上的发光结构，所述发光结构包括：第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层；与第二导电型半导体层的底部边缘接触的沟道层；形成在反射层和第二导电型半导体层之间的部分区域中的电流阻挡层；与反射层的底面接触的粘合层；和在第一导电型半导体层上的电极，其中反射层包括相对于反射层的底表面凹进的部分，以及其中粘合层包括位置对应于反射层的凹进的部分的突出的部分。
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公开(公告)号：CN101807641B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201010121516.3
申请日：2010-02-20
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 丁焕熙
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 实施方案公开一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：第一导电半导体层；所述第一导电半导体层之下的第一电极层；所述第一导电半导体层的外周部分处的半导体层；所述第一导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第二导电半导体层；和所述第二导电半导体层上的第二电极层。
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公开(公告)号：CN104350616A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380030123.3
申请日：2013-05-24
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 丁焕熙
IPC分类号： H01L33/36 , G02F1/13357
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
摘要： 根据一个实施方式的一种发光器件，所述发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述发光结构下的反射电极；和电极，所述电极设置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层。
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